Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade UnB Planaltina, Programa de Pós-Graduação em Ciência de Materiais, 2015. / Submitted by Tania Milca Carvalho Malheiros (tania@bce.unb.br) on 2015-11-23T17:03:53Z No. of bitstreams: 1 2015_LucasRangelThomas.pdf: 1678275 bytes, checksum: a2abc9937d70e20ec0273a467f7d3f90 (MD5) / Approved for entry into archive by Marília Freitas(marilia@bce.unb.br) on 2016-01-26T12:09:00Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2015_LucasRangelThomas.pdf: 1678275 bytes, checksum: a2abc9937d70e20ec0273a467f7d3f90 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-01-26T12:09:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2015_LucasRangelThomas.pdf: 1678275 bytes, checksum: a2abc9937d70e20ec0273a467f7d3f90 (MD5) / O objetivo deste trabalho é estudar as transições de fase metal-isolante geradas pela interação spin-órbita de Rashba e potencial químico modulados por um campo elétrico externo aplicado a um fio quântico. Utilizamos de métodos numéricos de diagonalização de matrizes para obter as autoenergias e autoestados que descrevem o sistema. Analisando o espectro de energias, observamos o aparecimento de gaps estruturais nas fronteiras das zonas de Brillouin reduzidas do sistema. Através do controle do preenchimento da rede, é possível promover transições de fase metal-isolante percorrendo as bandas de energia e, com isso, produzir uma chave de corrente baseada no grau de liberdade de spin dos elétrons. A análise dos autoestados mostrou a presença de ondas de densidade de carga e a inversão de spin, consistentes com a fenomenologia inferida a partir do estudo das autoenergias. A investigação do efeito do número de onda da modulação externa sobre o espectro de energias revelou a formação de padrões fractais conhecidos como borboletas de Hofstadter. Realizamos um estudo de caso com dados experimentais para um fio formado em um poço quântico de InAs a fim de verificar a viabilidade prática do dispositivo proposto. ______________________________________________________________________________ ABSTRACT / The goal of the present work is to study the metal-insulator phase transistion in a quantum wire driven by a Rashba spin-orbit interaction and a chemical potential, when both are modulated by an external eletric array. We use numerical methods to diagonalize the Hamiltonian matrix in order to obtain the eigenenergies and eigenvalues of our system. From analyzing the energy spectrum we observe that multiple structural gaps arise at the boarders of the system’s reduced Brillouin zones. Through an external control of the band filling, the system can be carried along the energy bands, undergoing a metal-insulator phase transitions across the gaps. Since this transition relies on the presence of the Rashba spin-orbit interaction, it can be viewed as a current switch based on the electron spin degree of freedom. The analysis of the eigenstates reveals charge density waves and spin flip, in agreement with the phenomenology inferred from the spectrum. An investigation of the effect of the external modulation wave number on the eigenenergies spectrum uncovers fractal patterns known as Hofstadter butterflies. We present a case study with experimental data for a wire structured in a InAs quantum well in order to verify the practical viability of the proposed device.

Tese (doutorado)—Universidade de Brasília, Instituto de Física, 2007. / Submitted by Kathryn Cardim Araujo (kathryn.cardim@gmail.com) on 2009-12-14T15:24:15Z No. of bitstreams: 1 Tese_Bernhard Georg.pdf: 4096000 bytes, checksum: 95080e359c6a1b996775d39e5612e8bb (MD5) / Rejected by Joanita Pereira(joanita), reason: Favor adicionar abstract. Att. Joanita on 2009-12-23T17:51:55Z (GMT) / Submitted by Kathryn Cardim Araujo (kathryn.cardim@gmail.com) on 2010-02-05T15:14:24Z No. of bitstreams: 1 Tese_Bernhard Georg.pdf: 4096000 bytes, checksum: 95080e359c6a1b996775d39e5612e8bb (MD5) / Approved for entry into archive by Lucila Saraiva(lucilasaraiva1@gmail.com) on 2010-02-05T21:39:21Z (GMT) No. of bitstreams: 1 Tese_Bernhard Georg.pdf: 4096000 bytes, checksum: 95080e359c6a1b996775d39e5612e8bb (MD5) / Made available in DSpace on 2010-02-05T21:39:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tese_Bernhard Georg.pdf: 4096000 bytes, checksum: 95080e359c6a1b996775d39e5612e8bb (MD5) Previous issue date: 2007 / Realizamos estudo sistemático da influência de dois campos de laser intenso linearmente polarizados, em configuração cruzada, nos níveis de energia do elétron e na densidade de estados em poços quânticos de GaAs/AlGaAs. Mostramos que tanto o padrão de confinamento dos portadores de carga quanto a densidade de estados são modificados pela aplicação dos campos. Para radiações intensas de laser polarizado na direção de crescimento da heteroestrutura semicondutora, apenas o perfil da banda de condução é modificado, induzindo fortes desvios para o azul nos níveis de energia que dependem monotonicamente