Este trabalho tem o objetivo de, inicialmente, fazer uma análise das fontes de radiação relevantes para aplicações de circuitos integrados em ambientes aeroespaciais. Em seguida se discute o efeito da radiação ionizante sobre estes circuitos integrados. Para o estudo do caso foi realizado o projeto de um amplificador operacional de dois estágios para as tecnologias de 350nm e 130nm, no qual foi testado, através de simulação elétrica, o efeito de dose ionizante total, verificando seu impacto sobre o desempenho destes. O efeito da dose total foi testado inicialmente de maneira simples, alterando-se os valores da tensão de limiar (VTh), bem como adicionada corrente de fuga em cada transistor, para o valor de radiação testado, conforme dados disponíveis na literatura. Em seguida foi realizada a análise de pequenos sinais para ambos os amplificadores, com o objetivo de verificar a degradação de desempenho. Em um segundo momento se repetiu a análise de pequenos sinais, porém juntamente com a análise de Monte Carlo, também em ambos os amplificadores. A análise de Monte Carlo permitiu verificar o comportamento do amplificador no caso em que há uma componente aleatória no impacto da radiação sobre o desempenho do circuito. Isto é, a situação em que os parâmetros dos transistores não são afetados (alterados) de maneira idêntica. Por fim, através da simulação elétrica, foi possível identificar as partes do amplificador operacional mais sensíveis à radiação, relacionando as com o descasamento dos transistores casados devido a radiação. / This work aims at, initially, make a brief review on the main radiation sources of relevance for integrated circuits operating in aero-space environments. The effect of ionizing radiation on MOS devices is also discussed. The design of a two stages operational amplifier of 350nm and 130nm technology is also performed. The response of the operational amplifier to total ionizing dose (TID) will be evaluated trough electric simulation. This effect will be initially evaluated in a simple way, that is, changing its threshold voltage (Vth) values and adding a leakage current in each transistor, according to the data found in the literature. Then the small signal analyses of is performed in both amplifiers, in order to evaluate the performance degradation. In a second moment the small signal analyses is repeated but now in the context of Monte Carlo simulations, in order to evaluate the situation in which the radiation does not change the parameters of all transistors by exactly the same amount. Finally, further electrical simulations are performed in order to identify the components of the operational amplifier that are most sensitive to radiation relating to the mismatch of transistors married due to radiation.

Orientador: Frab Norberto Boscolo / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Odontologia de Piracicaba / Made available in DSpace on 2018-08-04T03:14:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cruz_AdrianaDiboda_M.pdf: 1224328 bytes, checksum: c4ba9884bf5793ca34ee9c248d1bc9ce (MD5) Previous issue date: 2005 / Resumo: A influência da radiação ionizante proveniente de exames radiográficos de diagnóstico ou tratamento radioterápico em materiais como compósitos odontológicos, ionômero de vidro e cerâmica é pouco conhecida. Procurando uma maior compreensão da influência da radiação ionizante no comportamento químico, em escala molecular, dos materiais restauradores estéticos usados na Odontologia, o objetivo neste estudo foi avaliar à ação da radiação aplicada com o aumento de dose e determinar quais possíveis alterações ocorreram na estruturas químicas destes materiais restauradores. Foram confeccionados 25 corpos de prova de cada material, seguindo as recomendações do fabricante e após o período de estabilização dos materiais, foram aplicadas as doses fracionadas de 0,25Gy. Os corpos de prova foram separados em 5 grupos, dentre eles o grupo G1, controle não irradiado, e os grupos G2, G3, G4 e G5, que receberam as doses de 0,25Gy; 0,50Gy; 0,75Gy; e 1,00Gy respectivamente de radiação gama de Cobalto 60. Após um mês da radiação, os corpos de prova foram secos e triturados para a análise espectrométrica. O método usado foi a espectrometria de FTIR com refletância difusa. De acordo com a metodologia empregada e os resultados obtidos, foi possível observar que a radiação ionizante interagiu com todos os materiais odontológicos estudados os quais apresentaram padrão de modificação não linear com aumento da dose de radiação. Vários grupos funcionais se apresentaram susceptíveis, tanto na fração orgânica como na fração inorgânica. Ocorreram alterações na estrutura química de todos materiais irradiados apresentando flutuações quantitativas dos grupos funcionais / Abstract: The influence of the ionizing radiation from diagnosis radiographic exams or radiotherapy treatment in dental materials as resin composite, glass ionomer and ceramic dental is not wide known. Trying a better understanding about the ionizing radiation influence in the chemical behavior, in molecular scale, of the esthetics restoration materials used in the dentistry, our aim with this study was to evaluate the radiation action using a different dose to determine