Mémoire (M.Sc.)-- Université du Québec à Chicoutimi, 1977. / "Mémoire présenté en vue de l'obtention de la maîtrise es sciences en géologie". CaQCU Document électronique également accessible en format PDF. CaQCU

Mémoire (M.Sc.A.)-- Université du Québec à Chicoutimi, 1980. / Document électronique également accessible en format PDF. CaQCU

Thèse (D.R.M.)--Université du Québec à Chicoutimi, 1990. / Document électronique également accessible en format PDF. CaQCU

L’électrochromisme se définit par la capacité d’un système à modifier ses propriétés optiques en réponse à une tension électrique. Aujourd’hui, les vitrages intelligents sont une des applications phare. Ce manuscrit contribue à une meilleure compréhension du mécanisme responsable de la commutation optique du matériau à coloration anodique NiO. Des films de stoechiométrie contrôlée, de formule Ni1-xO, ont été déposés par pulvérisation cathodique à température ambiante sous différentes pressions partielles d’oxygène. De nature faiblement cristallisés, la caractérisation des films par diverses techniques telles que la spectroscopie de photoélectrons X, ou la spectroscopie de pertes d’énergie des électrons a permis d’estimer que la stoechiométrie variait de Ni0,96O à Ni0,81O lorsque la P(O2) augmentait de 2% à 10%. L’étude électrochimique couplée aux mesures optiques, du film Ni0,96O dans divers électrolytes lithié et non-lithié, a montré que la différence de couleur entre l’état décoloré et coloré (marron) était comparable (42%<ΔT=Tdec-Tcol<55%) quel que soit le milieu. Ces résultats ont conduit à la mise en évidence d’un mécanisme régi simultanément par un comportement faradique et capacitif. L’intégration des films dans des dispositifs Ni1-xO/WO3 est associée à une coloration neutre quelles que soient les épaisseurs des couches unitaires ou la température de cyclage. Toutefois, des températures de cyclage supérieures à 45°C ont conduit à des dégradations irréversibles des propriétés électrochromes tandis que des températures de cyclage négatives ont entrainé une diminution voire une disparition des propriétés électrochromes. La conception de dispositifs plus originaux, double face, conclut ce manuscrit. / Electrochromism is defined by the ability of a system to modify its optical properties in response to an electrical voltage and today, its flagship application is the smart windows. This manuscript contributes to a better understanding of the mechanism responsible of the coloration of the anodically colored oxide NiO. Non-stoichiometric films, Ni1-xO, were deposited by sputtering at room temperature under different partial pressures of oxygen. The characterization of the films by various techniques, including X-ray photoelectron spectroscopy or energy loss spectroscopy, has led to the conclusion that the stoichiometry varied from Ni0.96O to Ni0,81O when P(O2) increased from 2% to 10%. The electrochemical study coupled with the optical measurements of Ni0,96O film in various lithiated and non-lithiated electrolytes showed that the color difference between the bleached and colored (brownish) state was comparable (42%<ΔT=Tbl-Tcol<55%) regardless of the electrolyte nature. These results led to the identification of a mechanism simultaneously governed by a faradaic and capacitive behavior. The integration of the films in Ni1-xO/WO3 devices is associated to neutral colored ECDs regardless of the thickness of the individual layers or the cycling temperature. However, cycling temperatures above 45°C has led to irreversible degradations of the electrochromic properties while negative cycling temperatures has shown a decrease or even disappearance of the electrochromic properties. The design of original devices concludes this manuscript.