da intensidade e da freqüência do laser, além disso, detectamos que tais desvios são mais pronunciados nos níveis de energia mais altos. Por outro lado, polarizações paralelas ao plano das heterointerfaces produzem alterações na densidade de estados, mudando seu perfil suavemente em função da intensidade e freqüência do laser aplicado, o que sugere um interessante mecanismo de regulagem do laser que pode ser utilizado na prática para ajustar as propriedades ópticas e de transporte de dispositivos semicondutores de baixa dimensionalidade sob ação de laser. Na ausência de campos, investigamos a influência do perfil não-abrupto de dopagem na densidade do gás de elétrons bidimensional em poços quânticos de GaAs/AlGaAs com interfaces graduais e dopagem modulada em uma das barreiras. Um método de discretização própria para malhas não-uniformes foi proposto a fim de resolver as equações acopladas de Schrödinger e Poisson de maneira autoconsistente. Observamos, para esse sistema, um aumento significante na densidade bidimensional dos portadores de carga em função do tamanho de difusão dos doadores, apontando assim a provável causa para os baixos valores encontrados em outros trabalhos nos quais um perfil gradual de dopagem não foi considerado. Verificamos ainda que o aumento da largura do espaçador, que separa os portadores de carga das impurezas residuais, diminui o efeito da dopagem gradual no processo de transferência de carga. Analisamos também o efeito dos campos elétricos internos e das interfaces graduais no perfil da banda de condução e nas energias de transição intersubbanda para poços quânticos de GaN/AlGaN com estrutura wurtzita. Identificamos, mais uma vez, a presença de desvios para azul induzidos pelos campos intensos de polarização bem como pelas interfaces graduais. Enquanto o efeito das polarizações piezoelétrica e espontânea é mais acentuado em poços quânticos mais largos, o efeito produzido pelas interfaces graduais é mais pronunciado para poços mais estreitos, indicando a grande importância desse último efeito em nanodispositivos semicondutores. Um aumento significativo na densidade bidimensional dos portadores de carga em função do tamanho de difusão dos doadores também foi encontrado para poços de GaN/AlGaN com dopagem modulada. ________________________________________________________________________________________ ABSTRACT / A systematic study on the influence of two intense, linearly polarized, nonresonant laser fields, in a crossed configuration, on the electron energy levels and density of states in GaAs/AlGaAs quantum wells is performed. The carrier confinement pattern and the density of states are shown to be modified by the laser beams. For laser field polarizations parallel to the growth direction only the conduction band profile is changed, inducing strong blueshifts on energy levels which depend monotonically on both the laser intensity and frequency, besides, we detected that such blueshifts are larger for higher energy levels. On the other hand, for in-plane polarizations only the density of states is altered, changing its profile smoothly in function of the applied laser intensity and frequency, which suggests an interesting laser tuning mechanism that can be used to adjust the optical and transport properties of low-dimensional semiconductor devices under intense laser fields. In the absence of laser fields, we investigated the influence of non-abrupt doping profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaAs/AlGaAs graded quantum wells. A proper discretization method for non-uniform meshes was proposed in order to solve the coupled Schrödinger and Poisson equations self-consistently. We noted, for this quantum system, a significant increase in the electron sheet density in function of the donors diffusion length, pointing, therefore, the probable cause for the underestimations in the two-dimensional electron gas density verified in previous works based upon the abrupt doping profile. We also found that the effect of the non-abruptness on the charge transfer is diminished by the increase of spacer layer thickness, which separates the carriers from the remote donors. The effects of internal electric fields and graded interfaces on the conduction band profile and on the energies of intersubband transitions for GaN/AlGaN quantum wells with wurtzite structure were also analyzed. Once more, the presence of blueshifts induced by intrinsic polarization electric fields and by graded interfaces was identified. While the effect of piezoelectric and spontaneous polarizations is more pronounced for larger quantum wells, the effect produced by the graded interfaces is more pronounced for narrow quantum wells, indicating the great importance of this latter effect on semiconductor nanodevices. A significant increase in the electron sheet density in function of the donors diffusion length was also found for modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells.

