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Estudo de processos de dopagem em ZnSe por MBE

Shibli, Suhaila Maluf 10 May 1991 (has links)
Orientador: Thereza Cristina Robalinho Penna / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:09:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Shibli_SuhailaMaluf_D.pdf: 8066870 bytes, checksum: f0173ac89bce1db0fe8be4118b8eb1a7 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Seleneto de zinco, um importante semicondutor do tipo II-VI, é um excelente candidato para fabricação de dispositivos que emitam no azul, devido a sua larga banda proibida de 2,1 eV. No entanto, a aplicação prática deste material em dispositivos de junções p-n requer técnicas de dopagem eficientes que possam produzir materiais dos tipos n e p de baixa resistividade e cuja luminescência perto da borda da banda, a temperatura ambiente, emita predominantemente no azul. Gálio é conhecido como um bom dopante do tipo n para ZnSe, particularmente para epitaxia por feixes moleculares (MBE). A utilização de técnicas de dopagem convencional, com altas concentrações de Ga, introduz níveis de aceitadores profundos, que ocasionam a saturação e correspondente decréscimo nos valores da concentração de portadores e da mobilidade. A descoberta de novas técnicas de dopagem é imprescindível na melhoria da qualidade do material ZnSe. Estudaremos nesta tese o avanço obtido com a técnica de dopagem planar para dopagem tipo n bem como novos dopantes do tipo p para ZnSe / Abstract: Zinc selenide, an important II-VI semiconductor compound, is of great potential interest for blue light-emitting devices due to its large band gap of 2.7 eV. However, practical application of this material in p-n junction injection devices demands effective doping techniques which can produce low-resistivity n- and p-type material, whose luminescence at room temperature is predominantly band edge (blue) in nature. Gallium is known to be a useful n-type dopant for ZnSe, particularly for molecular beam epitaxy (BEM). Using conventional doping techniques, however, high concentrations of Ga introduce deep acceptor levels which cause the carrier concentration to saturate and even decrease, with a corresponding drop in mobility. Thus, new doping techniques are necessary to enhance the quality of ZnSe material. We will study a new technique, planar doping, as well as a p-type dopant for ZnSe / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
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Estudos óticos e magneto-óticos em múltiplos poços quânticos com dopagem modulada

Plentz Filho, Flavio Orlando 05 August 1993 (has links)
Orientador: Eliermes Arraes Meneses / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-18T17:20:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 PlentzFilho_FlavioOrlando_D.pdf: 2618631 bytes, checksum: b7599ef814b7b998c7abd82b2128aa42 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Neste trabalho desenvolvemos um estudo, por meio das técnicas de fotoluminescência e excitação de luminescência, das propriedades óticas e magneto óticas de poços quânticos com dopagem modulada. Desenvolvemos um cálculo auto-consistente para a obtenção das autofunções e autovalores de energia em poços com dopagem modulada. Estes estudos nos permitiram caracterizar de forma clara que a densidade do gás bidimensional de elétrons, presente em uma das nossas estruturas, sofre uma diminuição quando a amostra é excitada por fótons de energia inferior ao "gap" da barreira de AlxGa1-xAs que confina os portadores. Mostramos também a existência de um centro profundo na liga, a uma energia de 460 meV, medida a partir do fundo da banda de condução, o qual foi associado a um estado gerado por um átomo de Si substitucional no lugar do AI. Este estado foi descrito em termos do modelo de coordenada configuracional para centros profundos. A diminuição na densidade do gás de elétrons por nós observada está relacionada à existência deste nível profundo na liga. De fato, é este centro que permite a absorção de luz no AlxGa1-xAs, mesmo para fotoexcitação com energia abaixo do "gap", processo necessário ao mecanismo que gera a diminuição na densidade de portadores no poço de GaAs / Abstract: In this work we investigated the optical and magneto-optical properties of modulation doped quantum wells. This study was performed by the use of photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy as experimental technics. We developed a self-consistent calculation in order to obtain the eigenfunctions and eigenvalues for electrons and