La chimie organométallique de surface (COMS) est une technique utilisée pour concevoir des catalyseurs structurellement bien définis. Elle a été employée ici pour établir les fondements de la COMS sur des supports photoactifs. L’oxyde de titane, TiO2 à savoir l’anatase a été utilisé comme support photo-catalytique en raison de sa haute stabilité, photo-activité and non toxicité. La nature chimique et la densité des sites réactifs de surface ont été établies. Un complexe de Ta bien connu de la littérature a été utilisé pour mener les premières études d’interaction entre la surface et le complexe organométallique. Les résultats ont permis d’observer le greffage organométallique couplé à des mécanismes transfert de charge métal sur métal, en route vers des photo-catalyseurs bien définis / Surface organometallic chemistry (SOMC) is used to design well-defined catalysts. It has been employed here to lay the foundation of SOMC on photocatalytic support, a previously little if any explored area. TiO2 anatase was used as the photocatalytic support due to its high stability, photoactivity and nontoxicity. The chemical nature and the surface density of the reactive moieties found on anatase support has been determined. A Ta complex, well-known in literature, was used to conduct the first principal studies regarding the interaction between the surface and the organometallic complex. The results provide solid insights into organometallic grafting and metal to metal charge transfer mechanisms for developing well-defined photocatalysts by SOMC

> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d’une> technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques> combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d’apporter des explications sur des phénomènes> liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l’impact de ces> aspects sur les paramètres électrique ainsi que les paramètres de transport." / This manuscript presents a theoretical and experimental study carried out on advanced technology the FD SOI MOSFETs (Fully Depleted Silicon On Insulator MOSFET’s). Electrical measurements combined with modeling were performed with an aim of bringing explanations of phenomena related to the dimension reduction in these structures. This work gives an answer of the impact of these aspects on the electrical parameters and on the carriers transport in the channel.

Résumé confidentiel / Résumé confidentiel

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