Orientadores: Jose Wilson Magalhães Bassani, Rosana Almada Bassani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-04T00:11:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_PedroXavierde_M.pdf: 1426071 bytes, checksum: f3d03db27bfdb7a26a3b8866fb1b3fcd (MD5) Previous issue date: 2004 / Mestrado / Engenharia Biomadica / Mestre em Engenharia Elétrica

Made available in DSpace on 2016-08-29T15:32:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 tese_2733_DissertacaoMestradoThomasRodriguesBotelho.pdf: 16335854 bytes, checksum: 4ad162aba238edaa852506a4050bfe3a (MD5) Previous issue date: 2008-04-25 / O aumento das comunicações sem fio, principalmente telefonia celular, acarretando um aumento do número de Estações Rádio-Base (ERB) próximas à residências e/ou áreas densamente povoadas, gerou no mundo inteiro preocupação sobre os efeitos da radiação não ionizante nos seres humanos. Tal preocupação, e estudos nesta área levaram a criação de uma regulamentação para limites de exposição a campos eletromagnéticos na faixa de rádio-freqüência pela Anatel (Agência Nacional de Telecomunicações). A resolução 303/2002 traz toda a regulamentação como limites de intensidade de campo, métodos de medições, etc. para que possa haver uma precaução contra possíveis futuros danos à saúde humana. A regulamentação com os limites de intensidade de campo é baseada na utilização de medidores de intensidade de campo calibrados por laboratórios acreditados junto a Anatel. Assim, como não havia tecnologia nacional para a construção de tais medidores, esta dissertação se propõe em parceria com o CPqD apresentar novas formas de construção do sensor de rádiofreqüência com técnicas de filme espesso, visando um baixo custo com o objetivo de difundir a fiscalização dos níveis de radiação não ionizante. Portanto essa dissertação apresenta o desenvolvimento desse sensor e eletrônica associada ao mesmo, além dos resultados obtidos em testes práticos e através de simulações usando o método dos elementos finitos mostrando que o mesmo funciona como o esperado.

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2008. / Submitted by Thaíza da Silva Santos (thaiza28@hotmail.com) on 2010-02-27T13:21:30Z No. of bitstreams: 1 Dissert_KatiaCristinaBLMelo.pdf: 1770951 bytes, checksum: ce67e59c63431aab75d29ba1bb17578f (MD5) / Approved for entry into archive by Lucila Saraiva(lucilasaraiva1@gmail.com) on 2010-03-02T00:48:12Z (GMT) No. of bitstreams: 1 Dissert_KatiaCristinaBLMelo.pdf: 1770951 bytes, checksum: ce67e59c63431aab75d29ba1bb17578f (MD5) / Made available in DSpace on 2010-03-02T00:48:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dissert_KatiaCristinaBLMelo.pdf: 1770951 bytes, checksum: ce67e59c63431aab75d29ba1bb17578f (MD5) Previous issue date: 2008-02-15 / O presente trabalho propõe um simulador de rede neural capaz de predizer a intensidade do campo elétrico de uma onda de superfície, a partir de algumas características físicas do ambiente de propagação. Para o treinamento da rede, foram utilizados dados coletados na região central do Brasil, próximo à cidade de Brasília, consistindo de um sinal de rádio AM transmitido na freqüência de 980 kHz. Inicialmente, apresenta-se um resumo teórico sobre os dois assuntos centrais da pesquisa: propagação de ondas de rádio e redes neurais. Em seguida, especifica-se o projeto da rede neural, incluindo o detalhamento da arquitetura dessa rede e a descrição do processo de tratamento dos dados utilizados no treinamento e na validação da rede neural. Na busca por um resultado satisfatório, foram desenvolvidas três redes neurais distintas. Com o objetivo de validar a eficiência e a aplicabilidade de cada uma das redes neurais projetadas, os resultados obtidos foram comparados com os valores medidos de campo elétrico nessa região e também com valores teóricos obtidos segundo as orientações fornecidas pela recomendação ITU-R P.368-7. Os resultados encontrados neste trabalho validam o uso do simulador projetado como uma ferramenta prática para o projeto de novos sistemas de comunicação, bem como no planejamento dos futuros sistemas digitais de rádio. _________________________________________________________________________________________ ABSTRACT / The purpose of the current work is to create a neural network simulator capable of predicting the electric field intensity of a surface wave, from some physical characteristics of the propagation environment. For the network training, it was used data collected on the central region of Brazil, near the Brasília city, consisting of an AM radio signal transmitted at 980 kHz frequency. Initially, it is presented a brief theoretical review of the two major topics of this research: radio wave propagation and neural networks. Next, it specifies the neural network project, including details of the network architecture and description of the data treatment process used on the neural networking training and validation. Aiming for a satisfactory result, three distinct neural networks were built. In order to validate the efficiency and applicability of each designed network, its obtained results were compared with the measured electric field values for the region, and with the theoretical electric field values obtained by following the ITU-R P.368-7 prescriptions. The results obtained in this work validate the use of the designed simulator as a practical tool for new communications systems projects, including the future digital radio project.

