1 |
Quels apports hydrologiques pour les modèles hydrauliques? Vers un modèle intégré de simulation des cruesLerat, Julien 27 April 2009 (has links) (PDF)
Les modèles hydrauliques sont couramment utilisés pour l'aménagement des rivières et la prévention des dommages liés aux inondations. Ces modèles calculent les hauteurs d'eau et débits sur un tronçon de rivière à partir de sa géométrie et des conditions aux limites du système: débit à l'amont du tronçon, débits d'apports latéraux provenant du bassin intermédiaire et hauteurs d'eau à l'aval. Lorsque le tronçon est long, les apports latéraux deviennent conséquents tout en demeurant rarement mesurés car provenant d'affluents secondaires. L'évaluation de ces apports constitue alors une étape essentielle dans la simulation des crues sous peine de fortes sous ou surestimations des variables hydrauliques. Cette thèse a pour objectif principal d'identifier une méthode de complexité minimale permettant de reconstituer ces apports. Nos travaux s'appuient sur un échantillon de 50 tronçons de rivière situés en France et aux Etats-Unis sur lesquels les apports latéraux ont été estimés à l'aide d'un modèle hydrologique semi-distribué connecté avec un modèle hydraulique simplifié. <br /><br />Une méthode automatisée de découpage du bassin intermédiaire en sous-bassins a d'abord été élaborée afin de faciliter la construction du modèle hydrologique sur les 50 tronçons de rivière. Des tests de sensibilité ont été menés sur le nombre de sous-bassins, la nature uniforme ou distribuée des entrées de pluie et des paramètres du modèle hydrologique. Une configuration à 4 sous-bassins présentant des pluies et des paramètres uniformes s'est avérée la plus performante sur l'ensemble de l'échantillon.<br /><br />Enfin, une méthode alternative de calcul des apports latéraux a été proposée utilisant une transposition du débit mesuré à l'amont et une combinaison avec le modèle hydrologique.
|
2 |
Propriétés magnétiques et structure électronique des semi-conducteurs magnétiques dilués de type II-VIChanier, Thomas 22 August 2008 (has links) (PDF)
Le but de cette thèse est l'étude de la structure électronique et des propriétés magnétiques des semi-conducteurs magnétiques dilués (DMS) de type II-VI ZnBVI (BVI= O, S, Se, Te) dopés Co et Mn.<br /><br />L'étude ab initio des couplages d'échange entre deux ions magnétiques premiers voisins montre l'insuffisance de la fonctionnelle LSDA (approximation de la densité locale polarisée en spin) pour décrire l'état fondamental des DMS. Grâce à la LSDA+U, qui prend en compte la corrélation forte des électrons des couches 3d des métaux de transition par une correction de type Hubbard, on obtient des constantes d'échange d-d antiferromagnétiques (AFM) de l'ordre de quelques meV pour les composés à base de Co et Mn non-dopés électriquement. Le dopage de type p permet d'obtenir des températures de Curie ferromagnétiques (FM) de l'ordre de 100 K. Les valeurs LSDA+U des couplages d'échange sp-d N\alpha (N\beta) entre électrons (trous) de la bande de conduction (de valence) et impuretés magnétiques sont FM (AFM) de l'ordre de 0.1 eV (-1 eV). Un modèle analytique de la structure électronique des DMS montre la présence d'un état localisé séparé de la bande de valence dans les composés à base de ZnO (N\beta fortement AFM) due à l'hybridation forte entre les états 3d de l'impureté magnétique et la bande de valence. <br /><br />L'état fondamental des lacunes neutres isolées dans les semi-conducteurs II-VI est examiné par une combinaison de calculs ab initio et analytiques. On montre que la lacune de Zn dans ZnO porte un spin S=1 en accord avec l'expérience. Dans les autres composés II-VI moins ioniques, cet état triplet est quasi-dégénéré avec un état singulet de spin nul. Les lacunes d'anions sont non-magnétiques.
|
3 |
Interaction porteur-phonons dans les boîtes quantiques InAs/GaAs : Polarons électroniques et polarons excitoniquesPreisler, Vanessa 10 July 2006 (has links) (PDF)
Cette thèse présente une étude des électrons, trous, et excitons confinés dans des boîtes quantiques InAs/GaAs, en prenant en compte leur couplage avec les phonons longitudinaux optiques (LO) du réseau cristallin. Nous montrons que les porteurs confinés dans les boîtes quantiques sont en régime de couplage fort avec ces phonons, et que la conséquence de ce couplage est la formation de particules mixtes porteur-phonon, appelées polarons.<br /><br />Dans un premier temps, l'interaction électron-phonon ainsi que trou-phonon est étudiée expérimentalement par spectroscopie dans l'infrarouge lointain (50-700 cm-1) sous champ magnétique intense (0-28 T). L'intérêt d'un champ magnétique est de déplacer les transitions électroniques, afin de les amener en résonance avec les phonons, là où les effets du couplage sont le plus évidents. Pour interpréter les résultats expérimentaux, nous avons calculé le couplage entre les états électroniques et les états de phonons LO en utilisant l'Hamiltonien de Fröhlich. On détermine ainsi les états polarons et les forces d'oscillateurs, qui sont en bon accord avec les résultats expérimentaux.<br /><br />Dans un deuxième temps, nous étudions le couplage des paires électron-trou ou excitons avec les phonons LO. Les transitions interbandes sont sondées dans des expériences de magnetophotoluminescence pour des champs magnétiques allant jusqu'au 28 T. A cause des fluctuations de taille, de composition, et de forme des boîtes quantiques auto-organisées, les pics de photoluminescence sont élargis d'une façon inhomogène. Pour minimiser cet élargissement, des expériences de photoluminescence résonante et d'excitation de la photoluminescence sont effectuées, pour lesquelles un sous-ensemble de boîtes homogènes est sélectionné. Nous calculons les états de polarons excitoniques, ce qui nous permet de déterminer le spectre d'absorption des boîtes quantiques. Un bon accord théorie-expérience est obtenu.
