Made available in DSpace on 2014-06-12T23:14:57Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo8993_1.pdf: 2950400 bytes, checksum: 22e85ebad0ed18e65dfe07ff3a73864d (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2003 / Este trabalho apresenta um novo material polimérico condutor, a base de polianilina (PANI) na forma de filmes finos, que foi utilizado na confecção de dispositivos com fins dosimétricos. Para o preparo dos dispositivos os filmes foram depositados sobre as superfícies de substratos de poli(metacrilato de matila) (PMMA). Esta deposição foi feita através do espalhamento de uma pasta altamente viscosa e homogênea, contendo poli(ácido acrílico) e agente oxidante (MnO2), sobre as superfícies dos substratos de PMMA (formando uma película). Em seguida o substrato contendo a película foi imerso em uma solução ácida de anilina resultando na formação dos filmes. Os filmes formados por esta nova metodologia de síntese apresentam resistividade elétrica (6 x 102 W. m.), boa resistência mecânica e maior aderência aos eletrodos do sistema, quando comparados com os primeiros dispositivos desenvolvidos. A caracterização foi feita por infravermelho, medidas de condutividade elétrica e pela análise elementar de manganês. Os resultados dos ensaios dosimétricos mostraram: correlação linear (r2 = 0,9928) para variação da resistência elétrica em função da dose de irradiação gama, na faixa de 1000 6000 Gy; erro médio menor que 5%; sensibilidade de resposta; e estabilidade de suas propriedades por três dias antes e após a irradiação. A utilização do compósito PANI/poli(ácido acrílico) como dosímetro, para aplicações em instalações industriais que trabalhem com altas doses de radiação gama, foi estudada e resultou em uma curva de calibração com excelentes resultados. Os dispositivos dosimétricos preparados de acordo com esta nova rota apresentam leitura em tempo real e são de baixo custo. Sendo assim, podem vir a ser utilizados para calibração de fontes radioativas industriais, substituindo com eficácia o dosimetro Fricke (modificado) que vem sendo utilizado neste intervalo de dose

Neste trabalho são apresentados os resultados obtidos com diodos resistentes a danos de radiação dos tipos fusão zonal padrão (FZ), fusão zonaI com difusão de oxigênio (DOFZ) e Czochralski magnético (MCz) em dosimetria de processamento por radiação gama. Estes dispositivos de junção p+-n-n+ foram manufaturados por Okmetic Oyj. (Vantaa, Finland) e processados no Centro de Microeletrônica da Universidade de Tecnologia de Helsinki no âmbito da colaboração RD50 do CERN. As sondas dosimétricas, baseadas nos dispositivos FZ, DOFZ and MCz, foram projetadas para operar sem tensão de polarização no modo de corrente direta como dosímetros on-line de radiação. As irradiações foram realizadas no Centro de Tecnologia das Radiações (CTR) no IPEN-CNEN/SP usando a fonte de 60Co (Gammacell 220 Nordion) com a taxa de dose de aproximadamente 2,4 kGy/h. A resposta em corrente de cada diodo foi medida em função do tempo de exposição em intervalos de dose desde 5 kGy até 50 kGy atingindo a dose total absorvida 275 kGy. Os resultados obtidos demonstraram um significante decréscimo da fotocorrente gerada em todos os dispositivos para doses totais absorvidas superiores a aproximadamente 25 kGy. Para reduzir este efeito, as amostras foram pré-irradiadas com raios gama do 60Co a uma dose de 700 kGy, para saturar a produção de armadilhas no volume sensível do diodo. Depois da pré-irradiação, apesar de serem menos sensíveis, todos os dispositivos apresentaram sinais de corrente estáveis mesmo para a dose total absorvida de 275 kGy. A fim de monitorar possíveis efeitos de danos de radiação VII produzidos nos diodos, as correntes de fuga e capacitância destes dispositivos foram medidas em função da dose total absorvida. As curvas de calibração dos dosímetros mostraram respostas quadráticas com coeficientes de correlação maiores do que 0,9999 para doses totais absorvidas de até 275 kGy. A comparação entre as respostas dosimétricas dos diodos estudados evidenciou que o melhor resultado foi obtido com o MCz que exibiu maiores sensibilidade e estabilidade