Orientador: Cesar Costapinto Santana / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-24T20:48:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mendes_ElisabeteScolin_D.pdf: 5092257 bytes, checksum: b3bd732de2a3cf3e5766c8b2e9112964 (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Fluidos eletroreológicos (ER) são substâncias que mudam suas propriedades óticas, elétricas, volumétricas, acústicas e mecânicas na presença de um campo elétrico esteno. Estes fluidos são formados por partículas finas de materiais orgânicos ou inorgânicos em líquidos dielétricos e têm grande aplicação aeronáutica, medicina e com fluidos de vedação. Sob a influência do campo elétrico, as partículas destes fluídos se alinham, formam uma estrutura de filamento na direção do campo, a qual resiste ao escoamento do fluido ER. Neste trabalho sintetizou-se o sólido sulfato de hidrazina ¿ liito e analisou-se as características elétricas e reológicas da suspensão eletroreológica sulfato de hidrazina-litio em óleo de silicone. Os resultados experimentais foram obtidos para os diversos parâmetros: temperatura (20,40,60 graus Celsius), intensidade de campo elétrico (0 até 7 kilovolts por milímitro), diâmetro de partículas (menores que 37, 62,5 e 89,5 microns), a fração em peso de sólidos (20,30,35 por cento em peso), viscosidade cinimática do óleo de silicone (200, 350 e 1000 centiStokes). As propriedades reológicas das diferentes suspensões foram determinadas em vum reomatro rotatório Haake modelo RV20 com um sistema de medida CV20ER equipado com um fonte de alta tenção. As suspensões estudadas exibiram fortes variações de suas características reológicas de fluido não newtoniano sob ação do campo elétrico, de acordo com fenômeno reportado na literatura ...Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: Eletro-rheological fluids (ER) are substances that have their optical, electrical volumetric, acoustic and mechanic properties altered when in presence of na external electrical field. These fluids are compesed by fine particles of organic and inorganic material in di-electrical liquids and have a large application in the automotive industry, hydraulic industry, robots industry, aeronautic, medicine and as seal fluid. Under the influence of an electrical fied, the particles of these fluids are lined up, generating a structure aligned in the field direction. This structure reduces the ER fluid flowing capacity. In this work, lithium hydrazinium sulfate solid was synthesized. The electrical and rheological characteristics of the eletro-rheological suspension of the lithium hidrazinium sulfate in silicon oil were analysed. Experimental results were obtained for the following parameters: temperature (20,40,60 degrees Celsius), electrical field intensity (from 0 to 7 kilovolts per milimetre), particles diameters (smaller than 37, 62,5 e 89,5 micro), solid weight percent (20,30,35 percent in weight), silicone oil kinematic viscosity (200,350 and 1000 centistokes). The rheological properties of the different suspensions were determined in a rotatory rheometer Haake model RV 20 with a measurement system CV20ER, including a high power supply. The analysed suspension showed strong variations of their non-Newtonian rheological characteristics under the electrical field, according to what reported in the previous literature ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Doutorado / Engenharia de Processos / Doutor em Engenharia Química

Orientador: Roberto Luzzi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T07:10:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Freire_ValderNogueira_D.pdf: 3348034 bytes, checksum: c6ea9fcdedfefc9538669e8332947930 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Utilizando uma Teoria Não-linear de Transporte obtido do operador estatístico de não-equilibrio de Zubarev, obtém-se as equações que governam a evolução do estado de não-equilibrio de semicondutores polares de gap direto altamente fotoexcitados submetidos a intensos campos elétricos contínuos. É demonstrada a possibilidade de existência de três diferentes tipos de comportamento dos transientes rápidos da mobilidade: (i) estrutura (i.e. existência de máximos e mínimos) sem overshoot em campos baixos, (ii) estrutura com overshoot em campos intermediários, (iii) evolução normal (nenhuma estrutura) em campos intensos. Um critério para existência destes transientes ultra-rápidos é deduzido e cálculos numéricos apropriados ao problema de transporte portadores no vale central do GaAs são efetuados, indicando condições para a sua confirmação experimental / Abstract: Using a Nonlinear Transport Theory derived from the nonequilibrium statistical operator in Zubarev's approach, the equations that govern the evolution of the nonequilibrium state of a highly photoexcited direct-gap polar semiconductor submitted to high electric DC fields is obtained. It is demonstrated the