Background Limitations in mobility resulting from balance impairments contribute substantially to falls in older adults. Aging also has a detrimental effect on cognition which influences mobility and balance. A low cost treadmill rehabilitation platform (TRP) and a custom computer game that provided single and dual task challenges while standing and walking were used to evaluate standing balance, gait variables, visual tracking and cognition game performances in active young and older adults. Objectives The study objectives were, 1) to determine the differences in performance-based measures of standing balance, treadmill walking, visual tracking and executive cognitive function between young and older adults and 2) to examine the effect of age and dual tasks on performance-based measures of balance, gait, visual tracking and cognition in both groups. Methods Thirty active young adults (Mean age: 26.7± 2 years) and thirty older adults (Mean age 61.4± 4.4 years) performed visual tracking and cognitive game tasks on three different physical and cognitive loads on the TRP. The treadmill was instrumented with a force sense array (FSA) pressure mat to record the centre of foot pressure excursions. A motion sense air mouse (Gyration Elite) mounted on a custom made helmet was used to interact with the on screen cursor of the computer screen to perform visual tracking and cognitive game tasks. Participants were also evaluated for balance using clinical tests. Results During single tasks, younger adults performed better than older adults in the AP direction while older adults demonstrated better balance in the ML direction. Single task walking did not demonstrate a difference between the two groups. During single task cognition, there was no difference during both cognitive games while young adults did better during the closed loop visual tracking task. During the dual tasks, both groups demonstrated a dual task effect in balance, walking and cognitive tasks. Younger adults performed better than older adults in all the physical and cognitive load conditions. Conclusion The study findings provided evidence for discussion on the effects of single and dual tasking conditions in young and older adults. Understanding the effects of dual tasks has important clinical implications because older adults engage themselves in a wide variety of activities that require cognitive, mobility and balance skills simultaneously. Identifying the age at which there is a compromise on the above and providing appropriate interventions would be very useful to prevent falls.

Esta dissertação explora os desafios agravados pela miniaturização da tecnologia na fabricação e projeto de circuitos integrados digitais. Os efeitos físicos do regime nanométrico reduzem o rendimento da produção e encurtam a vida útil dos dispositivos, restringindo a utilidade dos padrões de projeto convencionais e ameaçando a evolução da tecnologia CMOS como um todo. Nesta dissertação é exposta uma consistente revisão bibliográfica dos principais efeitos físicos parasitas presentes no regime nanométrico. Como o NBTI tem recebido destaque na literatura relacionada à confiabilidade de circuitos, este efeito de envelhecimento recebe destaque também neste texto, sendo explorado mais detalhadamente. Diversas técnicas de avaliação de redução do NBTI são demonstradas, sendo apresentados, em cada um destes tópicos, trabalhos desenvolvidos no âmbito desta dissertação e seus resultados. O circuito proposto como técnica de avaliação de NBTI permite uso de simulações elétricas para análise de degradação de circuitos. A análise da influência do rearranjo da estrutura de transistores para reduzir a degradação quanto ao NBTI apresenta bons resultados e não impede o uso de outras técnicas combinadas. / This thesis explores the challenges worsened by the technology miniaturization in fabrication and design of digital integrated circuits. The physical effects of nanometric regime reduce the production yield and shorten the devices lifetime, restricting the usefulness of standard design flows and threatening the evolution of CMOS technologies. This thesis exposes a consistent bibliographic review about the main aggressive physical effects of nanometric regime. NBTI has received special attention in reliability literature, so this text follows the same strategy, deeply exploring this aging effect. A broad set of NBTI evaluation and mitigation techniques are explained, including developed works in each one of these categories. The proposed circuit as NBTI evaluation technique allows the use of electrical simulation for circuit degradation analysis. The analysis of the transistors arrangement restructuring as a technique for NBTI degradation reduction shows satisfactory results, while does not restrict the use of other combined techniques.

