Cette thèse est faite dans le cadre de l'ILC. La détermination des couplages électrofaible du quark top, est une des tâches à l'ILC. La thèse est consacrée à la mesure de l'asymétrie avant-arrière dans des paires de quark top, à 500 GeV, utilisant deux configurations de polarisation de faisceau, dans la chaîne de désintégration purement hadronique. Le quark top se désintègre à un quark b et un boson W, presque exclusivement. L'état final, qui consiste de six jets, est analysé utilisant la simulation de détecteur complète. Deux jets avec le b-tag la plus haute, sont pris comme des b jets et les quatre jets qui restent, sont utilisés pour reconstruire les Ws. L'identification des quarks top et anti-top est faite en utilisant la charge de vertex du quark b. Les précisions sur la section efficace sont aussi calculées. On trouve que l'ILC sera capable de mesurer les couplages électrofaible du quark top, avec une précision meilleur que 0.5%. Cette thèse inclut aussi une chapitre sur l'optimisation de calorimètre Électromagnétique Si-W du International Large Detector(ILD), un des deux détecteurs à l'ILC. L'ECAL d'ILD, consistera en couches alternatives de Silicium et le Tungstène, où des couches de Silicium sont des couches actives, et le Tungstène est le matériel passif. Les couches de Silicium sont divisées en 'wafer', entourées par des anneaux de protection(guard rings), pour éviter les courants de fuite. L'analyse est concentrée pour optimiser la taille d'anneau de garde. Les résultats montrent que un anneau de protection de taille jusqu'à 2mm, ne dégrades pas la performance d'ECAL gravement. La thèse est divisée en 6 chapitres. Le premier chapitre donne un résumé du Modèle Standard. Le deuxième chapitre est consacré aux aspects théoriques de la physique de quark top à l'ILC. On donne une description détaillée de l'ILD et ses sous-détecteurs dans le 3ème chapitre. Le 4ème chapitre présente les études de l'optimisation de Si-W ECAL. Le 5ème chapitre contient les détails d'analyse de production tt à ILC et la mesure de l'AFBt. Le dernier chapitre contient le résumé des résultats. / This thesis is done in the framework of the ILC. The determination of the electroweak couplings of the top quark, is one of the tasks at the ILC. The thesis is dedicated to the measurement of the Forward-backward asymmetry in top quark pairs, at 500 GeV, using two beam polarization configurations, in the fully hadronic decay channel. The top quark almost exclusively decays to a b quark and a W boson. The 6 jet final state is analyzed using full detector simulation. Two jets with highest b-tag are taken as b jets and the remaining four jets are used to reconstruct the W s. The identification of the top and anti-top quarks is done by using the vertex charge of the b quark. Precisions on the production cross sections are also calculated. This thesis also includes a chapter on the optimization of the Si-W Electromagnetic calorimeter of the International Large Detector (ILD), one of the two detectors at the ILC. The ECAL of ILD, will consist of alternate layers of Silicon and Tungsten, where Silicon layers are active layers, while Tungsten is passive material. The Silicon layers are divided into wafers, surrounded by guard rings, to avoid the leakage currents. The analysis is focused to optimize the guard ring size. The thesis is divided into 6 chapters. The first chapter gives a brief over view of the Standard Model. The second chapter is dedicated to the theoretical aspects of the top quark physics at the ILC. A detailed description of the ILD and its sub-detectors is given in the 3rd chapter. The 4th chapter presents the studies of the optimization of Si-W ECAL guard ring size. The 5th chapter contains the details of analysis of tt production at ILC, and measurement of the AFBt . The last chapter contains the summary of the results.

Les travaux de recherche présentés dans ce mémoire s'inscrivent dans le cadre du développement des techniques d'intégration de puissance SMART POWER, technologies où cohabitent sur le même substrat des composants de puissance haute tension (dans la gamme de 80V) et des composants de commande base tension de type CMOS. Nous étudions les modes de fonctionnement anormaux pendant lesquels l'isolation entre les différents blocs du circuit n'est plus assurée. Les diodes d'isolation, normalement maintenues à l'état bloqué, se retrouvent polarisées en direct ce qui se traduit par l'injection d'un important courant d'électrons dans le substrat du circuit intégré (Ie>1A). Nous détaillons d'abord les caractéristiques et les conséquences de ces courants parasites et donnons un inventaire des techniques de protection employées. Sur la base d'une compréhension physique des mécanismes mis en jeu, appuyés par des simulations numriques 2D, nous présentons deux familles de solutions permettant de protéger le circuit intégré contre ces courants de substrat. La première, dite passive, exploite au mieux la collection et la recombinaison de ces électrons, soit par des anneaux de garde, soit par des MOS de puissance isolés. La seconde dite active, agi sur la polarisation du substrat lui-même et permet, soit de détourner efficacement le courant parasite des zones sensibles, soit de maintenir la diode d'isolation à l'état bloqué. Nous avons ensuite validé ces propositions par des composants de tests spécifiques, puis caractérisé leur efficacité au sein de circuits intégrés complets, réalisés dans des technologies SmartMosTM. Nous avons ainsi obtenu des circuits intégrés dont les courants de substrat sont inférieurs à 50µA.