Le sujets de cette thèse sont l'évolution structurelle et la réponse magnétique particulière des films de cobalt observés lors de l'intercalation entre graphène et Ir (111).L'origine du comportement magnétique exotique de ces films n'a pas été trouvée encore. À cet égard, l'objectif final de ce travail est de sonder les effets de l'anisotropie structurale sur l'anisotropie magnétique.Plusieurs paramètres tels que l'épaisseur du film, les temps et les températures de la procedure du textit{annealing}, la présence de graphène et l'environnement local de Co ont été pris en compte comme possibles sources d'anisotropie structurale.Une analyse complète a été réalisée en utilisant des techniques complémentaires et avancées. Techniques comme la spectroscopie de photoélectrons de rayons X (XPS) et l'effet Kerr magnéto-optique (MOKE) ont fourni des informations sur la distribution de Co dans la direction perpendiculaire à la surface et sur la réponse magnétique. Cependant, techniques de rayonnement synchrotron comme la spectroscopie d'absorption de rayonnement X (XAS) et la diffraction de rayons X par incidence rasante (GIXD) ont sondé la structure locale et l'ordre à long terme des films.L'analyse présentée dans cette thèse inclut les effets de surface à l'interface Co/Ir, l'environnement local autour du Co, la structure cristalline du film, la rugosité du système et le désordre moyen.En particulier, l'évolution de ces paramètres est présentée et discutée en même temps que leur effet sur la réponse magnétique macroscopique des films intercalés.Les résultats démontrent que les traitements thermiques affectent la morphologie du Co, sa rugosité et sa coordination locale. Tels effets altèrent la structure du film affectant l'anisotropie magnétique globale. Cette information est utile à des fins applicatives. De plus, la description des modifications micro-structurales fournit un aperçu approfondi des propriétés physiques des films de Co intercalés. / This thesis focuses on the structural evolution and the peculiar magnetic response of Cobalt films observed upon intercalation between Graphene and Ir(111).The origin of the exotic magnetic behaviour of such films cite{ROUGEMAILLE} has not been found yet. In this respect, the final goal of this work is to probe the effects of the structural anisotropy on the magnetic anisotropy.Several parameters such as: film thickness, annealing times and temperatures, Graphene presence, and Co local environment were taken into account as possible sources of structural anisotropy.A complete analysis was carried out using complementary, state-of-the-art techniques. While laboratory techniques such as X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Magneto-Optic Kerr Effect (MOKE) provided information on the Co distribution along the direction perpendicular to the surface, and on the magnetic response, synchrotron radiation techniques such as X-ray Absorption Spectroscopy (XAS) and Grazing Incidence X-ray Diffraction (GIXD) probed the local structure and the long range order of the films.The analysis presented in this thesis includes the surface effects at the Co/Ir interface, the local Co environment, the crystalline structure of the film and the system roughness and average disorder.In particular, the evolution of such parameters is presented and discussed together with their effect on the macroscopic magnetic response of the intercalated films.The results demonstrate that thermal treatments affect Co morphology, roughness, and local coordination. Such effects alter the film structure affecting the overall magnetic anisotropy. This information alone is valuable for applicative purposes. Moreover, the description of the micro-structural modifications provides a deep insight into the physical properties of intercalated Co films.

Les couches minces de LiNbO3 (LN) avec des orientations du single cristallographique en dehors-du-plan et dans-le-plan sont nécessaires pour les dispositifs optiques et acoustiques. La technique PIMOCVD est adapté pour la déposition de couches minces de LN avec des orientations cristallographiques différentes sur des substrats monocristallins. Pour obtenir des couches avec une surface lisse et composé une phase pure de LN avec une concentration contrôlé de Li, les paramètres de déposition ont été ajustés.Un effort particulier a été mis dans la croissance de couches avec une orientation unique dans-le-plan. La qualité cristalline, la qualité de l’épitaxie, Li2O nonstoichiometrique, l’orientation dans-le-plan, le stress résiduel et le twinning ont été étudiés avec la diffraction des rayons X et la spectroscopie Raman. Couches de LN avec composition presque stoichiometrique on été obtenues. Les couches épaisses ont tendance à se fracturer et à former twins pour détendre les grands stress thermique. Les différences dans les mécanismes de relaxation et dans la capacité de supporter des stress dans les couches de X-, Y- et Z-LN sont discutés. Dans le cas des couches Z-LN le stress thermique sont equi-biaxial quand le stress dans les couches X- et Y- sont anisotropies. On a étudié aussi la structure des domaines ferroélectriques et la réponse piézoélectrique des couches. L’énergie de bande et l’indice de réfraction des couches de LN, mesuré pas elipsometrie spectrale, sont très proche de ceux du LN monocristallin. On démontre expérimentalement la présence d’une résonance à 5.5 GHz dans un résonateur à un seul port réalisé dans une couche de Z-LN/saphir de 150 nm d’épaisseur. / LiNbO3 (LN) thin films are attracting interest due to possibility to miniaturize, to integrate and to ameliorate the performance of acoustical and optical devices. These applications require LN films with single crystallographic out-of-plane and in-plane orientations. PIMOCVD technique was used for deposition of high quality of different crystallographic orientations LN thin films, offering a possibility to obtain films with various different cut on single crystalline substrates.In order to obtain films with smooth surface and consisting of pure LN phase with controlled Li concentration, the deposition parameters were tuned.A particular effort was done to obtain films with single in-plane orientation. The crystallinity, epitaxial quality, Li2O nonstoichiometry, in-plane orientation, residual stresses and twinning were studied by means of X-ray diffraction and Raman spectroscopy. The LN films with nearly stoichiometric composition were obtained. The thick films tend to crack and to form the twins in order to relax the high thermal stresses. The differences in relaxation mechanisms and in ability to withstand high stresses of X-, Y- and Z-LN films were discussed. In the case of Z-LN films the thermal stresses are equibiaxial, while the stresses in X- and Y- films are anisotropic. The ferroelectric domain structure and piezoelectric response of grown films were investigated. Energy gap and refractive indexes of LN films, measured by spectroscopic ellipsometry, were similar to those of single crystal. Acoustic resonance at 5.5 GHz in single-port resonators based on as-grown 150 nm thick Z-LN film on sapphire films was demonstrated experimentally.