which possible alterations in the chemical structures happened. Twenty-five specimens of each material were performed, following the manufacturer's recommendations, after the materials stabilization period, 0.25Gy fractional doses gamma radiation 60Co were applied. The specimens were separated in 5 groups; group G1, control group not irradiated, and the groups G2, G3, G4 and G5 irradiated with 0.25Gy; 0.50Gy; 0.75Gy; and 1.00Gy respectively. One month after radiation applying, the specimens were dried and triturated for spectrometric analysis. The used method was FTIR spectrometric with diffuse reflectance. According to used methodology and the obtained results, it was possible to observe that the ionizing radiation interacted with all this studied dental materials, which had non lineal pattern of modification with radiation dose increase. Several functional groups are susceptible, as well as in the organic fraction and in the inorganic fraction. All the irradiated materials had alterations in the chemical structure presenting quantitative fluctuation of the functional groups / Mestrado / Radiologia Odontologica / Mestre em Radiologia Odontológica

O presente trabalho teve como objetivo avaliar as alterações causadas pela radiação ionizante em diferentes tipos e quantidades de produtos ricos em amido (farinhas de trigo, de mandioca, centeio, trigo integral, polpa de banana verde e milho) nas características reológicas, tecnológicas, físicas e de textura. As amostras foram irradiadas em fonte de 60Co, com doses de 1, 3 e 9kGy, e taxa de dose 2kGy/h. Foram estudadas a energia de deformação e a extensibilidade, para farinhas de trigo forte e fraca e observou-se o comportamento das características reológicas um, cinco e trinta dias após a irradiação. A característica tecnológica estudada, por até 1 mês após irradiação, foi a atividade enzimática das farinhas de trigo forte e fraca irradiadas. As características físicas: altura, peso e perda de umidade e textura de fatias de pães confeccionadas com a substituição parcial (30%) da farinha de trigo por diferentes farinhas irradiadas foram estabelecidas. Os resultados mostraram que com o aumento da dose de radiação houve uma diminuição no valor da atividade enzimática, principalmente a 9kGy, desta forma não haveria necessidade do acréscimo de melhoradores enzimáticos na elaboração de pães. A altura, o peso, e a perda de umidade dos pães apresentaram diversos comportamentos dependendo do tipo de produto utilizado na sua formulação em substituição à farinha de trigo. Com o aumento da dose de radiação aplicada, houve um aumento na altura dos pães, bem como, diminuição da perda de umidade para a farinha de trigo e farinha de trigo contendo 30% de farinha de banana verde. Do ponto de vista tecnológico, a atividade enzimática não foi negativamente afetada pela radiação. Considerando as características estudadas, a aplicação da dose de 9kGy seria recomendável visando a produção de pães de forma. Embora o processo de irradiação seja geralmente aplicado na preservação da qualidade higiênica de produtos alimentícios, a irradiação de farinhas induz algumas características tecnológicas benéficas para seu uso na produção de pães. / In this work, an evaluation of the changes caused by ionizing radiation in different types and quantities of products rich in starch (wheat flour, cassava, rye, whole wheat, green banana pulp and maize) on rheological, technological, physical and texture characteristics was studied. The samples were irradiated in a 60Co source with doses up to 10kGy, and dose rate about 2kGy/h. It was studied the force and the extensibility of strong and weak wheat flours and the rheological behavior was observed for one, five and thirty days after irradiation. The technological characteristic studied for up to 1 month after irradiation, was the enzymatic activity of the irradiated, weak and strong flours. The physical characteristics: height, weight and moisture loss and texture of loaves made with a partial replacement (30%) of wheat flour by different irradiated flours was established. The results showed that with the increase of radiation dose there was an increase of enzymatic activity, especially for higher doses (9kGy). These results corroborate for the understanding that there would be no need of addition of enzymatic improvers for the bread confection. The height, weight, and loss of moisture from the products developed with different substitutions of flours used in the formulations, showed different behaviors. With an increasing of the radiation dose applied, there was an increase in the height of the loaves, as well as a reduced loss of moisture on the products developed with substitution of 30% of the wheat flour with irradiated wheat flour and pulp of green banana flour. From a technological standpoint, the enzymatic activity was not adversely affected by radiation. Considering the characteristics studied, the dose of 9kGy would be recommended seeking the production of loaves. Although the irradiation process is generally applied in the preservation of hygienic quality of food products, its use on different kinds of flours used in bread production may induce some beneficial technological characteristics.