holes in these structures. We have demonstrated that, in one of our samples, the density of the two dimensional electron gas is reduced by a photoexcitation done with an energy bellow de AlxGa1-xAs band gap. We have also shown the existence of a deep center, with an energy 460 meV bellow the alloy conduction band minima, which was associated to a substitutional Si atom in a AI site. We described this state within the framework of the configurational coodinate model for deep centers. The mechanism that causes the diminution of the electron gas density is related to the existence of this deep level in the barrier that confine the electrons. In fact, the generation of electron-hole pairs in the barrier, necessary to cause the diminution of the carrier density in the GaAs well, is done thought this deep center / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
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Difusão de estanho e implantação iônica de magnésio em GaAs

Hernandes, Cristiane Silveira 22 December 1993 (has links)
Orientador: Jacobus W. Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-18T17:43:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Hernandes_CristianeSilveira_M.pdf: 6751277 bytes, checksum: 938645132eb5de24cda9ec120e628778 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Neste trabalho estudamos duas técnicas de dopagem em semicondutores: difusão e implantação iônica. Realizamos difusão de Estanho em Arseneto de Gálio utilizando como fonte de difusão um filme "Spin-on-Glass" (SOG) dopado, através de processamento térmico rápido. O filme SOG serve tanto de fonte como de proteção da superfície do GaAs contra a perda de Arsênio. Obtivemos camadas n+ rasas, com alta concentração de superfície (1-3.1018cm-3) e boa mobilidade (em média 1000cm2 / V.s). Estabelecemos um modelo para a difusão de Estanho dependente da sobre-pressão de vapor de Arsênio baseado nos defeitos pontuais gerados na interface SiO2/GaAs. O uso de sobre-pressão de As reduz as reações entre o SiO2 e o GaAs, produzindo assim menos defeitos pontuais (VGa e GaI, entre outros), resultando em menor coeficiente de difusão e maior energia de ativação. A adição de Gálio no filme SOG tem o mesmo efeito, porém em bem menor intensidade. Realizamos também implantação iônica de Magnésio em GaAs. Foram feitas implantações simples e dupla, co-implantando Fósforo. Estudamos o comportamento do Magnésio durante o recozimento pós-implantação. Para dose de 1.1014cm-2 e energia de 200ke V, obtivemos altas ativações. Os melhores resultados foram obtidos para recozimento a 900°C/5, 10 e 20s e a 950°C/5s. Com o aumento da dose (1.1015cm-2/100keV), a ativação cai. Porém, quando realizamos a dupla-implantação utilizando mesma .dose e energia, a ativação triplicou. Isto demonstrou que o Fósforo está realmente ocupando as vacâncias de Arsênio, aumentando, assim, as vacâncias de Gálio ( que serão ocupadas pelo Mg). Estudamos os diversos mecanismos de difusão do Magnésio, incluindo difusão "uphill". Portanto, tanto no caso da difusão de Estanho, quanto na ativação do Magnésio durante o recozimento, observa-se o efeito de defeitos pontuais tipo VGa e GaI. Isto é esperado pelo fato de ambos os dopantes tenderem a substituir posições de Gálio. Este conhecimento permite a otimização dos processos pelo controle da geração destes defeitos pontuais / Abstract: In the dissertation, two doping techniques of semiconductors have been studied: diffusion and ion implantation. Diffusion of Tin into GaAs from a Spin-on-Glass (SOG) layer during rapid thermal processing (RTP) has been performed. The SOG film acts as a diffusion source as well as a protecting cap layer against incongruent As loss. Shallow n+ junctions with high electron surface concentration (1-3.1018cm-3) and good mobility (~ 1000cm2 / V.s ) have been obtained. A diffusion model has been established based on the point defects generated at the SiO2/GaAs interface and its dependency on the presence or not of As over-pressure ambient. An As over-pressure ambient reduces the reactions between SiO2 and GaAs, generating less point defects (VGa e GaI, among others), which results in a lower diffusion coefficient and higher activation energy. The addition of Ga to the SOG film presents the same effect, but much less intense. Ion implantation of Mg into GaAs has been studied. The Mg implantation has been performed in a simple and in a dual process, in this case with the co-implantation of P. The behavior of Mg during annealing after implantation has been analyzed. For doses of 1.1014cm-2 and energy of 