|
4 |
Marches aléatoires en milieu aléatoire sur Z:<br />études de localisation dans les cas récurrent et transientZindy, Olivier 29 June 2007 (has links) (PDF)
Les marches aléatoires en<br />milieu aléatoire constituent un modèle permettant de décrire<br />des phénomènes de diffusion et de transport en milieux<br />inhomogènes, possédant néanmoins des propriétés de<br />régularité à grande échelle. Le premier chapitre,<br />introductif, illustre la richesse de comportements des marches<br />aléatoires en milieu aléatoire. Le second chapitre concerne la<br />marche de Sinai (cas récurrent) et répond négativement à une<br />conjecture d'Erdös et Révész initialement posée pour la<br />marche aléatoire simple. Il révèle un paradoxe lié au<br />phénomène de localisation obtenu par Sinai. Dans le troisième<br />chapitre, nous nous intéressons à la limite supérieure de la<br />marche de Sinai en paysage aléatoire et traitons une conjecture de<br />Révész. Les quatrième et cinquième chapitres concernent les<br />marches aléatoires en milieu aléatoire transientes de vitesse<br />nulle. Un résultat classique de Kesten, Kozlov et Spitzer dit que<br />le temps d'atteinte du niveau n converge en loi, après<br />renormalisation, vers une variable aléatoire positive stable, mais<br />ils n'obtiennent pas la description de son paramètre. Nous<br />présentons ici une nouvelle preuve de ce résultat: une analyse<br />fine du potentiel associé à l'environnement nous permet<br />d'obtenir une caractérisation complète de la loi stable limite.<br />Le cas d'environnements de Dirichlet s'avère être<br />particulièrement explicite.
|
5 |
Etude des mécanismes d'excitation électronique associés au claquage des diélectriques induit par un champ laser intenseQuere, Fabien 09 October 2000 (has links) (PDF)
Quels sont les processus d'excitation électronique impliqués dans le claquage optique des solides diélectriques ? Cette question, débattue depuis la fin des années 60, a récemment connu un regain d'intérêt, dans le cas où le claquage est induit par des impulsions laser picoou femtosecondes. Dans cette gamme de durée, un modèle a récemment été proposé, selon lequel les électrons de conduction seraient essentiellement injectés par une très forte avalanche électronique, initiée par une faible densité de porteurs libres excités par absorption multiphotonique. Jusqu'à présent, les seules observations expérimentales en faveur de ce modèle sont des mesures de seuils de claquage en fonction de la durée de l'impulsion laser. Nous avons adopté une approche expérimentale plus directe de ce problème, fondée sur deux expériences pompe-sonde. Grâce à la technique d'interférométrie fréquentielle, nous avons mesuré la densité totale d'électrons de conduction excités par une impulsion laser ultra-brève, en fonction de la durée et de l'intensité de cette dernière, aussi bien en-dessous qu'au-dessus du seuil de claquage. Ces mesures démontrent de façon très directe que l'absorption multiphotonique par les électrons de valence est le processus dominant d'injection de porteurs : aucune avalanche électronique ne se produit avec des impulsions lasers de moins de quelques picosecondes. L'ionisation par impact des électrons de valence par les électrons de conduction est une étape cruciale dans les modèles d'avalanche. Nous avons donc réalisé une expérience de photoémission résolue en temps, afin d'évaluer l'efficacité de ce processus dans les diélectriques. Des électrons étaient injectés dans la bande de conduction, au-dessus du seuil d'ionisation par impact, grâce à une impulsion pompe UV (40 eV) femtoseconde. La relaxation de ces électrons était ensuite sondée au moyen d'une impulsion infrarouge intense. En mesurant la distribution en énergie des photoélectrons émis par le solide en fonction du délai pompe-sonde, nous avons montré que le processus d'ionisation par impact se produit sur une échelle de temps caractéristique de quelques dizaines de picosecondes pour des électrons de conduction de quelques dizaines d'eV dans SiO2 : cette faible efficacité pourrait expliquer pourquoi il ne peut pas se produire d'avalanche électronique avec des impulsions ultra-brèves, comme nous l'avons démontré par interférométrie fréquentielle.
|
6 |
MESURE DE COUPLAGE STATISTIQUE ENTRE SIGNAUX EEG : APPLICATION A L'EVALUATION QUANTITATIVE DES RELATIONS FONCTIONNELLES ENTRE STRUCTURES CEREBRALES EN EPILEPSIEAnsari-Asl, Karim 14 December 2005 (has links) (PDF)
La connectivité fonctionnelle cérébrale peut être caractérisée par l'évolution temporelle de la corrélation entre les signaux enregistrés dans des régions spatialement distribuées. Ici, nous proposons une comparaison exhaustive et quantitative pour juger des performances de différentes classes de méthodes pour l'estimation de cette connectivité. Basés sur plusieurs modèles de simulation, les résultats montrent que les performances sont fortement dépendantes des caractéristiques des signaux, aucune méthode ne surpassant les autres dans toutes les situations. La nature non stationnaire et oscillatoire des activités des populations neuronales, nous a amené à proposer un estimateur Temps-Fréquence de relation. La comparaison objective de ce nouvel estimateur avec un estimateur plus classique, basé sur la fonction de cohérence, montre qu'il peut conduire à de meilleures performances. Sur des données réelles, les résultats indiquent que cet estimateur peut augmenter la lisibilité de la représentation TF de la relation et peut ainsi améliorer l'interprétation des relations entre signaux EEG.
|
Page generated in 0.0967 seconds