La microélectronique cherche à produire des composants toujours plus performants. Un axe d'amélioration est l'intégration de plus de fonctionnalités dans un volume toujours plus compact. L'approche planaire classiquement utilisée jusqu'à présent atteint ses limites. Une solution à ce défi technologique est l'intégration 3D permettant d'empiler verticalement plusieurs circuits. Les étapes d'assemblage sont cruciales dans ces schémas d'intégration. Parmi les différentes techniques d'assemblage, le collage direct de couches minces métalliques est une alternative très intéressante. En effet, elle offre simultanément un lien mécanique et électrique vertical entre les couches actives de composants.Les propriétés microstructurales, physiques et chimiques des couches minces métalliques déposées ont été largement rapportées dans l'état de l'art antérieur. Cependant, elles n'ont jamais été étudiées dans l'environnement particulier du collage. Le but de notre étude est d'évaluer l'impact de cet environnement sur les couches minces métalliques assemblées pendant et après le procédé d'assemblage.Le collage direct consiste en la mise en contact de surfaces lisses à température ambiante et sous atmosphère ambiant afin de créer une adhérence entre elles. Puisque le collage n'est pas réalisé sous vide, des espèces adsorbées sont piégées à l'interface et une couche d'oxyde natif limite l'obtention du contact métal-métal. L'environnement de collage nous pousse donc à considérer ces différentes espèces qui interfèrent avec le procédé de collage et l'établissement du contact électrique.Dans cette étude, nous avons assemblé différents métaux dans différentes configurations de couches minces. Ainsi, les couches d'oxyde surfaciques ont été désignées comme influentes sur le comportement en adhésion des assemblages. Dans le cas précis du collage direct Cu-Cu, la réaction de l'eau interfaciale est primordiale au renforcement de la tenue mécanique dès la température ambiante. À plus haute température, la dissolution de l'oxyde piégé et la croissance de grain verticale sont des moteurs du scellement dépendant de phénomènes diffusifs. Il est apparu que les joints de grains sont des chemins de diffusion privilégiés dont le rôle dans la microstructure est majeur. Il a également mis en évidence que les couches de métaux réfractaires ne pouvaient pas être assemblées en utilisant les mêmes forces motrices que les métaux de transition dans la gamme de température considérée. La compréhension des différents mécanismes apporte un éclairage nouveau dans l'utilisation du collage direct dans les schémas d'intégration des composants de demain. / The semiconductor industry is driven by an increasing need of computation speed and functionalities. In the development of next generation devices the integration of more functionalities in an ever smaller volume becomes paramount. So far, classical planar integration was privileged but it is currently reaching its limits. One solution to this technological challenge is to consider the 3D dimension as pathway of integration. To ensure the vertical stacking of circuits, the development and control of assembly processes becomes crucial. Among the different techniques under development, direct bonding of metal thin films is a promising solution. It is a straightforward option that offers both a mechanical and an electrical link between the active strata.Microstructural, physical and chemical properties of deposited metal thin films were widely reported in previous state of art. However, they have not yet been studied in the specific bonding environment. The main goal of our study is to pinpoint the impact of this environment during and after the process of assembly.Direct bonding process consists in putting into contact smooth surfaces at room temperature and ambient air which in appropriate conditions leads to the establishment of attractive forces. Since bonding is not operated under vacuum, adsorbed species are trapped at the interface and the metal bonding suffers from the formation of native oxide. The encapsulation of these species as well as the native metal oxide interfere with the bonding process and the establishment of an electrical contact.In this study, various bonded structures have been realized using an extended set of metals in different thin film configurations. Metal oxide layers impact is clearly highlighted via the monitoring of adhesion properties of the assemblies. In the Cu-Cu direct bonding case, the interfacial water reaction is primordial in the strengthening of bonding toughness at room temperature. At higher temperature, oxide dissolution and vertical grain growth are driving forces in the sealing of bonding interface. The microstructure play a role in all these phenomena since grain boundaries are favorite diffusion pathway in thin films. Considering the temperature limitation imposed by the integration, we also highlight that refractory metal thin films needs another bonding approach compared to the transient metals. The understanding of bonding mechanisms throws new light on the use of direct bonding process in the realization of future electrical components.

