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Spelling suggestions: "subject:"スティフネス""

1

SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究

藤原, 広和 23 March 2017 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第20379号 / 工博第4316号 / 新制||工||1669(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 山田 啓文, 准教授 浅野 卓 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DGAM
SiC
ダイオード
エピタキシャル成長
積層欠陥
転位
表面ラフネス
500
2

Atomic-Scale Analysis of Plasma-Surface Interactions and Formation Mechanisms of Profile Anomalies and Surface Roughness during Plasma Etching of Silicon / シリコンエッチングにおけるプラズマ・表面相互作用と形状異常および表面ラフネス形成機構の原子スケール解析

Tsuda, Hirotaka 23 May 2013 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第17787号 / 工博第3766号 / 新制||工||1576(附属図書館) / 30594 / 京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻 / (主査)教授 斧 髙一, 教授 稲室 隆二, 教授 青木 一生 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM
形状進展シミュレーション
セルリムーバル法
分子動力学法
形状異常
表面ラフネス
リップル構造
500

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