Componentes eletrônicos, quando empregados em veículos espaciais, estão sujeitos a condições ambientais adversas, dentre elas a contínua exposição à radiação ionizante proveniente dos ciclos solares e de origem cósmica. Os componentes genuinamente fabricados para esta finalidade são aqueles que possuem a propriedade de resistência a dose acumulada total de radiação ionizante (radiation-hardness), e são denominados rad-hard. Entretanto, uma regulamentação do governo americano dificulta a aquisição deste tipo de componente. Dessa forma, a alternativa encontrada pela comunidade espacial é a utilização de componentes de mesma funcionalidade, porém de fácil aquisição no mercado, os chamados componentes de prateleira ou COTS (Commercial-Off-The Shelf Devices for Space Applications). Para a garantia de sua durabilidade no tempo previsto para a missão espacial o componente COTS a ser empregado deve ser qualificado quanto à sua resposta e tolerância à dose de radiação ionizante acumulada no ambiente espacial. Com o observado aumento na utilização desses dispositivos, a importância de testes baseados em solo para os efeitos da dose total ionizante (TID) a fim de qualificar tais dispositivos para vôo, têm se tornado importante para a garantia da qualidade do sistema onde será empregado. As novas formas utilizando tecnologias de dimensões cada vez mais reduzidas, nas quais esses dispositivos são utilizados também realça a necessidade de testes específicos de aplicação a fim de assegurar sua operação com característica e a capacidade de atender os requisitos operacionais para atingir os objetivos da missão. Esta qualificação é realizada em testes laboratoriais em solo empregando fontes de radiação ionizante. No presente trabalho é apresentada a qualificação de um conversor DC-DC da série LM2596 de reguladores de tensão, quanto à sua tolerância aos efeitos acumulados de dose de radiação ionizante, conhecido na literatura internacional por TID (total ionizing dose). Os reguladores de tensão desta série são circuitos integrados monolíticos que fornecem todas as funções ativas para um regulador chaveado (Buck) step-down capaz de suprir uma corrente de carga de até 3A com excelente regulação de carga e de linha. O trabalho caracteriza-se por submeter o componente à exposição à radiação ionizante proveniente de uma fonte de 60Co. Os experimentos permitiram verificar o desempenho do regulador através de sua tensão de saída para cargas contínuas e cargas variadas. Aliado à literatura e publicações diversas os trabalhos consistiram na análise experimental e simulada do componente, permitindo avaliar os efeitos da radiação sobre os principais parâmetros nos blocos funcionais do dispositivo.