O advento da utilização de circuitos integrados pela sociedade se deu por dois motivos. O primeiro consiste na miniaturização das dimensões dos dispositivos integrados. Essa miniaturização permitiu a construção de dispositivos menores, mais rápidos e que consomem menos frequência. O outro fator é a utilização da metodologia baseada em biblioteca de células. Esta metodologia permite o projeto de um circuito eficiente em um curto espaço de tempo. Com a redução dos dispositivos, novos fatores que eram desconsiderados no fluxo automático passaram a ter importância. Dentre eles podemos citar o consumo estático, a variabilidade, a manufaturabilidade e o envelhecimento. Alguns desses fatores, como o consumo estático e a variabilidade, já estão integrados à metodologia baseada em biblioteca de células. Os efeitos de envelhecimento tem sua degradação aumentada a cada novo processo tecnológico, assim como tem aumentado também a sua importância em relação à confiabilidade do circuito ao longo da sua vida útil. Este trabalho irá explorar estes efeitos de envelhecimento no projeto de circuitos integrados digitais. Dentre as principais contribuições pode-se destacar a definição de um custo de envelhecimento na definição de portas lógicas, que pode ser explorado pelos algoritmos de síntese lógica para obterem um circuito mais confiável. Este custo também pode ser utilizado pelas ferramentas de análise a fim de obter uma estimativa da degradação que o circuito proposto irá sofrer ao longo da sua vida útil. Além disso, é apresentada uma proposta de reordenamento estrutural do arranjo de transistores em portas lógicas, a fim de tratar os efeitos de envelhecimento nos níveis mais iniciais do fluxo. Por fim, uma análise simplificada de características a serem exploradas ao nível de circuito é discutida utilizando o auxílio do projeto de portas lógicas complexas. Os resultados apresentam uma boa e rápida estimativa da degradação das portas lógicas. A reestruturação do arranjo dos transistores tem se apresentado como uma boa alternativa ao projeto de circuitos mais confiáveis. Além disso, a utilização de arranjos mais complexos também é uma excelente alternativa que explora a robustez intrínseca da associação de transistores em série. Além disso, as alternativas propostas podem ser utilizadas em conjunto com técnicas já existentes na literatura. / The increased presence of integrated circuit (IC) in the people’s life has occurred for main two reasons. The first is the aggressive scaling of integrated device dimensions. This miniaturization enabled the construction of smaller, faster and lower power consumption devices. The other factor is the use of a cell based methodology in IC design. This methodology is able to provide efficient circuits in a short time. With the devices scaling, new factors that were usually ignored in micrometer technologies have become relevant in nanometer designs. Among them, it can be mentioned the static consumption, process parameters variability, manufacturability and aging effects. Some of these factors, such as static consumption and variability, are already taken into account by the standard cell design methodology. On the other hand, the degradation caused by aging effects has increased at each new technology node, as well as the importance in relation to the circuit reliability throughout its entire lifetime has also increased. This thesis explores such aging effects in the design of digital IC. The main contributions can be highlighted as the definition of a cost of aging that can be exploited by logic synthesis algorithms to produce a more reliable circuit. This cost can be also used by the analysis tools in order to obtain an estimative of the degradation that specific circuit experiences throughout their lifetime. In addition, a proposal to reorder the transistor structural arrangement of logic gates is presented in order to treat the effects of aging on initial steps in the design flow. Finally, a simplified analysis of the characteristics to be exploited at circuit level is performed exploring details of the design of complex logic gates. The aging cost results have given a good and fast prediction of logic gates degradation. The transistor arrangement restructuring approach is a good alternative to design more reliable circuits. Furthermore, the use of complex arrangements is also an excellent alternative which exploits the intrinsic robustness of series transistors association. Moreover, the discussed approaches can be easily used together with existing techniques in the literature to achieve better results.

Esta dissertação explora os desafios agravados pela miniaturização da tecnologia na fabricação e projeto de circuitos integrados digitais. Os efeitos físicos do regime nanométrico reduzem o rendimento da produção e encurtam a vida útil dos dispositivos, restringindo a utilidade dos padrões de projeto convencionais e ameaçando a evolução da tecnologia CMOS como um todo. Nesta dissertação é exposta uma consistente revisão bibliográfica dos principais efeitos físicos parasitas presentes no regime nanométrico. Como o NBTI tem recebido destaque na literatura relacionada à confiabilidade de circuitos, este efeito de envelhecimento recebe destaque também neste texto, sendo explorado mais detalhadamente. Diversas técnicas de avaliação de redução do NBTI são demonstradas, sendo apresentados, em cada um destes tópicos, trabalhos desenvolvidos no âmbito desta dissertação e seus resultados. O circuito proposto como técnica de avaliação de NBTI permite uso de simulações elétricas para análise de degradação de circuitos. A análise da influência do rearranjo da estrutura de transistores para reduzir a degradação quanto ao NBTI apresenta bons resultados e não impede o uso de outras técnicas combinadas. / This thesis explores the challenges worsened by the technology miniaturization in fabrication and design of digital integrated circuits. The physical effects of nanometric regime reduce the production yield and shorten the devices lifetime, restricting the usefulness of standard design flows and threatening the evolution of CMOS technologies. This thesis exposes a consistent bibliographic review about the main aggressive physical effects of nanometric regime. NBTI has received special attention in reliability literature, so this text follows the same strategy, deeply exploring this aging effect. A broad set of NBTI evaluation and mitigation techniques are explained, including developed works in each one of these categories. The proposed circuit as NBTI evaluation technique allows the use of electrical simulation for circuit degradation analysis. The analysis of the transistors arrangement restructuring as a technique for NBTI degradation reduction shows satisfactory results, while does not restrict the use of other combined techniques.