do que os dispositivos FZ e DOFZ. No entanto, é importante notar que todos os diodos pré-irradiados podem ser utilizados como dosímetros em aplicações de processamento por radiação gama. / In this work we report on results obtained with rad-hard Standard Float Zone (FZ), Diffusion Oxygenated Float Zone (DOFZ) and Magnetic Czochralski (MCz) silicon diodes in gamma radiation processing dosimetry. These p+-n-n+ junction devices were manufactured by Okmetic Oyj. (Vantaa, Finland) and processed by the Microelectronics Center of Helsinki University of Technology in the framework of the CERN RD50 Collaboration. The dosimetric probes, based on FZ, DOFZ and MCz devices, were designed to operate without bias voltage in the direct current mode as on-line radiation dosimeter. The irradiations were performed in the Radiation Technology Center (CTR) at IPEN-CNEN/SP using a 60Co source (Gammacell 220 Nordion) with a dose rate around of 2.4 kGy/h. The current response of each diode was measured as a function of the exposure time in steps from 5 kGy up to 50 kGy to achieve a total absorbed dose of 275 kGy. The results obtained showed a significant decrease in the photocurrent generated in all devices for total absorbed doses higher than approximately 25 kGy. To reduce this effect, the samples were pre-irradiated with 60Co gamma rays at 700 kGy in order to saturate the trap production in the diodes sensitive volume. After pre-irradiation, despite of being less sensitive, all devices exhibited more stable photocurrent signals, even for total absorbed doses of 275 kGy. To monitor possible gamma radiation damage effects produced on the diodes, their dynamic leakage current and capacitance were measured as a function of the absorbed dose. IX The calibration curves of the dosimeters showed quadratic responses with correlation coefficient higher than 0.9999 for total absorbed dose up to 275 kGy. The comparison among the dosimetric response of the diodes studied evidenced that the best result was achieved with the MCz which exhibited higher sensitivity and stability than the FZ and DOFZ devices. However, it is important to note that all pre-irradiated diodes can be used as gamma dosimeters in radiation processing applications.

Neste trabalho são apresentados os resultados obtidos com diodos resistentes a danos de radiação dos tipos fusão zonal padrão (FZ), fusão zonaI com difusão de oxigênio (DOFZ) e Czochralski magnético (MCz) em dosimetria de processamento por radiação gama. Estes dispositivos de junção p+-n-n+ foram manufaturados por Okmetic Oyj. (Vantaa, Finland) e processados no Centro de Microeletrônica da Universidade de Tecnologia de Helsinki no âmbito da colaboração RD50 do CERN. As sondas dosimétricas, baseadas nos dispositivos FZ, DOFZ and MCz, foram projetadas para operar sem tensão de polarização no modo de corrente direta como dosímetros on-line de radiação. As irradiações foram realizadas no Centro de Tecnologia das Radiações (CTR) no IPEN-CNEN/SP usando a fonte de 60Co (Gammacell 220 Nordion) com a taxa de dose de aproximadamente 2,4 kGy/h. A resposta em corrente de cada diodo foi medida em função do tempo de exposição em intervalos de dose desde 5 kGy até 50 kGy atingindo a dose total absorvida 275 kGy. Os resultados obtidos demonstraram um significante decréscimo da fotocorrente gerada em todos os dispositivos para doses totais absorvidas superiores a aproximadamente 25 kGy. Para reduzir este efeito, as amostras foram pré-irradiadas com raios gama do 60Co a uma dose de 700 kGy, para saturar a produção de armadilhas no volume sensível do diodo. Depois da pré-irradiação, apesar de serem menos sensíveis, todos os dispositivos apresentaram sinais de corrente estáveis mesmo para a dose total absorvida de 275 kGy. A fim de monitorar possíveis efeitos de danos de radiação VII produzidos nos diodos, as correntes de fuga e capacitância destes dispositivos foram medidas em função da dose total absorvida. As curvas de calibração dos dosímetros mostraram respostas quadráticas com coeficientes de correlação maiores do que 0,9999 para doses totais absorvidas de até 275 kGy. A comparação entre as respostas dosimétricas