200keV, high electrical activation is obtained for annealing at 900°C for 5, 10 and 20s, and at 950°C for 5s. By increasing the doses to 1.1015cm-2 (100keV), a strong reduction in activation is observed. However, by means of dual implantation with P, the activation is .increased by a factor of 3. This indicates that P reduces the As vacancies, increasing the Ga vacancies and consequently the activation of the Mg atoms. The different mechanisms of Mg diffusion have been identified, including the uphill diffusion. In both cases, the diffusion of Sn as the activation and diffusion of Mg after ion implantation, the effects of point defects such as VGa and GaI, is observed. This is expected based on the fact that both impurities tend to occupy Ga sites. This knowledge allows the optimization of the process by controlling the generation of the point defects / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Espectroscopia de femtossegundos em vidros dopados com CdSxSe1-x e pontos quânticos de CdTe

Tsuda, Sergio 18 March 1994 (has links)
Orientador: Carlos Henrique de Brito Cruz / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T02:59:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tsuda_Sergio_D.pdf: 11842009 bytes, checksum: 9726ce6253239d01271de132c4389497 (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Nesta dissertação serão apresentados os resultados das experiências de espectroscopia diferencial de transmissão resolvida no tempo em amostras de vidros dopados com semicondutor de CdSSe e CdTe. No primeiro tipo de amostras estudamos as mudanças induzidas no espectro de absorção das amostras quando elas são excitadas por um pulso óptico com duração de 60 fs na região acima e abaixo do "gap". No primeiro caso, as alterações do espectro de absorção são causadas por uma não-linearidade relacionada ao efeito de preenchimento de banda e o tempo de resposta é determinado pelo tempo de recombinação dos életrons fotoexcitados. Para a excitação na região de transparência da amostra observmos que o efeito não-linear responsável pelas mudanças é o efeito Stark óptico e a sua resposta é instantânea, isto é, ela dura essencialmente enquanto a excitação está presente. Para a amostra de CdTe, que apresenta efeitos de confinamento quântico sobre os portadores fotoexcitados, observamos a ocorrência da saturação da absorção de uma região do seu espectro de absorção. O efeito correspondente a esse tipo de alteração é conhecido por "hole burning". A dinâmica de relaxação dos portadores fotoexcitados, é inicialmente dominada pela relaxação dos buracos na banda de valência. Esse processo de relaxação ocorre num intervalo de tempo menor do que 100 fs. Posteriormente, a saturação da transição 1S-1S observada se recupera totalmente em menos de 500 fs, possivelmente devido à relaxação dos portadores através de estados de armadilha associados à ligações soltas ("dangling bonds") na interface vidro-semicondutor e/ou defeitos / Abstract: In this thesis the results of time resolved differential transmission spectroscopy in CdSSe and CdTe semiconductor-doped glasses are presented. In the first type of sample we have studied the induced changes in their absorption spectrum when they are excited by 60 fs optical pulses in the region below and above the gap. In the first situation, the spectral absorption changes are due to a nonlineaity related to band filling effect and the time response is determined by the photoexcited electron recombination. For excitation in the transparency region of the sample, we have observed that the nonlinear effect responsible for the changes, we have observed that the nonlinear effect responsible for the changes is the optical Stark effect and its time response is instantaneous, that is, it lasts as long as the excitation is present. For the CdTe sample, which exhibit quantum confinement effects on the photoexcited carriers, we have observed the occurrence of hole burning effects on the absorption spectrum. The relaxation dynamics of the photoexcited carriers is initially dominated by hole relaxation in the valence band. This relaxation process occurs within a time interval shorter than 100 fs. Later on, the observed bleaching of the 1S-1S transition recovers totally in less than 500 fs due to relaxation of the carriers through traps states associated to dangling bonds at the glass-semiconductor interface and/or defects / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
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Efeito da exitação no espectro de emissão de múltiplos poços quanticos (GaAs/ALxGa1-xAs) com dopagem modulada