O advento da utilização de circuitos integrados pela sociedade se deu por dois motivos. O primeiro consiste na miniaturização das dimensões dos dispositivos integrados. Essa miniaturização permitiu a construção de dispositivos menores, mais rápidos e que consomem menos frequência. O outro fator é a utilização da metodologia baseada em biblioteca de células. Esta metodologia permite o projeto de um circuito eficiente em um curto espaço de tempo. Com a redução dos dispositivos, novos fatores que eram desconsiderados no fluxo automático passaram a ter importância. Dentre eles podemos citar o consumo estático, a variabilidade, a manufaturabilidade e o envelhecimento. Alguns desses fatores, como o consumo estático e a variabilidade, já estão integrados à metodologia baseada em biblioteca de células. Os efeitos de envelhecimento tem sua degradação aumentada a cada novo processo tecnológico, assim como tem aumentado também a sua importância em relação à confiabilidade do circuito ao longo da sua vida útil. Este trabalho irá explorar estes efeitos de envelhecimento no projeto de circuitos integrados digitais. Dentre as principais contribuições pode-se destacar a definição de um custo de envelhecimento na definição de portas lógicas, que pode ser explorado pelos algoritmos de síntese lógica para obterem um circuito mais confiável. Este custo também pode ser utilizado pelas ferramentas de análise a fim de obter uma estimativa da degradação que o circuito proposto irá sofrer ao longo da sua vida útil. Além disso, é apresentada uma proposta de reordenamento estrutural do arranjo de transistores em portas lógicas, a fim de tratar os efeitos de envelhecimento nos níveis mais iniciais do fluxo. Por fim, uma análise simplificada de características a serem exploradas ao nível de circuito é discutida utilizando o auxílio do projeto de portas lógicas complexas. Os resultados apresentam uma boa e rápida estimativa da degradação das portas lógicas. A reestruturação do arranjo dos transistores tem se apresentado como uma boa alternativa ao projeto de circuitos mais confiáveis. Além disso, a utilização de arranjos mais complexos também é uma excelente alternativa que explora a robustez intrínseca da associação de transistores em série. Além disso, as alternativas propostas podem ser utilizadas em conjunto com técnicas já existentes na literatura. / The increased presence of integrated circuit (IC) in the people’s life has occurred for main two reasons. The first is the aggressive scaling of integrated device dimensions. This miniaturization enabled the construction of smaller, faster and lower power consumption devices. The other factor is the use of a cell based methodology in IC design. This methodology is able to provide efficient circuits in a short time. With the devices scaling, new factors that were usually ignored in micrometer technologies have become relevant in nanometer designs. Among them, it can be mentioned the static consumption, process parameters variability, manufacturability and aging effects. Some of these factors, such as static consumption and variability, are already taken into account by the standard cell design methodology. On the other hand, the degradation caused by aging effects has increased at each new technology node, as well as the importance in relation to the circuit reliability throughout its entire lifetime has also increased. This thesis explores such aging effects in the design of digital IC. The main contributions can be highlighted as the definition of a cost of aging that can be exploited by logic synthesis algorithms to produce a more reliable circuit. This cost can be also used by the analysis tools in order to obtain an estimative of the degradation that specific circuit experiences throughout their lifetime. In addition, a proposal to reorder the transistor structural arrangement of logic gates is presented in order to treat the effects of aging on initial steps in the design flow. Finally, a simplified analysis of the characteristics to be exploited at circuit level is performed exploring details of the design of complex logic gates. The aging cost results have given a good and fast prediction of logic gates degradation. The transistor arrangement restructuring approach is a good alternative to design more reliable circuits. Furthermore, the use of complex arrangements is also an excellent alternative which exploits the intrinsic robustness of series transistors association. Moreover, the discussed approaches can be easily used together with existing techniques in the literature to achieve better results.