dos diodos estudados evidenciou que o melhor resultado foi obtido com o MCz que exibiu maiores sensibilidade e estabilidade do que os dispositivos FZ e DOFZ. No entanto, é importante notar que todos os diodos pré-irradiados podem ser utilizados como dosímetros em aplicações de processamento por radiação gama. / In this work we report on results obtained with rad-hard Standard Float Zone (FZ), Diffusion Oxygenated Float Zone (DOFZ) and Magnetic Czochralski (MCz) silicon diodes in gamma radiation processing dosimetry. These p+-n-n+ junction devices were manufactured by Okmetic Oyj. (Vantaa, Finland) and processed by the Microelectronics Center of Helsinki University of Technology in the framework of the CERN RD50 Collaboration. The dosimetric probes, based on FZ, DOFZ and MCz devices, were designed to operate without bias voltage in the direct current mode as on-line radiation dosimeter. The irradiations were performed in the Radiation Technology Center (CTR) at IPEN-CNEN/SP using a 60Co source (Gammacell 220 Nordion) with a dose rate around of 2.4 kGy/h. The current response of each diode was measured as a function of the exposure time in steps from 5 kGy up to 50 kGy to achieve a total absorbed dose of 275 kGy. The results obtained showed a significant decrease in the photocurrent generated in all devices for total absorbed doses higher than approximately 25 kGy. To reduce this effect, the samples were pre-irradiated with 60Co gamma rays at 700 kGy in order to saturate the trap production in the diodes sensitive volume. After pre-irradiation, despite of being less sensitive, all devices exhibited more stable photocurrent signals, even for total absorbed doses of 275 kGy. To monitor possible gamma radiation damage effects produced on the diodes, their dynamic leakage current and capacitance were measured as a function of the absorbed dose. IX The calibration curves of the dosimeters showed quadratic responses with correlation coefficient higher than 0.9999 for total absorbed dose up to 275 kGy. The comparison among the dosimetric response of the diodes studied evidenced that the best result was achieved with the MCz which exhibited higher sensitivity and stability than the FZ and DOFZ devices. However, it is important to note that all pre-irradiated diodes can be used as gamma dosimeters in radiation processing applications.

Pesticide use reduction is one of the alternatives usedin organic agriculture. Pesticides may bereplaced by biological agents, which are less harmful to the environment. SomeTrichoderma isolates are considered to be important and efficient biological agents. They protect plants from plant diseases when used at optimal doses and have mechanisms to enable seed germination and vegetable development. Few studies evaluate seed germination and plant development interaction with vermicomposting at highTrichoderma doses. Thus, the current study aims to test higher doses of the ICB Nutrisolo Trichoderma (ICB) biological commercial product than the recommended ones. It was done by evaluating, Eisenia andrei multiplication and development, the changes in the substrate s chemical features as well as the emergence and the initial development of lettuce seedlings in vermicompost. Regarding experiment 1, E. andrei multiplication and development, the experimental unit consisted of 6 kg of cattle manure in boxes containing 48 E. andrei earthworms. ICB commercial product doses of 0,0; 0,5; 1,0; 2,0; 4,0 and 8,0 were used at the concentration of 1011 CFU kg-1 in the substrate. The treatment without earthworms was also conducted to evaluate the vermicompost chemical features. The number of adult and young earthworms and of earthworm cocoons was counted, and the total dry weight was evaluated. As for experiment 2, which was conducted in greenhouse, the substrate was a mixture of vermicompost and commercial substrate at the ratio 1:1 (v/v). ICB doses of 0,0; 1,0; 2,0; 4,0; 8,0 and 16,0 were used at concentration of 1011 UFC kg-1 in the substrate. The inoculated substrate was placed in germination trays. Each experimental unit was composed of 10 cells, and each cell received five Regina cultivar