Since the first commercial silicon carbide (SiC) transistor was released, the interest in SiC has grown exponentially [1]. The wide energy band gap, high critical electric field and thermal conductivity of silicon carbide allow it to withstand higher voltage/current gains than conventional semiconductor materials [2]. The electrical properties of SiC enable integrated devices and circuits to operate at higher voltages and temperatures. One of the most attractive applications for SiC is in inverters for photovoltaic systems, where switching time is of great importance. This thesis presents the study of two bipolar junction transistors (BJT), FSICBH15A120 of SiC and BUV48A of conventional silicon (Si). The transistors were simulated and validated experimentally, then tested in a DC/AC pv inverter with a polycrystalline solar module of 36 solar cells as power source. The simulation results showed high efficiency and low power losses. / Sedan den första kommersiella transistorn av kiselkarbid (SiC) släpptes har intresset för SiC ökat exponentiellt [1]. Det breda energibandgapet, höga kritisk elektriska fältstyrkan och termiska ledningsförmågan i SiC gör att den klarar en högre kombination av spänning/strömförstärkning än konventionella halvledarmaterial [2]. De elektriska egenskaperna av SiC gör det möjligt för integrerade komponenter och kretsar att arbeta i högre spänningar och temperaturer. Ett av de största användningsområdena för SiC är i växelriktare för solceller, där switch-tid har stor betydelse. I detta examensarbete presenteras studien av två bipolära transistorer (BJT), FSICBH15A120 av SiC och BUV48A av konventionellt kisel (Si). Transistorerna simulerades och valideras experimentellt, och slutligen jämfördes med varandra i en DC/AC-omvandlare med en polykristallin solpanel av 36 solceller som strömkälla. Hög verkningsgrad och låga energiförluster påvisades.