Esta dissertação explora os desafios agravados pela miniaturização da tecnologia na fabricação e projeto de circuitos integrados digitais. Os efeitos físicos do regime nanométrico reduzem o rendimento da produção e encurtam a vida útil dos dispositivos, restringindo a utilidade dos padrões de projeto convencionais e ameaçando a evolução da tecnologia CMOS como um todo. Nesta dissertação é exposta uma consistente revisão bibliográfica dos principais efeitos físicos parasitas presentes no regime nanométrico. Como o NBTI tem recebido destaque na literatura relacionada à confiabilidade de circuitos, este efeito de envelhecimento recebe destaque também neste texto, sendo explorado mais detalhadamente. Diversas técnicas de avaliação de redução do NBTI são demonstradas, sendo apresentados, em cada um destes tópicos, trabalhos desenvolvidos no âmbito desta dissertação e seus resultados. O circuito proposto como técnica de avaliação de NBTI permite uso de simulações elétricas para análise de degradação de circuitos. A análise da influência do rearranjo da estrutura de transistores para reduzir a degradação quanto ao NBTI apresenta bons resultados e não impede o uso de outras técnicas combinadas. / This thesis explores the challenges worsened by the technology miniaturization in fabrication and design of digital integrated circuits. The physical effects of nanometric regime reduce the production yield and shorten the devices lifetime, restricting the usefulness of standard design flows and threatening the evolution of CMOS technologies. This thesis exposes a consistent bibliographic review about the main aggressive physical effects of nanometric regime. NBTI has received special attention in reliability literature, so this text follows the same strategy, deeply exploring this aging effect. A broad set of NBTI evaluation and mitigation techniques are explained, including developed works in each one of these categories. The proposed circuit as NBTI evaluation technique allows the use of electrical simulation for circuit degradation analysis. The analysis of the transistors arrangement restructuring as a technique for NBTI degradation reduction shows satisfactory results, while does not restrict the use of other combined techniques.

O advento da utilização de circuitos integrados pela sociedade se deu por dois motivos. O primeiro consiste na miniaturização das dimensões dos dispositivos integrados. Essa miniaturização permitiu a construção de dispositivos menores, mais rápidos e que consomem menos frequência. O outro fator é a utilização da metodologia baseada em biblioteca de células. Esta metodologia permite o projeto de um circuito eficiente em um curto espaço de tempo. Com a redução dos dispositivos, novos fatores que eram desconsiderados no fluxo automático passaram a ter importância. Dentre eles podemos citar o consumo estático, a variabilidade, a manufaturabilidade e o envelhecimento. Alguns desses fatores, como o consumo estático e a variabilidade, já estão integrados à metodologia baseada em biblioteca de células. Os efeitos de envelhecimento tem sua degradação aumentada a cada novo processo tecnológico, assim como tem aumentado também a sua importância em relação à confiabilidade do circuito ao longo da sua vida útil. Este trabalho irá explorar estes efeitos de envelhecimento no projeto de circuitos integrados digitais. Dentre as principais contribuições pode-se destacar a definição de um custo de envelhecimento na definição de portas lógicas, que pode ser explorado pelos algoritmos de síntese lógica para obterem um circuito mais confiável. Este custo também pode ser utilizado pelas ferramentas de análise a fim de obter uma estimativa da degradação que o circuito proposto irá sofrer ao longo da sua vida útil. Além disso, é apresentada uma proposta de reordenamento estrutural do arranjo de transistores em portas lógicas, a fim de tratar os efeitos de envelhecimento nos níveis mais iniciais do fluxo. Por fim, uma análise simplificada de características a serem exploradas ao nível de circuito é discutida utilizando o auxílio do projeto de portas lógicas complexas. Os resultados apresentam uma boa e rápida estimativa da degradação das portas lógicas. A reestruturação do arranjo dos transistores tem se apresentado como uma boa alternativa ao projeto de circuitos mais confiáveis. Além disso, a utilização de arranjos mais complexos também é uma excelente alternativa que explora a robustez intrínseca da associação de transistores em série. Além disso, as alternativas propostas podem ser utilizadas em conjunto com técnicas já existentes na literatura. / The increased presence of