Plentz Filho, Flavio Orlando 20 March 1989 (has links)
Orientador: Eliermes Arraes Meneses / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T02:48:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 PlentzFilho_FlavioOrlando_M.pdf: 1324701 bytes, checksum: ace1055f146bb248fe6b91bb98a1e75e (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Neste trabalho nós estudamos o espectro de fotoluminescência de uma estrutura de Múltiplos Poços Quânticos com Dopagem Modulada Assimétrica (AlxGa1-xAs/GaAs). Quando a amostra é excitada por um laser de Kr+ o espectro exibe apenas uma linha proveniente dos poços de GaAs, a qual tem uma energia em torno de 1.526 eV. Sob condições de excitação similares, agora com um laser de Ar+, nós observamos a manifestação do Efeito de Fotocondutividade Permanente (PPC) o qual propicia o preenchimento da segunda sub-banda de elétrons. Neste caso, observamos duas transições, originadas nos poços, com energias em torno de 1,527 eV e de 1,545 eV. Nos dois casos (Kr+ e Ar+) as transições sofrem um deslocamento e direção a altas energias quando a potência de excitação é aumentada. À partir dos nossos resultados concluímos que as linhas em 1,527 eV (1,526 eV) e 1,545 eV correspondem as recombinações do gás bi-dimensional de elétrons confinados em duas sub-bandas distintas sendo que a ultima viola a regra de seleção para transições entre sub-bandas. Concluímos também que o deslocamento mencionado corresponde a uma diminuição na densidade do gás, o qual é explicado em termos de um mecanismo de transferência de buracos, foto-gerados nas barreira, para os poços / Abstract: We have studied the photoluminescence of a GaAs/AlxGa1-xAs Asymmetric Modulation Doped Multiple Quantum Well (AMDMQW) structure. The spectra show an emission line at 1.526 eV, when the sample is excited by Kr+ laser, which corresponds to a transition in the Wells. Under similar excitation conditions by Ar+ laser, we observed the manifestation of the Permanent, Photoconductivity Effect which provides the filling of the second electron sub-band. In this case we observed two lines, at 1.527 eV and 1.545 eV, coming from the GaAs wells. In both cases (Kr+ and Ar+) these lines shift, toward higher energies as the excitation intensity increases. From our results we conclude that the lines at 1.527 (1.626 eV) and 1.545 eV correspond to transitions due to the recombination of the two dimensional electron gas (2DEG) confined in two different sub-bands and that the second one is a break down of the selection rule for transitions between sub-bands. We conclude too that the mentioned shift represents a decrease in the 2DEG density, which is explained in the base of a transference of photoexcited holes in the barrier to the GaAs quantum Wells / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Síntese e caracterização dos óxidos TiO2 , SnO2 e In2O3 dopados com Fe sintetizados por moagem mecânica: influência das ferramentas de moagem / Synthesis and characterization of oxides TiO2, SnO2 and In2O3 doped with Fe synthesized by mechanical milling: influence of milling tools

Mendes, Gislânia Maria de Souza Lima 13 December 2013 (has links)
MENDES, G. M. S. L. Síntese e caracterização dos óxidos TiO2 , SnO2 e In2O3 dopados com Fe sintetizados por moagem mecânica: influência das ferramentas de moagem. 2013. 78 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Ciência dos Materiais) - Centro de Tecnologia, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2013. / Submitted by Marlene Sousa (mmarlene@ufc.br) on 2014-04-01T13:17:18Z No. of bitstreams: 1 2013_dis_gmslmendes.pdf: 6926025 bytes, checksum: b63c14d3f0b2a5df5b1c75164cc73d82 (MD5) / Approved for entry into archive by Marlene Sousa(mmarlene@ufc.br) on 2014-04-02T17:32:04Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2013_dis_gmslmendes.pdf: 6926025 bytes, checksum: b63c14d3f0b2a5df5b1c75164cc73d82 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-04-02T17:32:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2013_dis_gmslmendes.pdf: 6926025 bytes, checksum: b63c14d3f0b2a5df5b1c75164cc73d82 (MD5) Previous issue date: 2013-12-13 / Magnetic semiconductors have attracted the attention of scientists in recent years due, mainly, to technological applications in the field of spintronics. These semiconductors can be developed by a process called doping, where some atoms of the semiconductor matrix are randomly replaced by magnetic atoms. This property enables the fabrication of a manifold of electronic devices from the same semiconductor material. In