Orientador : Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-28T11:13:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Teixeira_RicardoCotrin_M.pdf: 1275626 bytes, checksum: 2394ace3a137b8589a2a20b2df254d67 (MD5) Previous issue date: 2001 / Mestrado

Orientador: Vitor Baranauskas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-25T18:33:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 AlvaradoAlcocer_JuanCarlos_D.pdf: 6120849 bytes, checksum: 3095654638bfd5f26fceb6133d675056 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Devido à complexidade envolvida nos processos de deposição quimica a partir da fase vapor (CVD) do diamante o desenvolvimento de reatores de CVD requer a utilização de modelamentos computacionais adequados. Estes modelos são de difícil implementação pois necessitam incluir os fenômenos de transporte de massa e as reações químicas envolvidas, o que requer a solução de um enorme conjunto de equações diferenciais parciais. Nesta tese é apresentado um protótipo de simulador de CVD e sua aplicação na simulação do processo de crescimento de diamante em um reator de filamento quente. O software inclui um bloco onde se efetuam por meio da técnica de fluxo e vorticidade a solução bi-dimensional das equações diferenciais por diferenças finitas. A interface com o usuário foi implementada utilizando o ambiente de programação DELPHI (Microsoft), de modo a permitir ao usuário, interativamente, estabelecer os perfis de temperatura, concentração dos reagentes e taxa de crescimento / Abstract: Owing to the complexity involved in the processes of chemical vapor deposition (CVD) the development of CVD reactors for diamond growth requires the use of appropriate computer modelling. Such models need to treat mass transport and the chemical reactions, which occur in the reactor, the solution of an enormous number of partial differential equations. In this thesis a prototype of a CVD computer simulator is presented and applied to the calculation of the process of diamond growth in a hot-filament CVD reactor. The software includes a kernel where the equations are solved by the flow and vorticity technique using finite differences. The interface with the user was implemented using the DELPHI Programming environment (Microsoft) to allow to the user to evaluate the temperature profiles, reactant concentrations and growth rate / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Maria Domingues Vargas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T15:58:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Leite_MarcoAntonioBarreto_D.pdf: 11970768 bytes, checksum: 9c194c8ba5df596b61b7d39e5d121042 (MD5) Previous issue date: 2003 / Resumo: Este trabalho teve como objetivo estudar precursores únicos para a deposição de filmes finos dos óxidos metálicos de nióbio, zircônio e cobre. Foram sintetizados e caracterizados os compostos [Nb(OPr)5]2 (2.1), [Nb(OPr)5(HOPr)] (2.2), [{Zr(HOBu)2(HFTB)2}(HOBu)] (3.1), [Cu(hfacac)2L] onde L=THF (4.1), O(Et)2 (4.2), O(Pr)2 (4.3), cis-trans DMOTHF (4.4) e cis-trans DMTHF (4.5) (HFTB = hexafluorotercbutóxido, hfacac = 1,1,1,5,5,5,-hexafluoro-2,4-pentanodiona, DMOTHF = 1,4-dimetoxotetrahdrofurano e DMTHF = 1,4-dimetiltetrahidrofurano). Os compostos foram analisados e caracterizados por espectroscopia no infravermelho, Raman, RMN ou RPE e difratometria de raios-X de monocristal (composto 3.1). Os dados cristalográficos do composto (2.1) são a= 9,632(2) Å, b= 9,799(4) Å, c= 22,108(6) Å, a = 84,30(5)°, b = 82,07(7)°, g = 76,05(9)°, Z= 2 grupo espacial P(-1). O alcóxido heteroléptico de zircônio 3.1 foi exaustivamente analisado por RMN de H a -90°C e foi proposta uma estrutura em solução para este composto. O composto 4.3 foi analisado por RPE-ESEEM e as distâncias entre os átomos de hidrogênio e o átomo de cobre foram medidas. Foram feitos estudos térmicos de DQV dos compostos 2.1, 2.2, 3.1 e 4.1. Os filmes dos óxidos metálicos obtidos por DQV foram caracterizados por XPS, UV-Vis de reflectância e EDX que indicavam ser filmes de Nb2O5 e Cu2O. Os produtos voláteis eliminados na DQV foram identificados por RMN em solução e, a partir da identificação dos produtos voláteis, foram propostos mecanismos das reações de decomposição do precursor 2.1 e 3.1. / Abstract: The aims of this work were to propose and study precursors for low pressure chemical vapor deposition of metal oxides thin films of niobium, zirconium and copper to be used in the electronic industry. This work describes the synthesis and characterization of four new precursors for MOCVD: [Nb(OPr)5]2 (2.1), [Nb(OPr)5(HOPr)] (2.2), [{Zr(HOBu)2(HFTB)2}(HOBu)] (3.1), [Cu(hfacac)2L] where L=THF (4.1), O(Et)2 (4.2), O(Pr)2 (4.3), cis-trans DMOTHF (4.4) and cis-trans DMTHF (4.5). The compounds were analyzed and characterized by FTIR, Raman, RMN and EPR spectroscopy and in one case (compound 2.1) by a X-ray diffraction study. Crystallographic data for compound (2.1) are a= 9,632(2) Å, b= 9,799(4) Å, c= 22,108(6) Å, a = 84,30(5)°, b = 82,07(7)°, g = 76,05(9)°, Z= 2 and it is in space group P(-1). The heteroleptic zirconium alkoxide, compound 3.1 was exhaustively characterized by H-RMN at -90°C and a structure in solution was proposed. In order to obtain the internuclear distance between hydrogen and copper atoms, the copper compound 4.3 was studied by EPR-ESEEM. CVD experiments were carried out for all proposed precursors but only compounds 2.1, 2.2, 3.1 and 4.1 resulted in successful thin film deposits. These thin films were characterized by XPS, UV-Vis reflectance and also EDS as thin films of Nb2O5 and Cu2O, respectively. The volatile part produced in the CVD reactor was characterized by H and F-RMN spectroscopies. These results led to the proposition of a mechanism for the deposition reactions of the precursors 2.1 and 3.1. / Doutorado

Orientador: Steven Frederick Durrant / Banca: José Humberto Dias da Silva / Banca: Johnny Vilcarromero Lopez / Resumo: Este trabalho investiga os efeitos de tratamento a plasma frio em polímeros convencionais, polipropileno e poliestireno, e em filme amorfo do tipo a-C-H, produzido através de Deposição Química de Vapor Assistida por Plasma (PECVD). Após etapas preliminares de escolha de gás e tempo a serem utilizados, as amostras foram tratadas em plasma de hexafluoreto de enxofre (SF6) em cinco diferentes potências e cinco diferentes pressões, totalizando 25 condições para cada substrato. As superfícies foram caracterizadas por goniometria, perfilometria, Espectroscopia de Infravermelho com Transformada de Fourier (FTIR), Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Espectroscopia de Raios-X por Energia Dispersiva (EDS) e Espectroscopia de Fotoelétrons Excitados por Raios-X (XPS). Assim, foram examinados ângulo de contato, rugosidade, estrutura química, morfologia, composição química e composição química da superfície, respectivamente. O tratamento com SF6 aumenta a característica hidrofóbica dos três materiais, possivelmente devido à incorporação de flúor nas superfícies. A combinação de potência e pressão que promoveu aumento mais significativo em ϴ variou para cada material: 80 W e 80 mTorr para o filme amorfo, aumentando de 60,6° para 111,1° nestas condições, 20 W e 40 mTorr para o polipropileno, aumentando de 81,8° para 119° e 100 W e 60 mTorr para o poliestireno, aumentando de 74° para 95°. As análises por XPS indicaram a presença de flúor após os tratamentos com plasmas de SF6, mostrand... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: The present work investigates the effects of plasma treatment on conventional polymers, polypropylene and polystyrene, and on amorphous hydrogenated carbon, a-C-H, obtained by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition, (PECVD). After preliminary studies to establish the plasma gas and treatment times, samples were treated in sulphur hexafluoride (SF6) plasmas at five different powers and five different pressures. Surfaces were characterized by goniometry, profilometry, Fourier Transform Infrared Spectrometry, Scanning Electron Microscopy (SEM), EnergyDispersive X-ray Spectroscopy (EDS) and X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). Thus, contact angle, roughness, chemical structure, morphology, chemical composition and surface chemical composition were examined. Results show that SF6 treatments increase the hydrophobicity of the three substrates, possibly due to the surface incorporation of fluorine. The power and pressure combinations that caused the greatest improvements in ϴ were as follows: 80 W and 80 mTorr for the amorphous film, resulting in an increase from 60.6° to 111.11°; 20 W and 40 mTorr for polypropylene, resulting in an increase from 81,8° to 119°; 100 W and 60 mTorr for polystyrene, resulting in an increase from 74° to 95°. The presence of fluorine following the SF6 plasma treatments was confirmed by the XPS analyses, which showed that F/C increased from 0 for all the untreated samples to 0,03 on treated amorphous films, to 0,14 on treated polypropylene, and to ... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre

Orientador: Vitor Baranauskas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-26T04:50:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Li_BinBin_D.pdf: 6306226 bytes, checksum: 8e2a78c4bcce8d590858383cc9cb16c5 (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: Foram realizados estudos de dopagem do diamante, e estudos da interface entre o diamante e o silício poroso. Os filmes foram crescidos pelo método de deposição química a partir da fase vapor assistido por :fi1amento quente. A fonte precursora de carbono foi álcool etílico e acetona, diluídos em hidrogênio. O boro foi introduzido através da diluição de B2O3 e o nitrogênio através do nitrogênio molecular. Apresentamos os resultados do recozimento na dopagem com boro e calcula-se as energias de ativação em altas concentrações de dopantes. Apresentamos os resultados da dopagem com nitrogênio, correlacionando as energias de ativação com as suas propriedades de fotoluminescência. Estudamos também as propriedades estruturais e de fotoluminescência das junções de diamante e de silício poroso. Verificou-se que estas junções são realizáveis, inclusive na forma de junções sanduíches / Abstract: Studies of diamond doping and of the diamond-porous silicon interface were made. The diamond films were grown by hot :fi1ament chemical vapor deposition (HFCVD). The carbon source was a mixture of ethyl alcohol and acetone, diluted in hydrogen. Boron was introduced as B2O3 diluted in acetone. Nitrogen was introduced in gaseous (molecular) form. We present results of annealing following doping with boron. Activation energies were measured for high doped films. We present results of nitrogen doping, correlating the materials activation energy with its photoluminescence properties. We also studied the structural and photoluminescence properties of the diamond-porous silicon interfaces. The production of such junctions, even in the form of sandwiches, was demonstrated. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Ulf F. Schuchardt / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-28T10:01:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Souza_JoseLuisde_D.pdf: 2915243 bytes, checksum: e971f7d0b7969cef9d410e81441c2c1f (MD5) Previous issue date: 2001 / Doutorado

Orientador: Vitor Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T20:58:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Santos_PedroMiguelRaggio_M.pdf: 1573182 bytes, checksum: c9e96a351790afde84d150516a511aed (MD5) Previous issue date: 2003 / Mestrado

Orientador : Edmundo da Silva Braga / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T22:24:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Miyao_Yamato_D.pdf: 1207236 bytes, checksum: 63c1986a1965095101c1a529664cefd9 (MD5) Previous issue date: 2004 / Doutorado

Orientador: Abner de Siervo / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-31T16:48:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Ferreira_RodrigoCezardeCampos_M.pdf: 12900994 bytes, checksum: 7f4ff602b7e6aae7e2d8890e9f8d0a2b (MD5) Previous issue date: 2016 / Resumo: O grafeno é um alótropo bidimensional do carbono com hibridização do tipo sp2. Suas notáveis propriedades eletrônicas e estruturais provocaram um enorme interesse científico e tecnológico para o material na última década. Grafeno pode ser crescido em certos metais de transição através da técnica bem conhecida Chemical Vapor Deposition (CVD). A estabilidade do grafeno nesses substratos é garantida, porém as interações químicas entre eles modificam suas exóticas propriedades eletrônicas e estruturais. É possível sintetizar grafeno sobre Ir(111) sem defeitos estruturais substanciais e em um único domínio, quando realizado sob condições específicas de temperatura do substrato e da pressão do gás precursor (propileno). Na tentativa de isolar o grafeno do substrato, seja fisicamente ou eletricamente, existe a possibilidade da intercalação de diversas espécies, tais como gases, metais ou nanopartículas. Realizando tal procedimento, além da suspensão do material, é possível também dopar a banda eletrônica ou induzir abertura de gap. Neste contexto, o objetivo deste trabalho é estudar a dinâmica de crescimento e intercalação do ferro em Gr/Ir(111), seguindo os parâmetros termodinâmicos envolvidos e observando principalmente os deslocamentos químicos usando espectroscopia de fotoelétrons de raio-x (XPS) de alta resolução com síncrotron. Em paralelo, também usamos o microscópio de varredura por tunelamento (STM) para acompanhar a formação e intercalação das estruturas na superfície durante os ciclos de evaporação do ferro. Os resultados mostraram que, com o substrato à temperatura ambiente, o Fe interage fortemente com o grafeno e ocorre intercalação parcial. No caso de evaporação à temperaturas moderadas, houve intercalação total do Fe que permaneceu protegido pela folha de grafeno, indicando ser possível crescer um filme fino intercalado na superfície / Abstract: Graphene is a 2D carbon allotrope having sp2 hybridized atoms in a single-layer. Its remarkable electronic and structural properties attract an enormous scientific and technological interest to the material in the last decade. Graphene can be grown on certain transition metals by the well-known Chemical Vapor Deposition (CVD) technique. The stability of graphene in these substrates is guaranteed, but the chemical interactions between them modify its exotic electronic and structural properties. It is possible to grow graphene on the Ir(111) surface without substantial structural defects and withsingle domain, whenspecific conditions of substrate temperature and pressure of the precursor gas (propylene) are applied. While trying to retrieve the characteristic properties, the scientific community has been trying to isolate graphene from the metallic substrate, either physically or electrically, by intercalation of various species such as gases, metals or nanoparticles. By performing such procedures, it is possible, besides the desired suspension of the material, to induce changes such as gap opening and doping of the electronic band structures. In this context, the aim of this work is to study the dynamics of iron growth and intercalation in Gr/Ir(111), following the thermodynamic parameters involved and observing mainly the chemical shifts using high resolution x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). In parallel, we also used the scanning tunneling microscope (STM) to follow the formation of Fe surface structures during the evaporation cycles and intercalation. The results show that at room temperature, Fe interacts strongly with graphene with partial intercalation. In the case of evaporation at moderate temperatures, there was full intercalation of Fe which remained protected by the graphene sheet / Mestrado / Física / Mestre em Física / 1423605/2014 / CAPES

Orientador: Steven Frederick Durant / Banca: Antonio Riul Júnior / Banca: Rogério Valentim Gelamo / Resumo: Neste trabalho, filmes finos amorfos de carbono hidrogenado também contendo bromo foram produzidos por duas técnicas: Deposição e Implantação iônica por Imersão em Plasma (DIII). As deposições foram feitas em plasmas alimentados com diferentes proporções de bromofórmico (CHBr3) e acetileno (C2H2), variando também o tempo de deposição, a potência de radiofrequencia aplicada e a pressão dentro do reator. Para medição de espessura e rugosidade, e molhabilidade, filmes depositados em substratos de vidro foram analisados por perfilometria e geniometria (medidas de ângulo de contato), respectivamente. A estrutura e composição química dos filmes foram examinadas por Espectroscopia de Reflexão-Absorção no Infravermelho (IRRAS) e Espectroscopia de Raios X (XPS) em amostras depositadas em aço inoxidável polido. Para obter espectros de trasmitância no Ultravioleta-visível e infravermelho-próximo, filmes foram depositados em substratos de quartzo. A partir destes espectros e das espessuras dos filmes, propriedades ópticas como o índice de refração, coeficiente de absorção e gap óptico dos materiais foram calculados. Taxas de deposição dos filmes contendo bromo foram tipicamente no itervalo de 33 a 108 nm.min-1 pelo processo de PECVD, e de 13 a 56 nm.min-1 pelo processo de DIIIP. Rugosidades entre 24 e 37 nm foram observadas em ambos os métodos. As medidas de ângulo de contato revelaram que os filmes bromados são hidrofólicos. Espectros IRRAS revelaram a presença de grupos contendo bromo em 1430-1410 com-1 devido à deformação angular de grupos CH2-Br e CH3-BR, e em 1210 cm-1 também referente à deformação angular de CH2-Br nos filmes produzidos com bromofórmio na alimentação do reator. As análises de XPS comprovaram a incorporação de bromo nos filmes em até... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: In this work, amorphous hydrogenated carbon this films also containing were produced by two techiniques: Plasma Enhanceb Chemical Vapor Deposition (PECVD) and Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition(PIIID). Deposition were realized in plasmas fed with different proportions of bromoform (CHBr3) and acetylene (C2H2), the parameters deposition time, applied radio frequency power, and reactor pressure were also varied. The film thickness and thickness and roughness, and wettability were measured, for films deposited onto glass substrates using perfilometry and goniometry (contact-angle measurements), respectvely. infrared Reflections-Absorption Spectroscopy (IRRAS) and X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) were employed to study the chemical structure and composition of films deposited onto polished stainless-steel substrates. Transmission ultraviolet-visible-near infrared spectroscopy (UVS) was used to characterized films deposited onto quartz substrates. From the UVS spectra and film thicknesses, optical properties such as refractive index, absorption coefficient and optical gap were calculated. Bromine-containing film deposition rates ranged from 33 to nm.min-1 for PECVD, and from 13 to nm.min-1 for PIIID. Roughnesses of between 24 e 37 nm were observed for both techniques. Contact angle measurement revealed that brominated films are hydrofobic. Characteritic absorptions owing to the presence in the films of bromine-containing groups at 1430-1410 cm-1 due to asymmetric bending of CH2-Br e CH3-Br groups, and at 1210 cm-1 also due to asymmetric bending of CH2-Br were observed in IRRAS spectra of the brominated films. As confirmed by XPS analyses, bromine was incorporated at up to 43% at in films deposited in CHBr3 plasmas. The refractive index decreased from 2.38 for plasma-polymerized C2H2 film... (Complete abstract click electronic access below) / Mestre