Les microsystèmes électromécaniques (MEMS) ont été développés dès le début des années 1980 en s'appuyant sur la technologie de l'industrie microélectronique. Ils ont d'abord été utilisés dans les accéléromètres et les airbags des automobiles. Depuis lors ils se diversifient et connaissent un important essor, notamment grâce à la rapidité De la réponse des matériaux piézoélectriques. La technologie des couches minces piézoélectriques a permis la miniaturisation et les déformations sous tensions d'actionnement plus faibles. Parmi les matériaux piézoélectriques, les films minces de PbZrTiO3 (PZT) morphotropique sont fréquemment utilisés pour leurs propriétés électromécaniques remarquables. Le PZT fabriqué par la voie sol-gel au CEA Leti est à l'état de l'art mondial. Dans le souci de continuer à être compétitif, plusieurs stratégies de R&D sont envisagées, notamment des études approfondies de la microstructure des films PZT pour l'optimiser, afin d'atteindre les propriétés ultimes du PZT. Dans ce but, cette thèse recherche les corrélations entre la microstructure et l'effet piézoélectrique du PZT. Le PZT morphotropique massif, apparu dans les années 1950, est un matériau bien étudié du point de vue microstructurale et piézoélectrique. Il existe plusieurs théories expliquant ses performances piézoélectriques au niveau microscopique. Pour citer les plus connues, le basculement de domaine des phases tétragonale et rhomboédrique, le réarrangement des nano-domaines rhomboédriques, la rotation de l'axe de polarisation dans la phase monoclinique et la transition de phase. Les films minces de PZT morphotropique sont apparus dans les années 1990. Leur microstructure diffère radicalement du PZT massif. Le PZT sol-gel étudié dans ce manuscrit, est contraint et possède une orientation préférentielle des cristaux, des domaines nanométriques et un gradient chimique de Zr et Ti dans l'épaisseur. Notre but est d'étudier les liens entre la microstructure complexe de ces films et leurs propriétés piézoélectriques en utilisant la caractérisation par diffraction des rayons X (DRX). Grace à l'accès au nano-faisceau à l'ESRF, nous avons pu étudier l'influence du gradient chimique de Zr/Ti sur la microstructure de PZT. Les résultats ont montré que la variation de concentration de Zr et Ti engendre une variation du rapport des phases tétragonale et rhomboédrique dans l'épaisseur de la couche. Cette variation suit les oscillations de Zr/Ti dans les films observées par SIMS. Cette observation montre la sensibilité de la microstructure sur la composition chimique. De même, il en résulte la possibilité d'améliorer l'homogénéité de composition du PZT et de ses performances. Car plus le PZT est homogène en composition, meilleurs sont ses coefficients piézoélectriques (d33, e31). Par la suite nous avons effectués des expériences in-situ sous champ électrique sur des capacités contenant le PZT avec le gradient de composition atténué. La microstructure de PZT a été affinée en utilisant la phase tétragonale et rhomboédrique. A 0V, on estime que le PZT contient 40% de phase rhomboédrique et 60% de phase tétragonale. A 30V, on n'observe plus que la présence de la phase rhomboédrique. Les résultats montrent une diminution de la proportion de phase tétragonale au profit de la phase rhomboédrique sous champ électrique. Pour finir nous avons étudié l'influence du gradient de concentration sur l'amplitude du changement de phase en analysant deux échantillons de gradient Zr/Ti différents par DRX in-situ. Nous avons pu montrer que plus l'échantillon est homogène chimiquement, plus il est sujet à la transition de phase sous champ électrique et plus il est performant piézoélectriquement. Finalement, afin d'améliorer les performances piézoélectriques des films PZT, nous proposons de fabriquer des films plus homogènes et plus riches en Ti pour amplifier la transition de phase dans les films. / MEMS have been developed since 1980, when they appeared as derivatives from the microelectronic industry. They were first used in accelerometers and car airbags. They have diversified since then and expanded. One of the main contributors to this expansion are piezoelectric materials. Among them, PbZrTiO3 (PZT) is widely used for its outstanding piezoelectric performances. Sol-gel PZT thin films fabricated at CEA are worldwide state of the art. In order to stay competitive, several R&D strategies have been developed. One of them is a detailed study of PZT microstructure in order to draw correlations with the piezoelectric effect in PZT films. The goal of this study is to optimize PZT microstructure aiming to reach its best piezoelectric properties. For this purpose, this thesis takes advantage of numerous studies performed on PZT