高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究

Description

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第17581号 / 工博第3740号 / 新制||工||1570(附属図書館) / 30347 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 浅野 卓 / 学位規則第4条第1項該当

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1. http://hdl.handle.net/2433/174947
2. 10.14989/doctor.k17581

Tags

Sic

p-type 4H-Sic

carrier lifetime

deep level

µ-PCD

bipolar device

lifetime control

recombination

キャリア寿命

ライフタイム

炭化珪素

p型Sic

光伝導度減衰

再結合

バイポーラ

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/174947
Date	25 March 2013
Creators	林, 利彦
Contributors	木本, 恒暢, 藤田, 静雄, 浅野, 卓, Hayashi, Toshihiko, ハヤシ, トシヒコ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), Kyoto University
Source Sets	Kyoto University
Language	Japanese
Detected Language	Japanese
Type	DFAM, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	許諾条件により要旨・本文は2013-09-25に公開