[pt] Neste trabalho foi estudada a deformação mecânica em
semicondutores III-V resultante da nanolitografia por microscopia de força
atômica (AFM). O AFM, equipado com uma ponta de diamante de raio de
curvatura de 80 nm, foi usado para riscar a superfície do InP com forças
da ordem de dezenas de mN ao longo de direções cristalográficas
específicas. O padrão litografado na superfície foi caracterizado com o
uso do AFM, enquanto uma análise da microestrutura do material foi feita
com o uso da microscopia eletrônica de transmissão (MET). Foi realizado
um estudo da deformação mecânica ao riscarmos o InP (100) com o uso
do AFM utilizando forças normais variando de 7 uN a 120 uN e em
direções cristalográficas das famílias <110> e <100>. Foi visto por MET,
que é mais fácil produzir deformação plástica para riscos feitos na direção
<110> do que na direção <100>, o que associamos à diferença na
orientação dos vetores de Burgers ativados para os planos de
escorregamento do InP para riscos ao longo das diferentes direções. Foi
realizado também um estudo da influência da distância entre dois riscos
consecutivos, feitos com o uso do AFM com força normal de 30 uN, no
endurecimento por deformação plástica. Um significante endurecimento
foi observado para distâncias entre riscos menores que 80 nm indicando
que ocorre travamento entre discordâncias geradas por sucessivos riscos
a distâncias menores que 80 nm. / [en] In this work, the mechanical deformation of III-V semiconductors
resulting from atomic force microscopy (AFM) nanolithography was
studied. The AFM, equipped with a diamond tip with 80nm radius, was
used to scratch the InP surface with forces in the order of tens of mN
along specific crystallographic directions. The pattern lithographed at the
surface was characterized by AFM, while the material microstructure
analyzes was performed by transmission electron microscopy (TEM). We
studied the mechanical deformation of InP (100) produced by the AFM
with forces in the range of 7uN to 120 uN along directions from the <110>
and <100> families. It was observed by TEM that, it is easier to produce
plastic deformation for scratches along the <110> than along the <100>
directions, which was associated to the different orientations of the
Burgers vectors activated for the InP slip planes for the scratches along
the different directions. The influence of the distance between two
scratches, performed with a normal force of 30 uN on the materials
hardening process was performed as well. Significant hardening was
observed at distances between scratches of 80nm or less suggesting that
locking due to dislocation interaction is occurring at parallel scratches at
distances smaller than 80nm.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:puc-rio.br/oai:MAXWELL.puc-rio.br:18861 |
| Date | 28 December 2011 |
| Creators | PAULA GALVAO CALDAS |
| Contributors | RODRIGO PRIOLI MENEZES |
| Publisher | MAXWELL |
| Source Sets | PUC Rio |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | TEXTO |
Page generated in 0.0048 seconds