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Spelling suggestions: "subject:"エピタキシャル"" "subject:"エピタキシャルマク""

1

SiCの結晶欠陥がショットキー障壁ダイオード特性に及ぼす影響と特性改善に関する研究

藤原, 広和 23 March 2017 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第20379号 / 工博第4316号 / 新制||工||1669(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 山田 啓文, 准教授 浅野 卓 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DGAM
SiC
ダイオード
エピタキシャル成長
積層欠陥
転位
表面ラフネス
500

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