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半極性GaNバルク基板上へのInGaN量子構造の成長と偏光物性 / ハンキョクセイ GaN バルク キバンジョウ エ ノ InGaN リョウシ コウゾウ ノ セイチョウ ト ヘンコウ ブッセイ

上田, 雅也 23 March 2009 (has links)
Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第14626号 / 工博第3094号 / 新制||工||1460(附属図書館) / 26978 / UT51-2009-D338 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 川上 養一, 教授 藤田 静雄, 教授 木本 恒暢 / 学位規則第4条第1項該当
半極性
GaN
InGaN
量子構造
偏光
500

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