元素原料気相成長法によるサファイア基板上AlNの結晶成長およびカーボンを用いたAlN表面のp型伝導制御

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第22844号 / 工博第4784号 / 新制||工||1748(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 川上 養一, 教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/259740
2. 14301甲第22844号
3. 10.14989/doctor.k22844
4. 14301

Tags

窒化アルミニウム

p型伝導

深紫外

結晶成長

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/259740
Date	24 November 2020
Creators	岸元, 克浩
Contributors	川上, 養一, 木本, 恒暢, 藤田, 静雄, Kishimoto, Katsuhiro, キシモト, カツヒロ
Publisher	Kyoto University, 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	Japanese
Detected Language	Japanese
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	許諾条件により本文は2021-03-23に公開