this work the technique of high energy mechanical milling was applied to synthesize TiO_2, SnO2 and In2O3 doped with Fe2O3. The samples were structurally characterized by x-ray diffraction and Mössbauer spectroscopy. The synthesis was performed using three types of milling tools which influenced the outcome of the reactions. Compounds with formulas Sn(1-x)Fe(x)O2, Ti(1-x)Fe(x)O2 and {In(1-x)Fe(x)2}O3 were formed, with values of magnetic dopant concentration x of 2, 5 and 10% in atoms. Samples of Fe2O3-doped TiO2 were processed using a jar of polyacetal and zirconia spheres. However, the energy produced by these tools was not sufficient to complete the formation of the compound. Samples of TiO2 doped with Fe2O3 were successfully produced using stainless steel jar and spheres. The final compound was find to be contaminated with metallic iron impurities from the tools used. Furthermore, these impurities contributed to the formation of another phase, ilmenite (FeTiO3). To achieve purity, the samples were HCl washed for removal of metallic iron, but the phase related to ilmenite was not eliminated. Moreover, samples of Fe2O3-doped TiO2, SnO2, and In2O3 were synthesized using an alumina jar and zirconia spheres. These simples showed no undesirable impurities and no formation of other phases. While compounds based on TiO2 and SnO2 maintained their original crystalline structures, the compound {In(1-x)Fe(x)2O3} underwent a change in crystal phase, from its original cubic structure to a hexagonal corundum structure type. Results obtained from X-ray diffraction and Mössbauer spectroscopy showed that with increasing milling time Fe^{3+} enters in the semiconductor matrices substituting Ti^{4+}, Sn^{4+} or In^{3+} in octahedral sites. It was also observed the formation of oxygen deficient sites in the final compounds that may be attributed to long milling times or to stoichiometric imbalance between the precursor compounds used in the milling processes. / Os semicondutores magnéticos atraíram a atenção de muitos cientistas nos últimos anos devido, principalmente, a aplicações tecnológicas no ramo da spintrônica. Esses semicondutores podem ser desenvolvidos por meio de um processo chamado dopagem, onde alguns átomos da matriz semicondutora são substituídos aleatoriamente por átomos magnéticos. Esta propriedade possibilita a fabricação de uma variedade de dispositivos eletrônicos a partir do mesmo material semicondutor. Neste trabalho utilizou-se a técnica de moagem mecânica de altas energias para realizar a dopagem dos óxidos TiO2, SnO2 e In2O3 com Fe2O3, que foram caracterizados estruturalmente por difração de raios-x e espectroscopia Mössbauer. A síntese foi realizada em três tipos de ferramentas de moagem que influenciaram no desenvolvimento da reação. Foram formados compostos com fórmulas Sn(1-x)Fe(x)O2, Ti(1-x)Fe(x)O2 e {(In(1-x)Fe(x)}2O3, com valores de concentração do dopante magnético x de 2, 5 e 10% em átomos. Utilizando jarra de poliacetal e esferas de zircônia foram sintetizadas amostras de TiO2 dopadas com Fe2O3. No entanto, a energia produzida por estas ferramentas não foi suficiente para completar a formação do composto. Com uma jarra e esferas de aço inox foram produzidas amostras de TiO2 dopadas com Fe2O3, que por sua vez foram contaminadas com impurezas de ferro metálico proveniente das ferramentas utilizadas. Além disso, essas impurezas contribuíram para a formação de outra fase, a ilmenita (FeTiO3). Para alcançar um grau de pureza, essas amostras foram submetidas à lavagem com solução de HCl para a retirada do ferro metálico, porém a fase referente a ilmenita não foi eliminada. Compostos formados por TiO2, SnO2 e In2O3 dopados com Fe2O3 foram sintetizados em uma jarra de alumina com esferas de zircônia. Estas amostras não apresentaram impurezas indesejáveis e não houve formação de outras fase. Enquanto os compostos baseados em TiO2 e SnO2 mantiveram suas estruturas cristalinas originais, o composto {In(1-x)Fe(x)}2O3 sofreu uma mudança de fase cristalina, da estrutura cúbica original do In2O3 para hexagonal do tipo corundum. Resultados obtidos das medidas de espectroscopia Mössbauer e difração de raios-x mostraram que, com o aumento do tempo de moagem, o Fe^{3+} entra na matriz dos compostos semicondutores substituindo o Ti^{4+}, Sn^{4+} ou In^{3+} em sítios octaédricos. Foi observado também a formação de um sítio com deficiência de oxigênio nos compostos finais que pode ser atribuído ao processo e longos tempos de moagem ou ainda ao desbalanço estequiométrico dos compostos precursores usados na moagem.