possibility of the existence of three differentiated types of behaviour of the ultrafast mobility transient: (i) structure (i.e. existence of maxima and minima) without overshoot at low fields, (ii) structure with overshoot at intermediate fields, (iii) normal evolution (no structure) at high fields. A criterion for the occurrence of this structured ultrafast mobility transient is established, and numerical calculations appropriated for carriers transport in the central valley of GaAs are performed, showing conditions for its realization / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Isoshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-16T03:43:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 PissolatoFilho_Jose_M.pdf: 2683906 bytes, checksum: 9e1b7bd7f82e04335e2b628f9abe82f9 (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Neste trabalho é feito um estudo do fator de aproveitamento de uma configuração esfera-placa, utilizando-se corno meio de isolação ar-sólido. O campo elétrico é determinado numericamente pelo método de simulação de cargas. É realizada também uma verificação experimental do mesmo a partir da medição da tensão de início de corona / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Fernando Galembeck / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-17T18:15:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zaniquelli_MariaElisabeteDarbello_D.pdf: 9038464 bytes, checksum: 7df8cce27eaa62c67b5046fe8652f8f8 (MD5) Previous issue date: 1987 / Doutorado

Orientador: Jose Antonio Sanjurjo / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-26T22:59:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Martinho_HerculanodaSilva_M.pdf: 864116 bytes, checksum: a06cec1289cc0839e3a5011bf62981f5 (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: Nesta dissertação, abordaremos dois sistemas bastante atuais no contexto da fí sica do estado sólido, que são os borocarbetos quaternários supercondutores RNi2B2C (R=Lu, Tm, Er), juntamente com o férmion pesado desta família YbNi2B2C e o composto de referência Gd2CuO4 da família 214 dos supercondutores de alta temperatura crítica R2-xMxCuO4 ( R=Pr, Nd, Sm, Eu e M= Ce ou Th). Para os borocarbetos, analisamos o comportamento dos fônons B1g e A1g com a temperatura e observamos que estes modos não apresentam qualquer efeito de renormalização próximo a temperatura de transição supercondutora e em nenhuma outra temperatura. Já o espalhamento Raman por excitações eletrônicas no composto ErNi2B2C, permitiu estudar excitações de campo cristalino envolvendo transições no multipleto do estado fundamental da terra-rara Er3+ . Com os valores obtidos para as energias das transições, pudemos ajustar os dados de calor especí fico e obter as energias dos outros estados não observados por Raman. Para o composto Gd2CuO4 , pudemos observar interessante relação entre aparecimento de picos Raman anômalos e ordenamento ferromagnético fraco ("weak ferromagnetism") acima da temperatura de Nèel, que é um fato bastante raro. Baseado nos experimentos de espalhamento Raman, magnetização e ainda resultados de difração de nêutrons publicados na literatura, foi possí vel esclarecer a natureza e a origem destes modos, bem como relaciona-los ao ferromagnetismo fraco. A importância deste estudo está no fato de que vários trabalhos descritos na literatura, indicam que a existência destes efeitos está relacionada à supressão da supercondutividade para os compostos da familia para R acima do Eu na série das terras raras / Abstract: In this dissertation, we study two very prominent systems in the solid state physics: the borocarbide quaternary intermetalic superconductors RNi2B2C (R=Lu, Tm, Er), jointly with the heavy fermion YbNi2B2C, and the 214 high Tc superconductor family R2-xMx CuO4 (R=Pr, Nd, Sm, Eu and M= Ce or Th) reference compound Gd2CuO4 . For the borocarbides we analyze the temperature behavior of the B1g and A1g phonons and we observe that these modes do not exhibit any renormalization effect on the onset of the superconductivity. On the other side, the electronic Raman scattering in the ErNi2B2C, allow us to study the electronic transitions between the ground state and two other energy levels of the multiplet of the fundamental level of the Er 3+ ions, at 46 and 145 cm-1 . Using these energies values we fit the specific heat data and obtain the others energies of the multiplet. For the Gd2 CuO4 compound, we observe the appearance of two forbidden Raman modes (fRm) and weak ferromagnetism, which survive well above TN, a very rare fact. Raman scattering, magnetic and recent diffraction neutron data enable us to clarify the origin of the fRm and WF. These results are important because several articles in the literature relate the WF and fRm appearance to the superconductivity suppression in the 214 family for R above Eu in the rare-earths series / Mestrado / Física / Mestre em Física