Efeitos de radiação em dispositivos eletrônicos são uma preocupação em diversas áreas, como em missões espaciais, aceleradores de partículas de alta energia, entre outras. Entre os efeitos de radiação induzidos por íons pesados estão os chamados de Efeitos de Eventos Isolados (Single Event Effects - SEE), nos quais o impacto de um único íon pode ser capaz de gerar um efeito observável. Estes efeitos nunca haviam sido estudados no Brasil e seu estudo requer um acelerador de partículas capaz de prover feixes de íons pesados com baixo fluxo. A caracterização de dispositivos é feita medindo-se o número de eventos induzidos por radiação em função da transferência de energia por unidade de comprimento (Linear Energy Transfer - LET) do íon na camada sensível do dispositivo. Neste trabalho desenvolvemos um sistema para produção de feixes pesados para estudar SEE no Acelerador Pelletron 8UD, utilizando espalhamento Rutherford. A montagem permite obter feixes iônicos com valores de LET na superfície de silício na faixa de 1 a 40 MeV/mg/2. O valor de LET na camada sensível do dispositivo depende da espessura de sua camada de passivação. Feixes pesados até 48 podem ser utilizados para irradiações com feixe externo, isto é, fora da câmara de vácuo, e até 107 em vácuo, com uniformidade em intensidade acima de 90%. A caracterização do MOSFET 3N163 foi a primeira medida bem-sucedida de SEE no Brasil, e foi possível correlacionar o LET dos íons com a amplitude do sinal gerado no dispositivo sob teste. A curva de seção de choque de SEE foi obtida, e para o dispositivo estudado os valores obtidos de seção de choque de saturação e LET de limiar foram de 2,94(10)105 2 e 2,35(36)MeV/mg/2 respectivamente. / Radiation effects on electronic devices are a main concern for many situations, such as space applications, high-energy particle accelerators, nuclear medicine, among others. A group of radiation effects induced by heavy-ions are called Single Event Effects, because a strike of a single ion can be enough to generate a damage on electronic devices. So far, SEE were not studied in Brazil due to the need of a high-energy, lowflux particle accelerator. Device characterization is done by measuring the number of events as a function of Linear Energy Transfer of the ion beam on the sensitive layer of the device under test (DUT). In this work we developed a Rutherford scattering setup for studying SEE at Sao Paulo 8UD Pelletron Accelerator. The setup can provide ion beams with Linear Energy Transfer values on the silicon surface ranging from 1 to 40 MeV/mg/2. The values on the active layer of the device depend upon the thickness of the dead-layer of the device. Ion beams up to 48 can be used for irradiation of devices outside the vacuum chamber and up to 107 inside the vacuum chamber, with a uniformity better than 90%. The characterization of the MOSFET 3N163 was the first successful measurement of heavy-ion induced SEE in Brazil, and it was possible to correlate ion LET with signal amplitude generated by the DUT. A complete SEE cross-section curve was obtained, and for the device studied the values of saturation cross-section and threshold LET are 2.94(10).105 2 and 2.35(36) MeV/mg/2,respectively

Orientador: Raimundo Leite Cruz / Banca: Antonio Evaldo Klar / Banca: Antônio de Pádua Sousa / Banca: Emerson Galvani / Banca: Hildeu Ferreira da Assunção / Resumo: Para a realização desse estudo utilizou-se uma base de dados de 10 anos obtidos junto ao Departamento de Engenharia Rural - Setor de Irrigação e Drenagem da Faculdade de Ciências Agronômicas da Universidade Estadual Paulista, Campus de Botucatu-SP, com as seguintes coordenadas geográficas: latitude de 22°51'S; longitude de 48°26'W e altitude 786m na cidade de Botucatu, Estado de São Paulo. O presente trabalho teve como objetivo a calibração e estimativa da irradiação solar global diária em Botucatu, SP, utilizando medidas de temperaturas do ar máxima e mínima por meio do programa RadEst3.0. Esse faz a utilização de quatro modelos para tal estimativa que são: Bristow-Campbell (BC); Campbell-Donatelli (CD); Donatelli-Belochi (DB) e Modular DCBB (DCBB). Pelos resultados podemos concluir que: as modificações aplicadas aos modelos de DB e DCBB, contabilizando o efeito sazonal da variação de temperatura, e utilizando uma função trigonométrica específica para regiões tropicais, contribuíram para o alcance dos melhores resultados. Deve-se, no entanto