Zn redukcija iš šarminių elektrolitų vyksta per tarpinę oksido/hidroksido fazės susidarymo stadiją. Dalis oksidinių junginių gali būti neredukuojami, todėl terptis į metalinę dangą. Impulsinės elektrolizės taikymas Zn dangų nusodinimui yra vienas iš būdų modifikuoti metalo struktūrą ir tuo pačiu pagerinti dangų korozinį atsparumą. Nemetalinių intarpų kiekis impulsine elektrolize nusodintose Zn ir jo lydinių dangose nėra tyrinėtas. Nemetalinių intarpų kiekis buvo nustatytas dangų anodinio tirpinimo Na2SO4 + Na2 EDTA tirpale ir Rentgeno fotoelektronų spektroskopijos metodais. Nustatyta, kad oksidinių intarpų kiekis impulsine elektrolize nusodintose Zn ir Zn-Ni dangose buvo didesnis, lyginant su nuolatinės srovės dangomis, taip pat į Zn dangas, lyginant su lydinių, įsiterpia daugiau oksidinių junginių. Nuolatine srove nusodintose Zn dangose ZnO kiekis yra didesnis už Zn(OH)2, tačiau impulsinė elektrolizės taikymas didina hidroksido kiekį dangoje. Nuolatine srove nusodintose Zn-Ni dangose oksido ir hidroksido intarpų kiekiai yra panašūs, tuo tarpu impulsinė elektrolizė ženkliai padidina hidroksido kiekį dangoje. / Electrodeposition process of Zn in alkaline solutions occurs through oxide/hydroxide phase formation, which under certain conditions could not be totally reduced and therefore formation of non metallic (oxide/hydroxide) inclusions can take place. Pulse plating of metal coatings is widely used as the method for metal structure modification in order to enhance the corrosion resistance of Zn and Zn alloy coatings, however the amount of inclusions in pulse plated Zn and Zn-Ni coatings was not investigated up to date. The amount of non-metallic inclusions was determined from anodic dissolution curves, obtained in Na2SO4 + Na2 EDTA solution and from X-ray photoelectron analysis of the sample surfaces after Ar ion sputtering. The amount of the oxide phase in Zn and Zn-Ni coatings was determined to be higher in the pulse plated coatings with respect to direct current ones, while in Zn coatings this amount was also higher with respect to the alloy. The amount of ZnO in the inclusions of direct current plated Zn coatings is higher than that of Zn(OH)2, however, application of pulse deposition increases the amount of the latter compound. Oxide and hydroxide amounts in the direct current plated Zn-Ni coatings are similar, meanwhile, the pulse plating increases significantly the amount of hydroxide phase.

Darbe analizuojami ZnS ploni sluoksniai, gauti vakuuminio garinimo būdu. Tyrimai atliekami skenuojančio zondo mikroskopijos metodu. Ištirta plonų sluoksnių paviršiaus struktūra ir įvertintas gamybos metodo kokybiškumas. Išmatavus srovių priklausomybes nuo įtampų, esant skirtingoms bandinio temperatūroms, sudarytos voltamperines charakteristikos (VACh), tokiu būdu nustatytas ZnS plėvelės laidumo mechanizmas. Įvertinta aktyvacijos energija (lygi 0,64 eV). Nustatyta, kad srovę tiriamoje struktūroje sąlygoja elektronų tuneliniai šuoliai iš paviršinių puslaidininkio būsenų dalyvaujant fononams. Remiantis gautais duomenimis galima teigti, kad vakuuminio garinimo metodu gauti ZnS sluoksniai pasižymi dideliais paviršiaus netolygumais. / The paper analyzes the ZnS thin films obtained by vacuum evaporation. Research carried out by scanning probe microscopy. The structure of thin layers surface is investigated and the quality of the production method is assessed. Measuring the voltage dependence of currents at different sample temperatures concluded voltage characteristics (VACh), thus the conduction mechanism of ZnS films was determined. Estimated thermal activation energy is 0.64 eV. It was found that the electrical current of the investigated structure is determined by tunneled electron jumps from the semiconductor surface states in the presence of phonons. Experiments results show that the ZnS layers produced by vacuum evaporation method are characterized by large surface irregularities.