integrated circuit (IC) in the people’s life has occurred for main two reasons. The first is the aggressive scaling of integrated device dimensions. This miniaturization enabled the construction of smaller, faster and lower power consumption devices. The other factor is the use of a cell based methodology in IC design. This methodology is able to provide efficient circuits in a short time. With the devices scaling, new factors that were usually ignored in micrometer technologies have become relevant in nanometer designs. Among them, it can be mentioned the static consumption, process parameters variability, manufacturability and aging effects. Some of these factors, such as static consumption and variability, are already taken into account by the standard cell design methodology. On the other hand, the degradation caused by aging effects has increased at each new technology node, as well as the importance in relation to the circuit reliability throughout its entire lifetime has also increased. This thesis explores such aging effects in the design of digital IC. The main contributions can be highlighted as the definition of a cost of aging that can be exploited by logic synthesis algorithms to produce a more reliable circuit. This cost can be also used by the analysis tools in order to obtain an estimative of the degradation that specific circuit experiences throughout their lifetime. In addition, a proposal to reorder the transistor structural arrangement of logic gates is presented in order to treat the effects of aging on initial steps in the design flow. Finally, a simplified analysis of the characteristics to be exploited at circuit level is performed exploring details of the design of complex logic gates. The aging cost results have given a good and fast prediction of logic gates degradation. The transistor arrangement restructuring approach is a good alternative to design more reliable circuits. Furthermore, the use of complex arrangements is also an excellent alternative which exploits the intrinsic robustness of series transistors association. Moreover, the discussed approaches can be easily used together with existing techniques in the literature to achieve better results.

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abstract: The aging process due to Bias Temperature Instability (both NBTI and PBTI) and Channel Hot Carrier (CHC) is a key limiting factor of circuit lifetime in CMOS design. Threshold voltage shift due to BTI is a strong function of stress voltage and temperature complicating stress and recovery prediction. This poses a unique challenge for long-term aging prediction for wide range of stress patterns. Traditional approaches usually resort to an average stress waveform to simplify the lifetime prediction. They are efficient, but fail to capture circuit operation, especially under dynamic voltage scaling (DVS) or in analog/mixed signal designs where the stress waveform is much more random. This work presents a suite of modelling solutions for BTI that enable aging simulation under all possible stress conditions. Key features of this work are compact models to predict BTI aging based on Reaction-Diffusion theory when the stress voltage is varying. The results to both reaction-diffusion (RD) and trapping-detrapping (TD) mechanisms are presented to cover underlying physics. Silicon validation of these models is performed at 28nm, 45nm and 65nm technology nodes, at both device and circuit levels. Efficient simulation leveraging the BTI models under DVS and random input waveform is applied to both digital and analog representative circuits such as ring oscillators and LNA. Both physical mechanisms are combined into a unified model which improves prediction accuracy at 45nm and 65nm nodes. Critical failure condition is also illustrated based on NBTI and PBTI at 28nm. A comprehensive picture for duty cycle shift is shown. DC stress under clock gating schemes results in monotonic shift in duty cycle which an AC stress causes duty cycle to converge close to 50% value. Proposed work provides a general and comprehensive solution to aging analysis under random stress patterns under BTI. Channel hot carrier (CHC) is another dominant degradation mechanism which affects analog and mixed signal circuits (AMS) as transistor operates continuously in saturation condition. New model is proposed to account for e-e scattering in advanced technology nodes due to high gate electric field. The model is validated with 28nm and 65nm thick oxide data for different stress voltages. It demonstrates shift in worst case CHC condition to Vgs=Vds from Vgs=0.5Vds. A novel iteration