salientar que todos os modelos propostos são adequados para a estimativa da irradiação solar global, e seu uso depende do grau de precisão que se deseja atingir e da disponibilidade de medidas das temperaturas do ar máxima e mínima. Mas, para a obtenção de melhores resultados deve-se realizar a calibração dos modelos para a região em estudo. / Abstract: For the composition of this paper it was used 10 year database from Rural Engineering Department - Irrigation and Draining Sector of Paulista State University's Agronomical Science College, Botucatu-SP campus, with the following geographic coordenates: latitude 22°51'S; longitude 48º26'W and altitude 786m in Botucatu City, São Paulo State. This paper focused the daily global solar irradiation estimate in Botucatu, SP, using air temperature (maximum and minimum) by RadEst3.0 program. This program uses four models for to get these estimates: Bristow-Campbell (BC), Campbell-Donatelli (CD), Donatelli-Belochi (DB) and Modular DCBB (DCBB). By results, it was concluded that the changes applied to the DB and DCBB models, in adition to the effect of the temperature variation, and using a specific trigonometric function to tropical regions, contributed to reach better results. However, it ought to be emphasize that all proposed models are appropriated to the global solar irradiation estimate, and its use depends on the level of precision that has to be reached and the availability of the maximum and minimal air temperatures measures. But, to get best results, the models used to the analised region must be calibrated. / Doutor

Efeitos de radiação em dispositivos eletrônicos são uma preocupação em diversas áreas, como em missões espaciais, aceleradores de partículas de alta energia, entre outras. Entre os efeitos de radiação induzidos por íons pesados estão os chamados de Efeitos de Eventos Isolados (Single Event Effects - SEE), nos quais o impacto de um único íon pode ser capaz de gerar um efeito observável. Estes efeitos nunca haviam sido estudados no Brasil e seu estudo requer um acelerador de partículas capaz de prover feixes de íons pesados com baixo fluxo. A caracterização de dispositivos é feita medindo-se o número de eventos induzidos por radiação em função da transferência de energia por unidade de comprimento (Linear Energy Transfer - LET) do íon na camada sensível do dispositivo. Neste trabalho desenvolvemos um sistema para produção de feixes pesados para estudar SEE no Acelerador Pelletron 8UD, utilizando espalhamento Rutherford. A montagem permite obter feixes iônicos com valores de LET na superfície de silício na faixa de 1 a 40 MeV/mg/2. O valor de LET na camada sensível do dispositivo depende da espessura de sua camada de passivação. Feixes pesados até 48 podem ser utilizados para irradiações com feixe externo, isto é, fora da câmara de vácuo, e até 107 em vácuo, com uniformidade em intensidade acima de 90%. A caracterização do MOSFET 3N163 foi a primeira medida bem-sucedida de SEE no Brasil, e foi possível correlacionar o LET dos íons com a amplitude do sinal gerado no dispositivo sob teste. A curva de seção de choque de SEE foi obtida, e para o dispositivo estudado os valores obtidos de seção de choque de saturação e LET de limiar foram de 2,94(10)105 2 e 2,35(36)MeV/mg/2 respectivamente. / Radiation effects on electronic devices are a main concern for many situations, such as space applications, high-energy particle accelerators, nuclear medicine, among others. A group of radiation effects induced by heavy-ions are called Single Event Effects, because a strike of a single ion can be enough to generate a damage on electronic devices. So far, SEE were not studied in Brazil due to the need of a high-energy, lowflux particle accelerator. Device characterization is done by measuring the number of events as a function of Linear Energy Transfer of the ion beam on the sensitive layer of the device under test (DUT). In this work we developed a Rutherford scattering setup for studying SEE at Sao Paulo 8UD Pelletron Accelerator. The setup can provide ion beams with Linear Energy Transfer values on the silicon surface ranging from 1 to 40 MeV/mg/2. The values on the active layer of the device depend upon the thickness of the dead-layer of the device. Ion beams up to 48 can be used for irradiation of devices outside the vacuum chamber and up to 107 inside the vacuum chamber, with a uniformity better than 90%. The characterization of the MOSFET 3N163 was the first successful measurement of heavy-ion induced SEE in Brazil, and it was possible to correlate ion LET with signal amplitude generated by the DUT. A complete SEE cross-section curve was obtained, and for the device studied the values of saturation cross-section and threshold LET are 2.94(10).105 2 and 2.35(36) MeV/mg/2,respectively