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Obtenção de filmes finos supercondutores do sistema BSCCO dopados com prata

Torsoni, Guilherme Botega [UNESP] 13 June 2008 (has links) (PDF)
Made available in DSpace on 2014-06-11T19:25:34Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2008-06-13Bitstream added on 2014-06-13T20:33:17Z : No. of bitstreams: 1 torsoni_gb_me_ilha.pdf: 4414894 bytes, checksum: 9685dbff5ed635df09cc7fa100ae8308 (MD5) / Baterias Ajax / Filmes de BiPbSrCaCuO vem sendo estudados a muito tempo por muitos pesquisadores, onde já foram caracterizados de várias formas, tanto estrutural como eletricamente. O presente trabalho trata de modificações estruturais do composto por meio da dopagem; onde filmes de BPSCCO foram dopados com Ag para assim tentar melhorar as características do material, como a largura da transição na temperatura crítica (Tc) e a densidade de corrente crítica (Jc). Trabalhos anteriores feitos com bulks mostraram que com o mesmo tipo de dopagem, obtiveram-se maiores densidades de correntes para determinados valores de porcentagem de dopante, porém obtendo uma dependência não linear da densidade de corrente pela porcentagem de dopante. No presente trabalho foi utilizado um processo químico na obtenção de filmes, devido à facilidade em se efetuar a mistura e a homogeneização dos compostos precursores. Assim desenvolveu-se uma metodologia baseada na mesma empregada por M. Pechini, onde foram produzidas amostras dopadas com 0, 5, 10, 15 e 20% em peso de Prata, obtendo-se filmes da ordem de μm. Para as caracterizações elétricas dos filmes foi utilizada a técnica de quatro pontas dc, obtendo-se o comportamento da resistência em função da temperatura e também da Tensão pela corrente elétrica aplicada, para caracterização da Tc e Jc, respectivamente. Os resultados das caracterizações elétricas mostraram que para todas as amostras houve transições supercondutoras, a amostra dopada com 5% de Ag obteve-se o mais alto valor de Tc=93K. Para as medidas de Jc, os gráficos também mostraram um pico na amostra com 5%, e para as outras amostras não houve nenhuma mudança significativa, indicando que pode existir certa relação com os resultados encontrados na literatura. Pelos resultados obtidos, pode-se considerar que a metodologia aplicada pode se tornar extremamente promissora na obtenção... / Films of BiPbSrCaCuO have been studied by many researchers during a long time, which have been characterized by different ways such as structural and electrically. In this work it has submitted to some structural modifications of the compound through doping. Films of BPSCCO were doped with Ag for an attempt to improve their characteristics such as the width of the transition in critical temperature (Tc) and the critical current density ( Jc). Some previous works with bulks showed that, with the same type of doping, it has achieved higher values of current densities dependent of the percentage of doping, but obtaining a non-linear dependence of the current density with percentage of doping. In this work was a chemical process used to obtain superconductor films, because it is easy to do the mixture and the homogenization of precursor compounds, so it has developed a methodology based on the same employed by M. Pechini, where the films were doped with 0, 5, 10, 15 and 20% silver in weight, resulting in films with thickness around a few μm. In the electrical characterization of the films the four points DC technique was used, of resulting in the behavior of resistance depending on the temperature and voltage in function of the electrical applied current, to characterize the Tc and the Jc, respectively. The electrical characterization results showed that for all samples have superconducting transitions, but the sample doped with 5% of Ag presented the highest value of Tc = 93K. For Jc measurements, the graphs also showed a peak in the sample with 5% in agree with observed before, and for other samples were not observed significant change, indicating that there is some agreement with the results found in the literature. Based in the obtained results, may consider that the applied methodology can become extremely promising to obtain high quality films with the aim to conduce technological applications.