bulk ceramics in order to analyze PZT thin films microstructure and its modifications with voltage. PZT bulk ceramics of morphotropic composition are now well known from the piezoelectric and microstructural point of view. There are several theories explaining the piezoelectric effect at the microscopic level, namely tetragonal and rhombohedral domain switching, rhombohedral nanodomains rearrangement, polarization axis rotation in the monoclinic phase and the phase transition.Morphotropic PZT thin films have emerged more recently. Their microstructure is very different from the bulk PZT. Indeed, sol-gel PZT films studied in this manuscript are stressed and contain preferred oriented nanoscale crystals and Ti/Zr composition gradient through the film thickness. Our goal is to study links between the complex microstructure of these films and their piezoelectric properties using X-ray diffraction (XRD).Thanks to the nano-beam at ESRF, we were able to study the influence of the Zr/Ti chemical gradient on the PZT microstructure. Our observations showed that the composition gradient gives rise to a variation of the tetragonal and rhombohedral phase ratio in the layer thickness. This variation follows Zr/Ti composition oscillations evidenced by SIMS. This experiment shows the sensitivity of PZT microstructure to the PZT chemical composition. At the same time, it suggests the possibility of improving the composition homogeneity of PZT and its performances. The more the PZT composition is homogeneous, the better the piezoelectric coefficients are.Then, we performed in-situ XRD under electric field experiments on a capacitor containing the PZT active layer with an attenuated Zr/Ti gradient. The PZT diffraction pattern was refined using the tetragonal and the rhombohedral PZT phases. At 0V PZT contains 40% of rhombohedral phase and 60% of tetragonal phase. At 30V, no tetragonal phase is observed any more. Results show an electric field induced phase transition from the tetragonal to the rhombohedral phase.Finally, we used in-situ XRD to study the influence of Zr/Ti composition gradient on the amplitude of the phase transition of two PZT samples with different Zr/Ti gradient. We showed that the more the sample is homogeneous in composition, the more phase transition it exhibits and the more it is performant.Finally, to improve the piezoelectric performances of PZT films, we propose to improve PZT compositional homogeneity and slightly increase the Ti content to promote the tetragonal phase in order to amplify the phase transition under voltage.

Le collage direct consiste en la mise en contact de deux surfaces suffisamment lisses et propres pour créer une adhérence entre-elles, et ce sans apport de matière à l'interface des matériaux. Ce procédé est réalisable à l'échelle industrielle et compatible avec les procédés de la microélectronique. Il trouve son principal intérêt dans la réalisation de substrats innovants. Le plus célèbre d'entre eux est le substrat SOI (pour « Silicon On Insulator »). Depuis quelques années, une nouvelle voie s'est ouverte dans le collage direct en l'élargissant au collage de couches métalliques ce qui permet de répondre à de nouvelles applications en offrant par exemple conduction électrique et dissipation thermique. Ce travail de thèse a pour objectif d'analyser le comportement du collage direct de couches métalliques et de poser les premiers éléments de modélisation. La compréhension de ces fondamentaux est indispensable pour optimiser le procédé et permettre une intégration de cette technologie dans un grand nombre de dispositifs. Dans cette étude, des procédés de collage direct de couches de tungstène et de titane ont été développés à la lumière des pré-requis établis pour le collage direct. La caractérisation physico-chimique des interfaces de collage et de leur évolution en température ont permis de mettre en évidence le rôle clé de l'oxyde métallique. Il est montré que les mécanismes de collage sont gouvernés par des phénomènes de diffusion aux joints de grains et par l'instabilité de la couche d'oxyde piégée à l'interface de collage. Par ailleurs, les propriétés mécaniques et électriques des interfaces ont été étudiées. Enfin, la compréhension du comportement des interfaces en fonction de certains paramètres conduit à quelques recommandations pour réussir l'intégration du collage direct métallique. / Direct wafer bonding refers to a process by which two mirror-polished wafers are put into contact and held together at room temperature without any additional materials. This technology is feasible at an industrial scale and compatible with the microelectronic processes. Wafer bonding finds many interests applied to innovative substrates realization. Therefore