O presente trabalho teve como objetivo avaliar as alterações causadas pela radiação ionizante em diferentes tipos e quantidades de produtos ricos em amido (farinhas de trigo, de mandioca, centeio, trigo integral, polpa de banana verde e milho) nas características reológicas, tecnológicas, físicas e de textura. As amostras foram irradiadas em fonte de 60Co, com doses de 1, 3 e 9kGy, e taxa de dose 2kGy/h. Foram estudadas a energia de deformação e a extensibilidade, para farinhas de trigo forte e fraca e observou-se o comportamento das características reológicas um, cinco e trinta dias após a irradiação. A característica tecnológica estudada, por até 1 mês após irradiação, foi a atividade enzimática das farinhas de trigo forte e fraca irradiadas. As características físicas: altura, peso e perda de umidade e textura de fatias de pães confeccionadas com a substituição parcial (30%) da farinha de trigo por diferentes farinhas irradiadas foram estabelecidas. Os resultados mostraram que com o aumento da dose de radiação houve uma diminuição no valor da atividade enzimática, principalmente a 9kGy, desta forma não haveria necessidade do acréscimo de melhoradores enzimáticos na elaboração de pães. A altura, o peso, e a perda de umidade dos pães apresentaram diversos comportamentos dependendo do tipo de produto utilizado na sua formulação em substituição à farinha de trigo. Com o aumento da dose de radiação aplicada, houve um aumento na altura dos pães, bem como, diminuição da perda de umidade para a farinha de trigo e farinha de trigo contendo 30% de farinha de banana verde. Do ponto de vista tecnológico, a atividade enzimática não foi negativamente afetada pela radiação. Considerando as características estudadas, a aplicação da dose de 9kGy seria recomendável visando a produção de pães de forma. Embora o processo de irradiação seja geralmente aplicado na preservação da qualidade higiênica de produtos alimentícios, a irradiação de farinhas induz algumas características tecnológicas benéficas para seu uso na produção de pães. / In this work, an evaluation of the changes caused by ionizing radiation in different types and quantities of products rich in starch (wheat flour, cassava, rye, whole wheat, green banana pulp and maize) on rheological, technological, physical and texture characteristics was studied. The samples were irradiated in a 60Co source with doses up to 10kGy, and dose rate about 2kGy/h. It was studied the force and the extensibility of strong and weak wheat flours and the rheological behavior was observed for one, five and thirty days after irradiation. The technological characteristic studied for up to 1 month after irradiation, was the enzymatic activity of the irradiated, weak and strong flours. The physical characteristics: height, weight and moisture loss and texture of loaves made with a partial replacement (30%) of wheat flour by different irradiated flours was established. The results showed that with the increase of radiation dose there was an increase of enzymatic activity, especially for higher doses (9kGy). These results corroborate for the understanding that there would be no need of addition of enzymatic improvers for the bread confection. The height, weight, and loss of moisture from the products developed with different substitutions of flours used in the formulations, showed different behaviors. With an increasing of the radiation dose applied, there was an increase in the height of the loaves, as well as a reduced loss of moisture on the products developed with substitution of 30% of the wheat flour with irradiated wheat flour and pulp of green banana flour. From a technological standpoint, the enzymatic activity was not adversely affected by radiation. Considering the characteristics studied, the dose of 9kGy would be recommended seeking the production of loaves. Although the irradiation process is generally applied in the preservation of hygienic quality of food products, its use on different kinds of flours used in bread production may induce some beneficial technological characteristics.