lettuce seeds. After the seedlings emerged, a thinning was conducted by leaving one seedling per cell. The evaluated variables were germination percentage, seedling emergence speed index, height, shoot fresh and dry weight, leaf area, root volume and surface area, and P, K, Ca and Mg percentages in the leaves. The experimental designs were randomized with four replications. There was decrease in the number of earthworms when ICB doses equal to or above 4,0 were used. Doses up to 1,0 did not change the number of adult E.andrei earthworms and cocoons. However, the multiplication index was lower in all ICB treatments and doses above 2,0 decreased the total dry weight. The pH was higher in ICB treatments, and there was increased P, K and Mg percentage in the presence of earthworms. The doses studied in experiment 2 negatively influenced the plants shoot and root development. The germination percentage and the seedling emergence speed index were negatively influenced when doses above 4,0 were used. The leaf chemical analysis showed that all doses increased the percentage of analyzed nutrients. / A diminuição do uso de agrotóxicos é uma das alternativas utilizadas na agricultura orgânica, podendo estes serem substituídos por agentes biológicos menos agressivos ao ambiente. Alguns isolados de trichoderma são considerados importantes e eficientes agentes biológicos que, em doses ótimas, protegem as plantas contra doenças de plantas e possuem mecanismos que promovem tanto a germinação de sementes como o desenvolvimento de hortaliças. São raros os estudos que avaliam a germinação de sementes e o desenvolvimento de plantas em interação com a vermicompostagem em altas doses de trichoderma. Baseado nesse contexto, o objetivo do presente estudo foi testar doses superiores às recomendas do produto comercial biológico ICB Nutrisolo Trichoderma (ICB), avaliando-se a multiplicação e o desenvolvimento de Eisenia andrei, as alterações nas características químicas do substrato, bem como a emergência e o desenvolvimento inicial de plântulas de alface em vermicomposto. Para o experimento 1, multiplicação e desenvolvimento de E. andrei, a unidade experimental constituiu-se de 6 kg de esterco bovino em caixas com 48 minhocas da espécie E. andrei. Utilizou-se o produto comercial ICB nas doses 0,0; 0,5; 1,0; 2,0; 4,0 e 8,0; todas na concentração 1011 UFC kg-1 em substrato. Para avaliação das características químicas do vermicomposto foi utilizado também o tratamento sem minhocas. Foi feita a contagem do número de minhocas adultas, jovens e casulos, e avaliou-se o peso seco total. No experimento 2, conduzido em casa de vegetação, o substrato foi uma mistura de vermicomposto e substrato comercial na relação 1:1 (v/v). Foram utilizadas as doses 0,0; 1,0; 2,0; 4,0; 8,0 e 16,0 de ICB, todas na concentração 1011 UFC kg-1 em substrato. O substrato inoculado foi colocado em bandejas de germinação, sendo cada unidade experimental composta por 10 células, cada uma com cinco sementes de alface cv. Regina. Após a emergência fez-se um desbaste, permanecendo uma plântula por célula. As variáveis avaliadas foram porcentagem de germinação de sementes, índice de velocidade de emergência de plântulas, altura, massa fresca e seca da parte aérea, área foliar, volume e área superficial de raiz, e porcentagens de P, K, Ca e Mg nas folhas. Os delineamentos experimentais foram ao acaso com quatro repetições. A partir da dose 4,0 de ICB, há decréscimo do número de minhocas. Doses altas até 1,0 não alteram o número de minhocas adultas e de casulos de E. andrei, entretanto, o índice de multiplicação foi inferior em todos os tratamentos ICB e doses acima de 2,0 diminuíram o peso seco total. O pH foi superior nos tratamentos com ICB, e houve aumento na porcentagem de P, K e Mg em presença de minhocas. As doses estudadas no experimento 2 influenciaram negativamente o desenvolvimento aéreo e radicular das plantas. As variáveis porcentagem de germinação e índice de velocidade de emergência foram influenciadas negativamente quando em doses acima de 4,0. A análise química foliar demonstrou que todas as doses aumentaram a porcentagem dos nutrientes analisados.