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Estudo de propriedades estruturais e magnéticas em compostos de Ca (2-x) A (x) MnRe)6 com A=Y, Ce.

DEPIANTI, J. B. 22 April 2013 (has links)
Made available in DSpace on 2018-08-01T22:29:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 tese_6463_Tese Final doutorado Janaina Bastos Depianti.pdf: 9220944 bytes, checksum: e375ab90852a72a04e2f5127037deea3 (MD5) Previous issue date: 2013-04-22 / Foi realizado um estudo sobre os efeitos da pressão química e da pressão externa hidrostática sobre as propriedades estruturais e magnéticas em compostos de Ca(2-x)A(x)MnReO6 com A = Y, Ce. A pressão química foi realizada através da dopagem desse composto com cério e ítrio por meio de reação no estado sólido utilizando a técnica do tubo de quartzo encapsulado. A caracterização estrutural por meio da análise de Rietveld do padrão de difração de raios X mostrou que as amostras obtidas são monofásicas com 5% de cério, 5% e 15% de ítrio. A análise estrutural também mostrou que a cela unitária sofre uma expansão com a dopagem sem que haja mudança na simetria. Os espectros de absorção de raios X na borda K do Mn e L3 do Re mostraram que o Mn e Re assumem valência mista em todas as amostras. Nas medidas de XANES sob pressão não foi observada nenhuma variação na valência para o Mn. No entanto, foi observado um deslocamento da borda L3 do Re para alta energia em função da pressão aplicada para a amostra dopada com cério. Na amostra com ítrio o deslocamento da borda de absorção L3 do Re ocorreu para baixas energias. A temperatura de frustração do composto diminuiu de 119,44 K para 113,57 K quando a dopagem é feita com cério. No entanto, quando a dopagem é feita com 15% de ítrio, a temperatura de frustação aumenta de 119,44 K para 141,77 K. A temperatura de frustração aumentou para todas as amostras com a aplicação da pressão hidrostática, porém esse aumento foi em média de 2,6 K. A principal conclusão foi que a pressão química não exerce o mesmo efeito que a pressão hidrostática externa nos compostos de Ca(2-x)A(x)MnReO6 com A= Y e Ce, haja vista a evolução da derivada da temperatura de frustração com a dopagem, quando comparado com o efeito da pressão hidrostática.
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Fotoluminescência resolvida no tempo em pontos quânticos de CdTe

Redigolo, Marcela Leal 29 January 1998 (has links)
Orientador: Carlos Henrique de Brito Cruz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T23:43:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Redigolo_MarcelaLeal_M.pdf: 13166565 bytes, checksum: d9bae77442c3de5cccb45f240921af01 (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Apresentamos nesta dissertação um estudo das propriedades ópticas de vidros dopados com pontos quânticos de CdTe. Apresentamos espectros de absorção como função da temperatura e calculamos estes espectros considerando os alargamentos inomogêneo, devido à distribuição de tamanhos dos pontos quânticos, e homogêneo, devido principalmente às interações elétron-fônon. Os resultados mostram que a largura homogênea cresce conforme o tamanho dos pontos quânticos diminui. Obtivemos também distribuições de tamanhos com desvio percentual (dependendo da amostra) de 5,8% ou 6,0% para amostras crescidas por um processo de dois tratamentos térmicos. Nós também apresentamos neste trabalho medidas de fotoluminescência resolvida no tempo em uma escala de nanossegundos para pontos quânticos de CdTe em função da temperatura da amostra (20 K e 120 K). A fotoluminescência foi resolvida espectralmente e observamos dois picos, um dominante com um deslocamento Stokes em relação ao espectro de absorção e um pico menos intenso a mais baixa energia. Medimos os tempos de decaimento para várias energias nestes picos e obtivemos um comportamento exponencial com tempos de decaimento variando de 95 ns a aproximadamente um microssegundo. O pico mais intenso da fotoluminescência apresenta o tempo de decaimento mais rápido e está relacionado com recombinação banda-a-banda. Atribuímos o pico menos intenso da fotoluminescência, com tempos de decaimento mais lentos, a estados de armadilhas / Abstract: In this work we present a study of optical properties in CdTe quantum dots in doped glasses. We present absorption spectra as a function of temperature and we calculate these absorption spectra considering the inhomogeneous broadening due to the quantum dot size distribution and the homogeneous broadening, due mainly to electron-phonon interactions. The results show that the homogeneous width increases