Variability in BTI-Induced Device Degradation: from Silicon Measurement to SRAM Yield Prediction / トランジスタのBTI劣化ばらつきに関する研究：特性評価からSRAM 回路歩留り予測へ

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(情報学) / 甲第19862号 / 情博第613号 / 新制||情||106(附属図書館) / 32898 / 京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻 / (主査)教授 佐藤 高史, 教授 小野寺 秀俊, 教授 髙木 直史 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Informatics / Kyoto University / DFAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/215689
2. 14301甲第19862号
3. 10.14989/doctor.k19862
4. 14301

Tags

集積回路

微細化

信頼性

バイアス温度不安定性（BTI）

歩留り解析

007

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/215689
Date	23 March 2016
Creators	Awano, Hiromitsu
Contributors	佐藤, 高史, 小野寺, 秀俊, 髙木, 直史, 粟野, 皓光, アワノ, ヒロミツ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf