Dissertação (mestrado)—Universidade Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2012. / Submitted by Gabriela Botelho (gabrielabotelho@bce.unb.br) on 2012-07-11T17:06:40Z No. of bitstreams: 1 2012_BiancaMariaSalatielMatosdeAlmeida.pdf: 5702440 bytes, checksum: a831e4b13210257250ff43ae1b710386 (MD5) / Approved for entry into archive by Jaqueline Ferreira de Souza(jaquefs.braz@gmail.com) on 2012-07-13T11:54:45Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2012_BiancaMariaSalatielMatosdeAlmeida.pdf: 5702440 bytes, checksum: a831e4b13210257250ff43ae1b710386 (MD5) / Made available in DSpace on 2012-07-13T11:54:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2012_BiancaMariaSalatielMatosdeAlmeida.pdf: 5702440 bytes, checksum: a831e4b13210257250ff43ae1b710386 (MD5) / O objetivo desta dissertação é realizar um estudo exploratório de circuitos mono-elétron básicos já apresentados na literatura, com a proposta de novos redimensionamentos para seus parâmetros visando à validação da operação em temperatura ambiente por simulação. Dessa maneira, serão analisados os comportamentos estáticos e dinâmicos, juntamente com os diagramas de estabilidade para cada circuito. Como produto final desse trabalho de pesquisa, será proposta a arquitetura de uma nova memória associativa nanoeletrônica, concebida a partir da possibilidade de utilização dos circuitos básicos que serão apresentados. Para essa memória, também serão realizadas as análises supracitadas a fim de se caracterizar o seu funcionamento e identificar as potencialidades de sua utilização em aplicações futuras. _________________________________________________________________________ ABSTRACT / The aim of this exploratory study is to investigate some single-electron circuits which have already been presented in literature and propose new parameters for each of them, when necessary, in order to obtain operation at room temperature. In addition, static and dynamic performances and also their stability plots are evaluated. As a result of the interconnection between the basic single-electron circuits first analyzed, the architecture of a new nanoelectronic associative memory is proposed. Its static and dynamic performance, as well as its stability plot, was also evaluated.

Made available in DSpace on 2014-06-12T18:07:02Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7806_1.pdf: 5021113 bytes, checksum: 47017b83f97c3a045c16faf07b95ca10 (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2005 / Circuitos eletrônicos não-lineares simples podem apresentar comportamento caótico para determinados valores de parâmetros, como a freqüência ou a amplitude do sinal de entrada. Estudamos este sistema teórica e experimentalmente. Construímos um circuito com um resistor, um indutor e um diodo ligados em série e excitados por uma fonte externa de tensão. Capturamos séries temporais deste sistema e construímos diagramas de bifurcação, que apresentam cascata de dobramento de período, janelas periódicas e transição intermitente, sendo esta última uma das possíveis rotas para o caos. Também a partir destas series construímos mapas de retorno dos máximos locais e verificamos a existência de intermitência do tipo-I neste circuito. O expoente crítico previsto teoricamente para a média das fases laminares foi encontrado tanto no experimento quanto no modelo matemático usado para descrever o circuito

Orientador: Aparecido Augusto de Carvalho / Banca: Jurandir Nadal / Banca: Roberto Kawakami Harrop Galvão / Banca: Alexandre César Rodrigues da Silva / Banca: Francisco Villarreal Alvarado / Resumo: É feita a análise dimensional da média coerente de eletrocardiogramas de alta resolução com o objetivo de definir parâmetros para a descrição detalhada dos deslocamentos e velocidades angulares durante a polarização cardíaca. No contexto de localização de componentes espectrais em alta freqüência, no plano tempo-freqüência, escalogramas de 64 linhas para as escalas e 300 colunas para o intervalo de amostragem da ativação ventricular ilustram com detalhes as perturbações na frente de onda da polarização cardíaca. No âmbito da Instrumentação Eletrônica, é especificado um eletrocardiógrafo para análise espectral, sem filtragem no sinal amplificado. No circuito digital deste aparelho é especificado um controlador de Acesso Direto à Memória, um controlador de comutador analógico e um controlador de conversor A/D, todos em FPGA. Aperfeiçoando Sistemas Digitais existentes para a análise wavelet de sinais em bases ortogonais, após estudo de arquiteturas existentes para a Transformada Wavelet Discreta, é proposta uma nova arquitetura. A nova arquitetura tem processamento assíncrono e calcula ambas as transformadas, direta e inversa, com pequenas modificações. Esta arquitetura apresenta características indispensáveis para análise e síntese em tempo real, fornecendo alta eficiência e boa precisão empregando-se elementos processadores em ponto fixo. Após estudo em Cálculo Numérico e Sistemas Digitais, é escrito o algoritmo que calcula e ao mesmo tempo sintetiza os coeficientes wavelet. É proposto o primeiro processador digital especialmente desenhado para análise e síntese wavelet em tempo real em um circuito integrado, o Analisador Wavelet. / Abstract: Dimensional analysis is performed on SAECGs electrocardiograms, defining parameters to describe angular paths and angular velocities on details, during cardiac polarization. To localize high frequency spectral components on the time-frequency plane, scalograms with 64 lines for scales and 300 columns for the sampling period on ventricular activation show on details the perturbations on cardiac polarization waveforms. In the ambit of Electronic Instrumentation, a spectral analysis electrocardiograph is specified, without filtering on the amplified signal. On the digital circuit, one FPGA DMA controller and one analog switch and A/D converter controller are specified. Improving digital systems for wavelet analysis on orthogonal bases, after acknowledge on present architectures for the Discrete Wavelet Transform, a new architecture is proposed. The new architecture has asynchronous processing and calculates both direct and inverse DWT with slight modifications. This architecture presents indispensable characteristics for real time analysis and synthesis, allowing to achieve high efficiency and good precision with fixed point processing elements. After detailed study in numerical calculus and digital systems, it is proposed an algorithm to calculate and synthesize wavelet coefficients at the same time. The first digital processor specially designed to perform wavelet analysis and synthesis in real time, in one integrated circuit, the Wavelet Analyzer, is proposed. / Doutor

Orientador: Furio Dimiani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:50:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cruz_SergioAparecidoBragada_M.pdf: 2069660 bytes, checksum: 73aec2db56b12bcb2dda174fab38ea20 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Este trabalho apresenta aspectos relativos à implementação de um sistema de aquisição automática de dados dedicada à criação de regras para reconhecimento de topologias funcionais em descrições de circuitos eletrônicos. Inicialmente são estudados os paradigmas e técnicas utilizadas no desenvolvimento de sistemas de aprendizagem por exemplos. Por fim, são apresentados um protótipo onde foram utilizadas algumas das técnicas estudadas, e os resultados obtidos. / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Danton Soares Arantes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:59:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Afonso_JoseAugustoFernandes_M.pdf: 4488874 bytes, checksum: 4bf844f1e4c8be02bc3ae634fbfc6c97 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: Este trabalho estuda a operação de um circuito, empregando PLL (Phase-Locked Loop), para extração de onda de relógio de sinais PNM (Pulse Amplitude Modulation) em banda base, Este circuito utiliza a informação dos instantes de cruzamento de um certo limiar, pelo sinal, para ajustar a fase de um oscilador que determina os instantes de amostragem. O Capítulo 1 é uma breve introdução ao problema de extração de relógio na regeneração de sinais PAM. No Capítulo 2, apos uma descrição do funcionamento, em regime, do circuito proposto, deriva-se um modelo para descrever a fase do sinal de relógio (jitter) em termos espectrais.É apresentada, ainda, uma análise simplificada da acumulação do jitter ao longo de uma cadeia que emprega PLL de segunda ordem. O Capítulo 3 aborda alguns aspectos relacionados ao comportamento transitorio (Aquisição) do PLL e apresenta um tipo de discriminador de freqüências que pode ser incorporado ao circuito' como meio de acelerar a aquisição. Finalmente, no Capitulo 4, procura-se, utilizando resultados dos Capítulos 2 e 3, estabelecer um procedimento simples que leve a um projeto satisfatório de PLL de segunda ordem em extração de relógio. Dois exemplos de implementação, num caso prático, são incluídos / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Gaston Eduardo Barberis / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T21:29:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Martins_GeorgeBalster_M.pdf: 6248936 bytes, checksum: 4917759211ee9715dce7740a05ea6b7b (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Calculamos a posição no gap para estados associados com vacâncias ideais em C, Si, Ge, Inp, AlAs e ZnSe. Fizemos cálculos parciais, de estados no gap, para metais de transição (grupo do ferro) intersticiais em Silício. As estruturas de banda foram calculadas pelo método 'tight binding¿ semi-empírico (que é extensamente discutido). Alem dos semicondutores citados acima (com exceção do GaAs, Inp, e ZnSe) apresentamos gráficos de estrutura de banda para Sn, SiC, Gap, AlP e AlSb. Além da apresentação física detalhada do problema de defeitos localizados, procuramos encontra-lo também sob uma perspectiva histórica, ressaltando os problemas teóricos e experimentais a ele associados. Acreditamos firmemente que a proposta (por nós colocada) de continuação dos cálculos com metais de transição fornecerá bons resultados, representando uma maneira simples e econômica de interpretação de experiências em andamento no grupo / Abstract: We have calculated the position in the gap for ideal vacancy states (C, Si, Ge, GaAs, InP, AlAs e ZnSe), and made partial calculations for localized states in the gap for interstitial (Td) transitions metals (Iron group) in Silicon. The band structures were calculated by the tight binding method and for point defects we used the Green¿s function method. Besides the above cited semiconductors (with the exception of GaAs, Inp and ZnSe) we present band structure graphics for Sn, SiC, GaP, AlP and AlSb. Beyond the detailed physical presentation of the localized states problem we tried to put it into historical backgrounds, emphasizing the theoretical and experimental aspects of it. We firmly believe that our proposal for the continuation of the transition metals calculations will furnish good results, representing a simple end economical way to interpret the experiments of our grou / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador : Mario Lucio Cortes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:13:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 FurtadoNeto_JosedeMendonca_M.pdf: 5973874 bytes, checksum: ac9c85a2bb5b5fccba3a26a850d64006 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Este trabalho propõe um novo algoritmo para a geração de padrão de teste para circuitos digitais combinacionais, descritos de forma hierárquica, o H-ALG. O algoritmo não faz uso de "backtracking" (retrocesso automático [Wagner 88]) e detecta todas as falhas detectáveis. Baseia-se na idéia de se resolver o teste para pequenas células e depois combiná-Ias de uma fonna incremental [Cônes 88]. As células podem ser ponas lógicas simples, ponas complexas, redes de transistores de passagem, PLA 's, ROM's, ou qualquer outro tipo de lógica combinacional. Não se limita a tratar falhas do tipo "stuck-at" e não requer simulação de falhas. O algoritmo admite um número ilimitado de níveis hierárquicos, sendo que o esforço para a geração do teste de uma determinada célula só é aplicado uma vez. Nas demais instâncias desta mesma célula o teste é apenas chamado da biblioteca, onde fora armazenado. O algoritmo foi implementado em linguagem "C". Neste trabalho também são apresentados alguns resultados obtidos a partir desta versão / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Departamento de Engenharia Elétrica, 2006. / Submitted by mariana castro (nanacastro0107@hotmail.com) on 2009-09-24T20:56:36Z No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO João Antonio Assad de Souza.pdf: 735717 bytes, checksum: 370d8fdf4c8c3ac9364e0e1db6244ffc (MD5) / Approved for entry into archive by Gomes Neide(nagomes2005@gmail.com) on 2011-02-02T12:06:06Z (GMT) No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO João Antonio Assad de Souza.pdf: 735717 bytes, checksum: 370d8fdf4c8c3ac9364e0e1db6244ffc (MD5) / Made available in DSpace on 2011-02-02T12:06:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 DISSERTACAO João Antonio Assad de Souza.pdf: 735717 bytes, checksum: 370d8fdf4c8c3ac9364e0e1db6244ffc (MD5) Previous issue date: 2006-06-30 / O presente trabalho trata da modelagem de Cavidade Ressonante por Matriz de Linha de Transmissão (TLM) usando os conceitos de Nó Condensado Simétrico (SCN) nos domínios do tempo (TD) e da freqüência (FD) para simular o comportamento de campos eletromagnéticos no dispositivo. O trabalho começa com a modelagem do nó SCN que é composto por doze linhas de transmissão e doze portas. Estabelece a chamada Matriz de Espalhamento que dita as condições de propagação de um sinal no nó de acordo com as Equações de Maxwell[1,2]. A seguir, vários nós SCN são conectados para formar uma malha ou Matriz de Linha de Transmissão (TLM) tridimensional com o objetivo de estudar a transmissão de um sinal de um nó para o outro no domínio do tempo [1,2]. No domínio do tempo, há uma condição de estado transiente compreendido desde a excitação da malha por pulso de tensão em uma antena de entrada até a obtenção de pulso de tensão em uma antena de saída. Entre a excitação e a tensão de saída transcorre certo número de iterações ou intervalos de tempo necessários para que todos os nós sejam excitados e, pulsos na antena de saída sejam significativos. Estabelecido o mecanismo de propagação do pulso, uma cavidade ressonante é modelada por TLM – SCN no domínio do tempo e um algoritmo é desenvolvido para calcular as freqüências de ressonância da cavidade. O algorítmo é implementado em linguagem FORTRAN e o resultado é comparado com o obtido por cálculo literal. Após os resultados obtidos no domínio do tempo, o trabalho passa a enfocar TLM – SCN no domínio da freqüência [3,4]. A Matriz de Espalhamento e a Conexão entre os nós ocorrem de maneira semelhante ao do domínio do tempo, porém, as tensões na malha estão em regime de estado permanente. Portanto, no domínio da freqüência, as tensões já estão estabelecidas em todas as portas de todos os nós da malha e, não há mais considerações de tempo e sim de espaço. Em conseqüência, equações que relacionam as tensões fontes (excitação) com as tensões incidentes nos nós são obtidas em consonância com as Equações de Maxwell para o regime permanente. O sistema de equações é posteriormente escrito na forma matricial e um algoritmo computacional é desenvolvido para calcular as tensões em cada nó. A solução do sistema de equações é obtida pelos Métodos de Jacobi e do Gradiente Conjugado. Uma comparação de velocidade de convergência entre os dois métodos é realizada. Os resultados obtidos para uma cavidade ressonante preenchida com material dielétrico com um alto são mostrados em gráficos. Por fim, um comentário sobre os resultados é realizado e são apresentadas sugestões para trabalhos futuros. ____________________________________________________________________________ ABSTRACT / This work refers to the Transmission Line Matrix (TLM) modeling method by using concepts of Symmetrical Condensed Node (SCN) in the Time Domain (TD) and in the Frequency Domain (FD) to simulate electromagnetic fields in the device. The work begins by modeling the SCN node which is composed of twelve transmission lines and twelve ports. It establishes the so called Scattering Matrix which defines the conditions of signal propagation into the node and according to the Maxwell Equations [1,2]. Following that, several SCN nodes are all connected to create a net or a three-dimensional Transmission Line Matrix (TLM) with the purpose of studying the propagation of the signal from node to node in the time domain [1,2]. In the time domain, there is a transient state condition starting the excitation of the net by a pulse of voltage in the input antenna up to the acquisition of pulses in the output antenna. Under such conditions, a certain amount of iterations or time frames must be performed until the full excitation of the complete set of nodes and the acquisition of significant pulses at the output antenna. Once established the pulse propagation mechanism, a resonant cavity is modeled by TLM – SCN in the time domain and an algorithm is developed to calculate the frequencies of the resonant cavity. The algorithm is implemented in FORTRAN and its result is compared with the one obtained via literal calculus. After that, the analysis is moved to the TLM-SCN in the frequency domain [3,4,5,6]. The Scattering Matrix and the Connection among nodes occur in a similar way as in the time domain, however, the voltages in the net are in permanent steady state condition. Therefore, in the frequency domain, the voltages are all established in all ports of all nodes in the net and, there are only considerations for space instead of time. Consequently, the equations creating relationships between the source voltages (excitations) and the incident voltages in the nodes are all calculated according to the Maxwell Equations for the steady state. After that, a system of equations is written in a matrix shape and a computer algorithm is developed to calculate the voltages in each node, which is the solution of the system. The solution of the system of equations is obtained via the Jacobi and the Conjugated Gradient Methods. A comparison of the speed of convergence between the two methods is performed. The results for a resonant cavity filled with high _r dielectric material are highlighted in graphics. Finally, an analysis of results and suggestions for future TLM SCN researches are presented.