In doctoral dissertation, results of investigation on zinc oxide based semiconductor layers and heterostructures for application in optoelectronics by spectroscopy methods are presented. High quality zinc oxide layers and heterostructures were characterized optically. That is ZnO, ZnO:Ga and MgZnO epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy technique, ZnO:N layers grown by magnetron sputtering method, CdZnO/ZnO quantum wells structures for light-emitting diodes grown on GaN layers by combined molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition techniques. In this work, new data on dynamics and interaction of photoexcited carriers in zinc oxide based structures were acquired. It was shown, that the contribution of impurities bound excitons in the inelastic interaction of free excitons influences the position of luminescence band of the interaction in spectrum. In MgZnO epitaxial layers, the localization of carriers in the field of two different localization centers is described. Due to the localization the radiative recombination efficiency increases significantly and it has importance for application in optoelectronic devices. Investigation of the CdZnO/ZnO quantum wells structures for green spectral range light-emitting diodes showed that low radiative recombination efficiency at room temperature is mainly due to weak carrier localization effect, which is responsible for high efficiency of conventional InGaN/GaN quantum wells structures. / Daktaro disertacijoje pristatomi cinko oksido pagrindu užaugintų puslaidininkinių sluoksnių ir jų įvairialyčių darinių, skirtų taikymams optoelektronikoje, tyrimų rezultatai spektroskopijos metodais. Optiškai charakterizuoti aukštos kokybės cinko oksido sluoksniai ir jų įvairialyčiai dariniai: ZnO, ZnO:Ga ir MgZnO epitaksiniai sluoksniai, auginti molekulinės epitaksijos būdu, ZnO:N sluoksniai, auginti magnetroninio dulkinimo būdu, šviesos diodams paruošti CdZnO/ZnO kvantinių duobių dariniai ant GaN sluoksnių, auginti apjungiant molekulinės epitaksijos ir cheminio metaloorganinio junginio nusodinimo iš dujinės fazės auginimo metodus. Šiame darbe surinkta naujų duomenų apie fotosužadintų krūvininkų dinamiką ir sąveiką cinko oksido dariniuose. Nustatyta, kad netamprioje laisvų eksitonų sąveikoje dalyvaujantys prie priemaišų pririšti eksitonai įtakoja sąveikos liuminescencijos juostos padėtį spektre. Aprašyta krūvininkų lokalizacija MgZnO epitaksiniuose sluoksniuose dviejų skirtungų lokalizacijos centrų lauke. Dėl to žymiai padidėja spindulinės rekombinacijos efektyvumas, kas turi didelės svarbos taikymams optoelektronikos prietaisams. CdZnO/ZnO kvantinių duobių darinių, skirtų žalios spektro srities šviesos diodams, tyrimai parodė, kad mažas spindulinės rekombinacijos efektyvumas kambario temperatūroje yra dėl ženkliai silpnesnio krūvninkų lokalizacijos efekto, kuris užtikrina didelį efektyvumą įprastuose InGaN/GaN kvantinių duobių dariniuose.