O câncer de pele é um dos mais frequentes entre humanos, sendo o melanoma o tipo menos comum, mas com grande importância devido à agressividade que ele apresenta. Um dos principais agentes etiológicos deste tipo de tumor é a radiação ultravioleta proveniente da luz solar. A fração de radiação ultravioleta B (UVB) gera dano no DNA e induz alterações nas células da pele após a exposição prolongada e sem proteção. A resposta à luz UVB em melanócitos e melanomas é diferente, mostrando a importância do perfil celular. O efeito genotóxico da luz UVB pode alterar a expressão de moléculas como galectina-3 e MAPKs, desencadeando respostas UVB-dependentes. Galectina-3 é uma lectina que reconhece beta-galactosídeos e está envolvida na regulação de diversos processos celulares que modificam a viabilidade celular e a proliferação. Esta molécula é ubiquamente expressa apresentando um comportamento específico dependendo da sua localização subcelular. No presente trabalho mostramos que a distribuição de galectina-3 em melanoma e melanócitos é ampla, encontrando-se tanto no núcleo como no citoplasma, podendo ser modificada após irradiação UVB ou ainda secretada para o meio extracelular. Além disso, observamos que a luz UVB ativa a via de MAPKs, proteínas quinases ativadas por mitógenos envolvidas no crescimento, sobrevivência, diferenciação e resposta a estresse, em melanócitos e em melanomas poucos minutos após a exposição à UVB. Uma maior atividade de p38 e de ERK é evidenciada em melanomas, enquanto que em melanócitos a via de p38 é a mais ativa, corroborando a noção de que a resposta celular à luz UVB difere entre melanócitos e melanoma. As moléculas p38 e JNK são proteínas quinases ativada pelo estresse (SAPK). A via de JNK não é tão responsiva em alguns melanomas, mas ativação desta molécula parece estar envolvida com a sobrevivência celular e a translocação mitocondrial após UVB. Em adição, a inibição de JNK leva ao aumento de morte celular em linhagens melanocíticas irradiadas e não irradiadas, e em melanoma induz morte e aumenta autofagia após irradiação. Esta molécula parece interagir com galectina-3 em modelos murinos, mas não em melanomas humanos, enquanto que ERK interage fisicamente com galectina-3 em melanócitos e melanomas humanos, independente de UVB. Através do silenciamento de galectina-3 pela técnica de RNA de interferência, mostramos o aumento da ativação da via de ERK após irradiação e de proteínas downstream de ERK, promovendo a proliferação celular em melanomas nessas condições. Em melanócitos parece existir uma regulação negativa da via de ERK por galectina-3 acompanhada de uma diminuição da viabilidade celular após o silenciamento dessa lectina, independente de UVB. Estes resultados mostram que galectina-3 é uma importante reguladora de eventos associados com sobrevivência e morte celular em melanoma. Por outro lado, em melanomas a ausência de galectina-3 induz aumento da proliferação associada à ativação de ERK, evidenciando a importância do tipo celular na ação de galectina-3 / Skin cancer is the most common cancer among humans, melanoma being the least common type but very important due to its aggressive behavior. A major etiologic agent of this type of tumor is ultraviolet radiation from the sunlight. The ultraviolet B rays (UVB) cause DNA damage and induce alterations over the skin cells after prolonged exposition without protection. The UVB response in melanocytes and melanoma cells is different. This shows the importance of the cellular profile. The genotoxic effect of UVB light can alter the expression of molecules such as galectine-3 and MAPKs and also triggers multiple responses UVB-dependent. Galectin-3 is a lectin that recognizes beta-galactosides. It is involved in the regulation of many cellular processes that modify cellular viability and proliferation and presents specific behavior depending on its subcellular localization. In the present study we showed that galectine-3 distribution in melanoma cells and melanocytes is large, lying both in the nucleus and in the cytoplasm. After UVB irradiation this distribution could be modified or even galactine-3 secreted itself into the extracellular space. Moreover, we observed that UVB light activates the mitogen-activated protein kinase pathway (MAPK) involved in growth, survival, differentiation and stress-response in melanocytes and in melanoma cells just a few