[pt] Pontos quânticos (PQs) auto-organizáveis de InAs sobre InP,
InGaAs, InGaAlAs utilizando-se substratos de InP foram
crescidos pela deposição química de metal-orgânicos (MOCVD)
e foram investigadas para fotodetectores. Para PQs
de InAs crescidos sobre diferentes substratos de InP, têm-se
que a presença de discordâncias é responsável pelo aumento
na densidade planar dos PQs. O espectro de fotoluminescência
(FL) das estruturas de InP/InxGa1-xAs/InAs/InP, com
diferentes composições da camada ternária. Medidas com
microscopia de força atômica (AFM) mostraram que os PQs mais
altos são obtidos quando os
mesmos são crescidos sobre uma camada de InxGa1-xAs com um
descasamento de 1000ppm, e a altura decresce com o
descasamento a partir deste valor. O espectro de FL dos PQs
mostrou uma banda assimétrica, a qual envolve transições
entre os níveis de energia dos PQs e pode ser decomposta em
dois picos. Pico de energia mais alta desta banda foi
observado para a amostra com PQs crescidos sobre uma
camada de InxGa1-xAs casada e o pico foi deslocado para
energias mais baixas para amostras tensionadas. Estruturas
diferentes de PQ de InAs crescidas sobre uma camada de
InGaAlAs casada com InP foram investigadas. Picos de
fotocorrente extremamente estreitos foram observados,
demonstrando um excelente potencial para sintonização
estreita de comprimentos de onda. Foram desenvolvidas
estruturas para detectar radiação superior à 10μm. Medidas
de absorção mostrando uma dependência com a polarização
mostraram eu as estruturas tem um confinamento total e são
apropriadas para detecção sintonizável de radiação por
incidência normal. / [en] Self-assembled InAs quantum dots (QD) over an InP, InGaAs,
InGaAlAs on InP substrates were grown by metal-organic
chemical vapor deposition (MOCVD) and were investigated for
quantum dot infrared photodetectors. For InAs QD over
an InP buffer on different InP substrates. The results
indicate that the presence of dislocations were responsible
for the increase in the QD density. Photoluminescence (PL)
spectra of InP/InxGa1-xAs/InAs/InP dot-in-a-well
structures, with different compositions of the ternary
layer. Measurements with atomic force microscopy showed
that the largest QD height is obtained when the InAs QDs
are grown on the InxGa1-xAs layer with a mismatch of
1000ppm, and the height decreases as the mismatch departs
from this value. PL spectra of the QDs showed an asymmetric
band, which involves transitions between dot energy levels
and can be deconvoluted into two peaks. The highest energy
PL peak of this band was observed for the sample with the
QDs grown on top of the lattice-matched InxGa1-xAs and it
shifted to lower energies for strained samples as the
degree of mismatch increased. Different InAs quantum dot
structures grown on InGaAlAs lattice matched to InP.
Extremely narrow photocurrent peaks were observed,
demonstrating great potential for fine wavelenght
selection. Structures which can detect radiation beyond
10ìm were developed. Polarization dependence
measurements showed that the structures have a zero-
dimensional character and are suitable for detection of
normal incidence light.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:puc-rio.br/oai:MAXWELL.puc-rio.br:12288 |
| Date | 03 October 2008 |
| Creators | ARTUR JORGE DA SILVA LOPES |
| Contributors | PATRICIA LUSTOZA DE SOUZA |
| Publisher | MAXWELL |
| Source Sets | PUC Rio |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | TEXTO |
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