Daktaro disertacijoje pristatomi cinko oksido pagrindu užaugintų puslaidininkinių sluoksnių ir jų įvairialyčių darinių, skirtų taikymams optoelektronikoje, tyrimų rezultatai spektroskopijos metodais. Optiškai charakterizuoti aukštos kokybės cinko oksido sluoksniai ir jų įvairialyčiai dariniai: ZnO, ZnO:Ga ir MgZnO epitaksiniai sluoksniai, auginti molekulinės epitaksijos būdu, ZnO:N sluoksniai, auginti magnetroninio dulkinimo būdu, šviesos diodams paruošti CdZnO/ZnO kvantinių duobių dariniai ant GaN sluoksnių, auginti apjungiant molekulinės epitaksijos ir cheminio metaloorganinio junginio nusodinimo iš dujinės fazės auginimo metodus. Šiame darbe surinkta naujų duomenų apie fotosužadintų krūvininkų dinamiką ir sąveiką cinko oksido dariniuose. Nustatyta, kad netamprioje laisvų eksitonų sąveikoje dalyvaujantys prie priemaišų pririšti eksitonai įtakoja sąveikos liuminescencijos juostos padėtį spektre. Aprašyta krūvininkų lokalizacija MgZnO epitaksiniuose sluoksniuose dviejų skirtungų lokalizacijos centrų lauke. Dėl to žymiai padidėja spindulinės rekombinacijos efektyvumas, kas turi didelės svarbos taikymams optoelektronikos prietaisams. CdZnO/ZnO kvantinių duobių darinių, skirtų žalios spektro srities šviesos diodams, tyrimai parodė, kad mažas spindulinės rekombinacijos efektyvumas kambario temperatūroje yra dėl ženkliai silpnesnio krūvninkų lokalizacijos efekto, kuris užtikrina didelį efektyvumą įprastuose InGaN/GaN kvantinių duobių dariniuose. / In doctoral dissertation, results of investigation on zinc oxide based semiconductor layers and heterostructures for application in optoelectronics by spectroscopy methods are presented. High quality zinc oxide layers and heterostructures were characterized optically. That is ZnO, ZnO:Ga and MgZnO epitaxial layers grown by molecular beam epitaxy technique, ZnO:N layers grown by magnetron sputtering method, CdZnO/ZnO quantum wells structures for light-emitting diodes grown on GaN layers by combined molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition techniques. In this work, new data on dynamics and interaction of photoexcited carriers in zinc oxide based structures were acquired. It was shown, that the contribution of impurities bound excitons in the inelastic interaction of free excitons influences the position of luminescence band of the interaction in spectrum. In MgZnO epitaxial layers, the localization of carriers in the field of two different localization centers is described. Due to the localization the radiative recombination efficiency increases significantly and it has importance for application in optoelectronic devices. Investigation of the CdZnO/ZnO quantum wells structures for green spectral range light-emitting diodes showed that low radiative recombination efficiency at room temperature is mainly due to weak carrier localization effect, which is responsible for high efficiency of conventional InGaN/GaN quantum wells structures.

1. ŽODYNAS, SIMBOLIAI IR SANTRUMPOS Alopecia – alopecija, plaukų iškritimas, jų netekimas, slinkimas, plikimas, plikumas, plikis Alopecia areata – lizdinis, židininis plaukuotosios galvos dalies ar kitų kūno vietų (blakstienų, antakių, gaktos, pažastų ir kt.) plaukų iškritimas, plikimas Alopecia barbae – vyrų barzdos ir ūsų plikimas Alopecia diffusa – difuzinis, išsklaidytas plikimas Alopecia totalis – visų galvos plaukų netekimas, plikumas, plikis Alopecia universalis – visiškas ar dalinis galvos plaukų netekimas, lydimas dalinio ar visiško kitų kūno vietų plaukų iškritimo; plikumas, plikis Anti–TPO – antitiroidiniai mikrosominiai antikūniai Ca – kalcis Ca2+ – dvivalentis kalcis Cd – kadmis Cr – chromas Cu – varis ENG – eritrocitų nusėdimo greitis FT4 – laisvas tiroksinas Hg – gyvsidabris KMU – Kauno medicinos universitetas Me – mikroelementas Mg – magnis Mn – manganas P – fosforas Pb – švinas PSO – Pasaulinė sveikatos apsaugos organizacija PTH – parathormonas SD – standartinė paklaida TSH – tirostimuliuojantis hormonas Zn – cinkas 2. ĮŽANGA Alopecija yra nepiktybinis, uždegiminis, autoimuninis ir labai neprognozuojamas žmonių ir gyvūnų plaukų slinkimas ir plikimas. Manoma, kad iki 2 proc. visos žmonijos populiacijos gali bent kartą gyvenime nuplikti ar slinkti plaukai (Barahamani ir kt. 2002, Sahn 1995). Galimas galvos, antakių, blakstienų, barzdos ar kitų plaukuotų kūno vietų plaukų slinkimas ar plikimas. Šia liga gali sirgti įvairaus amžiaus abiejų lyčių visų... [to full text]