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Search results

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1

SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究

藤原, 広和 23 March 2017 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第20379号 / 工博第4316号 / 新制||工||1669(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 山田 啓文, 准教授 浅野 卓 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DGAM
SiC
ダイオード
エピタキシャル成長
積層欠陥
転位
表面ラフネス
500
2

酸化ガリウムのヘテロエピタキシャル成長と物性およびショットキーバリアダイオードの研究

織田, 真也 24 July 2017 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第20628号 / 工博第4366号 / 新制||工||1679(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 藤田 静雄, 教授 引原 隆士, 准教授 須田 淳 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DGAM
酸化ガリウム
応力
逆格子マッピング
ダイオード
ショットキ
パワーデバイス
熱膨張係数
500

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