the use of direct wafer bonding is growing and extending to various materials. Since few years direct bonding involving metallic layers presents many interests as it can offer, for example, vertical electrical conduction or heat dissipation. The aim of this work is to analyze the bonding behavior and to propose a first model describing the bonding driving forces. A precise understanding of these mechanisms is essential for the optimization and the technological integration of the process in various devices. In this study, tungsten and titanium bonding processes were developed. Physical and chemical bonding interfaces characterizations have highlighted the key role of the metallic oxide. We showed that bonding mechanisms are driven by grain boundary diffusion phenomena and the interface trapped oxide layer instability. Moreover, mechanical and electrical properties were also studied. Finally, the bonding behavior understanding in function of define parameters lead to some recommendations for the bonding process integration achievement.

Les revêtements semi-conducteurs déposés sur des substrats souples sont utilisés dans différentes applications de haute technologie, par exemple pour la fabrication de composants micro-électroniques flexibles ou de cellules photovoltaïques flexibles. Sous un chargement de traction, ces revêtements subissent un endommagement caractérisé par l'apparition de multiples fissures sur leur surface avec ou sans délaminage à l'interface film/substrat. A la fin du processus de la multi-fissuration, une distance caractéristique entre les fissures peut être mesurée. Cette distance dépend principalement de l'épaisseur du film et du comportement mécanique du substrat.Dans ce projet, une étude expérimentale sur des monocouches d'oxyde et des multicouches d'oxyde et d'argent de différentes épaisseurs déposées sur deux substrats souples a été menée. Cette étude nous a permis de déterminer le comportement mécanique de chaque substrat, d'identifier les stades de la multi-fissuration des couches minces à savoir un premier stade d'apparition aléatoire de fissures, un deuxième stade de fissuration régulière et un dernier stade de saturation du réseau de fissures. L'influence de l'épaisseur de la couche d'argent a été également étudiée.Nous avons développé un modèle mécanique 2D basé utilisant des zones cohésives pour simuler l'amorçage et la propagation de fissures à travers le film. Ce modèle a permis de simuler numériquement les trois stades de la multi-fissuration des monocouches d?oxyde déposées sur polymère tels qu' observés expérimentalement. Nous avons ensuite réduit le modèle à une cellule représentative permettant de modéliser seulement les deux derniers stades de la multi fissuration. Cette cellule nous a permis d'identifier l'influence des propriétés géométriques et mécaniques des couches minces et de leur substrat sur la distance inter fissures à saturation. L'influence du délaminage interfacial a également été étudié. / Semiconductor coatings deposited on flexible substrates are used in various high-tech applications, for example flexible micro-electronic components or flexible sollar cells.When submitted to large tensile strains, these coatings undergo damage characterized by the appearance of multiple cracks on their surface with or without delamination at the film/substrate interface.At the end of the multi-cracking process, a characteristic distance between cracks can be measured.This distance depends mainly on the thickness of the film and the mechanical behavior of the substrate.In this project, an experimental study on oxide layers and oxide and silver multilayers of different thicknesses deposited on two polymer substrates was carried out.Were able to determine the mechanical behavior of each substrate and to identify the stages of the three stades of multi-cracking of thin layers.A first stade of random appearance of cracks, a second stade of regular cracking and a last stade of saturation of the network of cracks were identified.The influence of the thickness of the silver layer has also been studied.We have developed a 2D based mechanical model using cohesive zones to simulate the initiation and propagation of cracks in the film.Using this model, we successfully simulate the three stages of the multi-cracking of oxide monolayers deposited on polymer as observed experimentally.We then reduced the model to a representative cell allowing only the last two stages of multi-cracking to be modeled. This cell allowed us to identify the influence of the geometric and mechanical properties of the thin layers and their substrate on the distance between cracks to saturation.The influence of interfacial delamination has also been studied.