Tese (doutorado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Tecnologia, Departamento de Engenharia Elétrica, 2015. / Submitted by Tania Milca Carvalho Malheiros (tania@bce.unb.br) on 2015-11-25T14:15:51Z No. of bitstreams: 1 2015_HeiderMarconiGuedesMadureira.pdf: 5121422 bytes, checksum: c46aa43235067724c36f180036a158a7 (MD5) / Approved for entry into archive by Raquel Viana(raquelviana@bce.unb.br) on 2016-01-15T20:12:43Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2015_HeiderMarconiGuedesMadureira.pdf: 5121422 bytes, checksum: c46aa43235067724c36f180036a158a7 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-01-15T20:12:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2015_HeiderMarconiGuedesMadureira.pdf: 5121422 bytes, checksum: c46aa43235067724c36f180036a158a7 (MD5) / This work presents the study, design and measurement of RF circuits aiming communication applications. The need for flexible and reconfigurable RF hardware leads to the need of alternative transmitter architectures. In the center of this innovative architecture, there is the power oscillator. This circuit is composed of a power amplifier in a positive feedback loop so it oscillates. As the circuit under study is mainly composed of a power amplifier, a study on power amplifier is mandatory. Modern CMOS technologies impose difficulties in the efficient RF generation due to low breakdown voltages. In order to reduce the voltage stress on the transistors, waveform-engineering techniques are used leading to the use of class EF2. The design and measurement of a class EF2 power amplifier and power oscillator are shown. The circuits were implemented in standard STMicroelectronics 0.13um CMOS. Correct behavior for the circuits was obtained in measurement, leading to a first implementation of class EF2 in RF frequencies. From a system perspective, the proposed architecture is shown to be flexible and able to generate different modulations without change in the hardware. Reconfigurability is shown not only in modulation but also in output power level. The limitations of this architecture are discussed and some mathematical modeling is presented. / Dans lère des systèmes de communication multi-standards, le besoin des circuits en radio fréquence (RF) flexibles et réconfigurables pousse l’industrie et l’academie à la recherche d’architectures alternatives d’émetteurs et récepteurs RF. Dans cette thèse, nous nous intéréssons aux émetteurs RF fléxibles. Nous présentons une architecture basée sur l’utilisation d’un oscillateur de puissance composé dt’un amplificateur de puissance dans une boucle de rétroaction positive. Pour des raisons de compatibilité avec des circuit numériques et dans le but de minimiser les coûts de fabrication, nous avons choisi la technologie CMOS. Ce choix impose des difficultés de concéption de circuits en RF à cause des faibles tensions de claquage. Cette contrainte de concéption nous a motivé à choisir la classe EF2 pour l’amplificateur de puissance afin de réduire le stress de tension sur les transistors. Nous présentons la concéption de cet amplificateur de puissance de classe EF2 ainsi que l’oscilateur de puissance. Nous validons cette architecture avec une implémentation en technologie CMOS 0.13um de STMicroelectronics. Nous démontrons le bon comportement par mesure et tests du circuit fabriqué. Ce circuit répond aux contraintes de fléxibilité de modulation et de puissance de sortie pouvant donc être utilisée pour différents standards de communications. Les limitations inhérentes de cette architecture sont discutées et une modélisation mathématique est présentée.

Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de ’80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionais. Esta tese propõe uma abordagem inovadora para a modelagem do descasamento dos transistores de efeito de campo de porta isolada (MOSFETs), chegando a resultados melhores e mais abrangentes que outras propostas já publicadas. Para tanto, as variações microscópicas na corrente que flui pelo dispositivo, resultado das flutuações na concentração de dopantes na região ativa, são contabilizadas levando-se em conta a natureza não-linear do transistor. O resultado é um modelo compacto que prevê o descasamento com grande exatidão e de forma contínua, em todas as condições de operação do transistor, da inversão fraca à forte, e da região linear à saturação, necessitando apenas dois parâmetros de ajuste. Duas versões de circuitos de teste foram desenvolvidas e implementadas em diversas tecnologias, como forma de se obter suporte experimental para o modelo. A versão mais avançada possibilita a caracterização elétrica, de forma totalmente automática, de um grande número de dispositivos. O uso deste modelo substitui com vantagens a tradicional simulação Monte Carlo, que exige grandes recursos computacionais e consome muito tempo, além de oferecer uma excelente ferramenta de projeto manual, como é demonstrado através do desenvolvimento de um conversor digitalanalógico, cujo resultado experimental corroborou a metodologia empregada. / Many mismatch models were proposed for the MOS devices since the ‘80s, but they use either too simple approaches, being restricted to specific operating conditions, or too complex expressions, only useful through hard computational resources. This thesis proposes a new approach for MOSFETs mismatch modeling, presenting better and more general results than that found in preceding articles. In this approach, the microscopic variations of the drain current, caused by random doping fluctuation inside the channel region, are integrated along the channel, considering the main transistor nonlinearities. It results in a compact model that accurately predicts mismatch, continuously over any transistor operating condition, from weak to strong inversion, and from linear to saturation region, and only needing two fitting parameters. Two versions of a test chip were developed and fabricated in many technologies to give experimental support to this model. The most advanced of them makes the automated electrical characterization possible for a huge number of devices. This model can surpass the traditional Monte Carlo simulation method with advantages, and can also be used as a hand-design tool, as demonstrated here through the design of a digital-to-analog converter.