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酸化ガリウムのホモエピタキシャル成長とn型ドーピングに関する研究佐々木, 公平 25 July 2016 (has links)
雑誌名: Electron device letters. In reference to IEEE copyrighted material which is used with permission in this thesis, the IEEE does not endorse any of Kyoto University's products or services. Internal or personal use of this material is permitted. If interested in reprinting/republishing IEEE copyrighted material for advertising or promotional purposes or for creating new collective works for resale or redistribution, please go to http://www.ieee.org/publications_standards/publications/rights/rights_link.html to learn how to obtain a License from RightsLink. / 京都大学 / 0048 / 新制・論文博士 / 博士(工学) / 乙第13043号 / 論工博第4144号 / 新制||工||1652(附属図書館) / 33035 / (主査)教授 藤田 静雄, 教授 川上 養一, 教授 木本 恒暢 / 学位規則第4条第2項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM
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酸化ガリウムのヘテロエピタキシャル成長と物性およびショットキーバリアダイオードの研究織田, 真也 24 July 2017 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第20628号 / 工博第4366号 / 新制||工||1679(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 藤田 静雄, 教授 引原 隆士, 准教授 須田 淳 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DGAM
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