as the quantum dot size decreases. Also, we obtain size distributions with standard deviation (depending on the sample) of 5.8% or 6.0% for samples grown with a two-step heat-treatment. We also present time resolved photoluminescence measurements in a nanosecond time scale for CdTe quantum dots as a function of sample temperature (20 K and 120 K). We spectrally resolved the photoluminescence and we observe mainly two peaks, a dominant one with Stokes Shift in relation to the absorption spectra and a less intense one at lower energy. We measure the decay with decay times varyuing from 95 ns to about one microsecond. The photoluminescence most intense peak presents the faster decay time and is related to band-to-band recombination. We attribute the photoluminescence less intense peak with slower decay times to trap states / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Transição isolante-metal em polímeros condutores

Lavarda, Francisco Carlos 19 July 2018 (has links)
Orientador: Bernardo Laks / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-19T13:34:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lavarda_FranciscoCarlos_D.pdf: 5480014 bytes, checksum: eb68f2e975d8347035fa216180809f2b (MD5) Previous issue date: 1994 / Resumo: Os polímeros condutores são materiais que podem ter a sua condutividade elétrica aumentada de várias ordens de grandeza por meio da intercalação de espécies químicas aceitadoras ou doadoras em sua malha polimérica (dopagem) e, dependendo do polímero, pode atingir valores típicos de um metal. Este crescimento é acompanhado de modificações nos espectros de absorção óptica e susceptibilidade magnética, característicos de uma transição isolante-metal. Apesar de geralmente se observar uma termoeletricidade quase-metálica em polímeros altamente dopados, outros dados - como os de absorção no infravermelho, que indicam 'distribuição não-homogênea de carga - mostram que não se trata de metais comuns. A desordem estrutural destes materiais tem sido usada como explicação para uma variedade de fenômenos observados. Neste trabalho, apresentamos uma série de estudos teóricos onde procuramos investigar a influência da desordem na distribuição dos contra-íons dopantes sobre a estrutura eletrônica dos polímeros. A partir de hamiltonianos simples, mostramos que esta desordem é fundamental na previsão teórica de uma transição isolante-metal para o poliacetileno, politiofeno e polianilinas substituídas! Observamos que a segregação de dopantes desempenha papel importante na transição e é um efeito presente nos três polímeros estudados, mesmo usando diferentes tipos de hamiltoniano para cada material. Além disso, provamos que é possível obter espalhamento ressonante de estados eletrônicos para polímeros substituídos dopados, fato que amplia a aplicação do "Random Dimer Model", um modelo sobre a origem da transição isolante-metal que tem sido objeto de intensos estudos / Abstract: Conducting polymers are materials which show a dramatic electric conductivity increase by many orders of magnitude by means of doping by charge transfering reactions with an oxidizing or reducing agent. For some polymers, the conductivity could have values in the metallic regime. This increase brings together some new features in the optical absorption and magnetic susceptibility spectra typical of a insulator-to-metal transition. Despite the quasi-metallic thermopower in the highly doped phase, another data - like the infra-red absorption which indicates non-homogeneus electronic charge distribution - shows that conducting polymers are not common metals. The structural disorder present in this materials have been the explanation for several observed phenomena. In this work, we present a series of theoretical studies to investigate the influence of disorder in the dopant distribution on the polymers' electronic structure. With simple hamiltonians we show that this disorder is of fundamental importance for the insulator-to-metal transition on polyacetylene, polythiophene and substituted polyanilines. We observed that segregation of dopants plays important role in the transition and is present in all the polymers studied, despite the differences in the hamiltonians. Also, we show that is possible to have resonant scattering of electronic states in doped substituted polymers, which extend the "Random Dimer Model". This model about the origin of extended states in disordered systems has been object of lntense studies / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

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