based aging simulation framework for AMS designs is proposed which eliminates limitation for conventional reliability tools. This approach helps us identify a unique positive feedback mechanism termed as Bias Runaway. Bias runaway, is rapid increase of the bias voltage in AMS circuits which occurs when the feedback between the bias current and the effect of channel hot carrier turns into positive. The degradation of CHC is a gradual process but under specific circumstances, the degradation rate can be dramatically accelerated. Such a catastrophic phenomenon is highly sensitive to the initial operation condition, as well as transistor gate length. Based on 65nm silicon data, our work investigates the critical condition that triggers bias runaway, and the impact of gate length tuning. We develop new compact models as well as the simulation methodology for circuit diagnosis, and propose design solutions and the trade-offs to avoid bias runaway, which is vitally important to reliable AMS designs. / Dissertation/Thesis / Doctoral Dissertation Electrical Engineering 2014

Gegenstand dieser Arbeit ist die Untersuchung von zeitabhängigen Verfestigungseffekten in Sandböden. Dies geschieht im Rahmen des Leitthemas „Modifizierung und Optimierung von Baugrund zur Ressourcenschonung“ bei der G²-Gruppe Geotechnik. Die bereits in Feld- und Laborversuchen beobachtete und untersuchte Zunahme von Festigkeits- und Steifigkeitsparametern in grobkörnigen Böden über Zeit, die nicht auf die Setzung zurückzuführen ist, wird anhand von zwei Versuchsmethoden unter Laborbedingungen untersucht. Die Versuche werden unter Betrachtung verschiedener Einflussfaktoren durchgeführt. Die verwendeten Methoden sind eine Labor-Drucksondierung und eine Ultraschalluntersuchung, deren Prüfgeräte für die Untersuchung der zeitabhängigen Verfestigungseffekte entwickelt wurden. Die Kontrolle der Geeignetheit für den Nachweis der zu untersuchenden Effekte und die damit verbundenen Anpassungen der Prüfgeräte sollen die Erstellung und Optimierung eines Versuchsprogramms ermöglichen.:Einleitung 1 Überblick 1.1 Hinweis zum Ultraschallversuch 2 Ziele 3 Grundlagen und Stand der Wissenschaft 3.1 Beschreibung des Effekts 3.2 Abgrenzung zu zeitabhängigen Verfestigungseffekten in bindigen Böden 3.3 Sand in der Geotechnik 3.3.1 Makroskopische Betrachtung geotechnischer Eigenschaften 3.3.2 Mikroskopische Betrachtung geotechnischer Eigenschaften 3.4 Kenntnisstand der Wissenschaft zum Aging-Effekt in grobkörnigen Böden 3.5 Labor- und Feldversuche zur Untersuchung von Aging-Effekten in Sandböden 4 Versuchsmethodik 4.1 Einführung 4.2 Untersuchung des Versuchsmaterials 4.2.1 Bodenkenngrößen 4.2.2 Mikroskopische Bodenuntersuchung 4.3 Labor-Drucksondierung 4.3.1 Versuchsaufbau 4.3.2 Übersicht der Versuchsreihen 4.3.3 Versuchsauswertung 5 Ergebniszusammenstellung und Auswertung 6 Fazit und Ausblick 7 Literaturverzeichnis Erklärung / The subject is the investigation of time-dependent consolidation effects in sandy soils. This takes place within the framework of the main theme 'Modification and optimization of subsoil to conserve resources' at the G²-Gruppe Geotechnik. The increase in strength and stiffness parameters in granular soils over time, which has already been observed and investigated in field and laboratory tests, and which is not due to settlement, is investigated using two testing methods under laboratory conditions. The tests are carried out considering various parameters. The methods used are a Mini-CPT and an ultrasonic examination, the test equipment of which was developed for the examination of the Aging-effect of soils. The control of the suitability for the verification of the effects to be examined and the related adaptations of the test devices should enable the designing of a test routine.:Einleitung 1 Überblick 1.1 Hinweis zum Ultraschallversuch 2 Ziele 3 Grundlagen und Stand der Wissenschaft 3.1 Beschreibung des Effekts 3.2 Abgrenzung zu zeitabhängigen Verfestigungseffekten in bindigen Böden 3.3 Sand in der Geotechnik 3.3.1 Makroskopische Betrachtung geotechnischer Eigenschaften 3.3.2 Mikroskopische Betrachtung geotechnischer Eigenschaften 3.4 Kenntnisstand der Wissenschaft zum Aging-Effekt in grobkörnigen Böden 3.5 Labor- und Feldversuche zur Untersuchung von Aging-Effekten in Sandböden 4 Versuchsmethodik 4.1 Einführung 4.2 Untersuchung des Versuchsmaterials 4.2.1 Bodenkenngrößen 4.2.2 Mikroskopische Bodenuntersuchung 4.3 Labor-Drucksondierung 4.3.1 Versuchsaufbau 4.3.2 Übersicht der Versuchsreihen 4.3.3 Versuchsauswertung 5 Ergebniszusammenstellung und Auswertung 6 Fazit und Ausblick 7 Literaturverzeichnis Erklärung