minutes after exposure. An increased activity of p38 and ERK was observed in melanomas, while in melanocytes just p38 pathway was highly active, supporting the notion that the cellular response to UVB light differs between melanocytes and melanoma cells. The molecules p38 and JNK are stress-activated protein kinases (SAPK). The JNK pathway is not responsive in some melanoma cells, but the activation of this molecule appears to be involved in cell survival and mitochondrial translocation after being exposed to UVB. Inhibition of JNK leads to increased cell death in irradiated and non-irradiated melanocytic lineage, but in melanoma cells induces cell death and increased autophagy only after irradiation. This molecule seems to interact with galectin-3 in mouse models but not in human melanomas, whereas ERK physically interacts with galectin-3 in human melanocytes and melanoma cells, regardless of UVB exposure. Through the knockdown of galectin-3 by siRNA, we showed increased activation of the ERK and its downstream pathway after irradiation, thus inducing cell proliferation. In melanocytes seems to be a negative regulation of the ERK pathway by galectin-3 accompanied by a decrease in cell viability after its knockdown regardless of UVB exposure. These results show that galectin-3 is an important regulatory molecule of events associated with cell death and survival in melanoma, which has different behavior depending on the cell type

Submitted by Stephany Silva (stephany.silva@cpqam.fiocruz.br) on 2016-09-16T13:46:13Z No. of bitstreams: 1 2015lima-kfa.pdf: 3114947 bytes, checksum: 0d9150a2df9afa75d5a290834a43483a (MD5) / Approved for entry into archive by Adagilson Silva (adagilson@cpqam.fiocruz.br) on 2016-09-16T19:22:48Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2015lima-kfa.pdf: 3114947 bytes, checksum: 0d9150a2df9afa75d5a290834a43483a (MD5) / Made available in DSpace on 2016-09-16T19:22:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2015lima-kfa.pdf: 3114947 bytes, checksum: 0d9150a2df9afa75d5a290834a43483a (MD5) Previous issue date: 2015 / Fundação Oswaldo Cruz. Centro de Pesquisas Aggeu Magalhães. Recife, PE, Brasil / Este estudo avaliou o desempenho biológico e reprodutivo de machos de Aedes aegypti esterilizados por radiação gama e seu potencial para uso no controle da espécie, através da técnica do inseto estéril (TIE). A eficácia de esterilização de diferentes doses de radiação gama, 30, 40 e 50 Gy, foi avaliada em machos irradiados (MI) na fase de pupa. O seu efeito sobre a longevidade e competitividade de acasalamento dos MI, sobre a fecundidade e fertilidade das fêmeas acasaladas com estes machos, bem como de fêmeas também irradiadas (FI), foram parâmetros analisados. Os testes de competitividade foram conduzidos em gaiolas teladas (2 X 2 m) em condições simuladas de campo, onde foram liberados machos irradiados e machos não irradiados (MNI), nas seguintes proporções: 5:1, 10:1 e 15:1. Os resultados revelaram que o fitness biológico e reprodutivo dos mosquitos são afetados pela radiação, de modo que os efeitos são diretamente proporcionais a dose de radiação utilizada. O parâmetro de longevidade apresentou diferenças significativas, tanto quando os MI foram analisados de forma individual quanto em grupo. Para a maior dose, MI e FI viveram em média 19,6 ± 2,2 dias e 25,8 ± 2,2 dias, respectivamente, enquanto que no grupo controle, estes valores foram de 24,9 ± 2,5 dias e 30,4 ± 2,5 dias. Foi observado também um efeito da radiação na fecundidade das fêmeas irradiadas (FI), visto que 100 por cento delas não realizaram postura e na fertilidade de machos irradiados (MI), expostos às doses de 40 e 50 Gy, cujo cruzamento com fêmeas não irradiadas promoveu cerca de 80 por cento e 100 por cento de inviabilidade dos embriões. Nos experimentos de competitividade, na menor proporção (5:1) apenas 24,5 por cento dos ovos estavam inviáveis, enquanto que nas proporções maiores (10:1 e 15:1) este percentual aumentou para cerca de 80 por cento. Estes resultados sugerem que para a supressão de A. aegypti pela TIE, em campo, será necessária uma quantidade de machos estéreis, pelo menos, 10 vezes maior do que a de machos selvagens. Em conclusão, machos esterilizados por radiação gama parecem ser competitivos e com potencial para uso nas condições locais de campo, como um método espécie-específico de controle para A. aegypti (AU)