Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T02:13:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Guimaraes_HomeroLuz_M.pdf: 6804076 bytes, checksum: 1b5a1b176e6474ebf0cc48684a13c212 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Neste trabalho apresentamos uma nova técnica de conversão analógico-digital de alta velocidade, que usa processamento em corrente, ao invés de tensão. Este conversor usa um algoritmo baseado no chaveamento de correntes de uma forma híbrida entre o método de aproximação sucessiva e o conversor tipo "flash", sendo necessários apenas N comparadores para implementar um conversor A/D de N bits, no lugar dos '2 POT. N¿ comparadores usuais usados em um conversor do tipo "flash" convencional. O trabalho está dividido em 5 capítulos: no primeiro apresentamos uma revisão sucinta dos métodos usuais de conversão A/D de alta velocidade; no segundo introduzimos o algoritmo empregado, a nova estrutura proposta para implementa-lo e também fazemos uma análise dos erros que afetam o projeto do conversor A/D; no terceiro capítulo é apresentado o projeto de um circuito integrado, em tecnologia bipolar, de um conversor A/D de 6 bits, visando aplicações em vídeo; no quarto capítulo apresentamos o projeto de um conversorA/D de 4 bits experimental, que foi integrado, em tecnologia bipolar, na SID Microeletrônica, no I PMU Bipolar; finalmente, no quinto capítulo relatamos os resultados experimentais obtidos. As medidas feitas nos vários blocos do circuito revelaram a viabilidade de operação do conversor com freqüências da ordem de 20 MHz, usando um processo bipolar convencional, isolado por junções. Esta velocidade de conversão pode ser bem maior caso se use um processo bipolar moderno, isolado por óxido e com transistores de alta velocidade,que possuem 'f IND. t¿ cerca de 60 vezes maior do que o dos transistores usados na fabricação do protótipo, que era de aproximadamente 300 MHz / Abstract: A newcurrent-mode highspeed Analog-to-Digitalconversiontechnique ispresented. This converter uses an algorithm based on current switching.similarto the SuccessiveApproximation Converter. but with a conversion speed comparableto the flashconverter. Only N comparators are necessary to implement a N-bit converter. instead of the '2 POT. N¿ comparators used in a standard flash converter. This thesis is composed of five chapters: In the first chapter we present a concise revision of some architectures for high speed A/D conversion; in the seconde chapter we introduce the algorithm and the new proposed architecture. An error analysisof the parameters that play an important role in the design of the converter; in the third one we present the design of an integrated 6-bit high speed A/D converter for video applications; the fourth chapter is dedicated to the design of a experimental4-bit A/D converter IC. The Ic was fabricated by SID Microeletrônica. in the 1Brazilian Multi-Project Chip (I PMU); the fourth chapter is dedicated to the design of a experimental 4-bit A/D converter IC. The Ic was fabricated by SID Microeletrônica. in the 1 Brazilian Multi-Project Chip (I PMU). The experimental results measured in the integrated circuit shows that the proposed technique can convert signalswith frequencies up to 20 MHz using a standard junction isolated bipolar processoThis frequency can be muchgreater irone uses an up-to-date high speed bipolar process, which have transistors with 'f IND. t¿ typicaly near 60 times larger than those available in the process used to fabricate the prototype (about 300 MHz) / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Valdeci Pereira Mariano de Souza / Banca: Ricardo Paupitz B. dos Santos / Banca: Lúcio Campos Costa / Resumo: O fenômeno da supercondutividade atualmente um dos mais relevantes tópicos na Física da Matéria Condensada, tornando os sistemas fortemente correlacionados um tópico de grande interesse devido à possibilidade de estudar os aspectos fundamentas da interação elétron-elétron, que são o âmago da supercondutividade. Desta forma, a classe de condutores moleculares (TMTTF)2X (onde TMTTF é tetrametiltetratiafuvaleno e X é um contra-ânion) desempenha um papel sistemático e fundamental no estudo de tais aspectos de correlação. Nesta tese de mestrado, os materiais de interesse foram o (TMTTF)2PF6-H12 e o (TMTTF)2PF6-D12, onde uma anomalia na constante dielétrica diferente para os dois sais foi observada na transição ferroelétrica de Mott-Hubbard através de medidas de constante dielétrica quasi-estática no eixo c* (contribuição iônica) e o comportamento tipo relaxor da variante hidrogenada foi analisado com base na teoria de campo médio. Uma revisão de transições de fase clássicas e quânticas também foi realizada com o objetivo de estudar o chamado efeito magneto-calórico para o modelo do paramagneto de Brillouin (o parâmetro de Grüneisen magnético), que é uma grandeza Física única e poderosa para detectar experimentalmente uma transição de fase quântica induzida por campo magnético em um sistema real. Ainda, um estudo comparativo entre as fases delta (hexagonal) e delta' (tetragonal) da liga binária FeSe1-x foi realizado e monocristais foram sintetizados utilizando o método de síntese d... (Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo) / Abstract: The phenomenon of superconductivity is currently one of the most relevant topics in Solid State Physics, making strongly correlated systems a very highattractive topic due to the possibility of studying the fundamental aspects of the electron-electron interaction that are the core of superconductivity. Thus, the class of molecular conductors (TMTTF)2X (where TMTTF is tetramethyltetrathiafuvalene and X is a counter-anion) plays a systematic and fundamental role to study such correlation aspects. In this Master Thesis, the materials of interest were the (TMTTF)2PF6-H12 and (TMTTF)2PF6-D12, where a different dielectric anomaly at the Mott-Hubbard ferroelectric transition was observed for the two salts and the relaxor behavior of the hydrogenated variant was analysed based on the mean-field theory. A review of classical and quantum phase transitions was performed aiming to study the so-called magneto-caloric effect (the magnetic Grüneisen parameter) for the Brillouin paramagnet model, which is a powerful and unique physical quantity to experimentally detect a quantum phase transition induced by magnetic field in a real system. Also, a comparative study between the (hexagonal) and (tetragonal) phases of the binary alloy FeSe1-x was performed and single-crystals were synthesized employing the solid-state reaction method in order to achieve the phase / Mestre

Neste trabalho propomos um modelo molecular geral para o estudo da estrutura eletrônica de sólidos covalentes, utilizando o método do Espalhamento Múltiplo. Aplicamos o modelo ao cristal de GaAs com aglomeradosde 17 átomos. Analisamos os efeitos produzidos pelos elétrons pertencentes aos orbitais flutuantes, evidenciando a necessidade de tratarmos corretamente às condições de contôrno do aglomerado. Apresentamos os resultados para o gap de energia, largura da faixa de valência e a curva densidade de estados, resultados estes que concordam satisfatoriamente com a experiência. Utilizando o modelo proposto, estudamos ainda defeitos pontuais no cristal de GaAs tais como vacância de gálio, vacância de arsênio e impurezas substitucionais de cobre e selênio. A simulação de uma vacância de gálio no GaAs provocou o aparecimento de um nível de energia aceitador (profundo) e a vacância de arsênio provocou o aparecimento de 2 níveis doadores (profundos). Com a introdução de uma impureza de cobre no GaAs surgiu um nível aceitador energeticamente próximo ao nível produzido pela vacância de gálio. A impureza de selênio no GaAs provocou o aparecimento de um nível doador (raso) próximo a faixa de condução. Todos os resultados acima apresentados concordam perfeitamente com a evidência experimental. Por último incluímos o operador de massa de Ferreira-Leite para o estudo de níveis rasos de impureza. A partir dos resultados obtidos neste trabalho e da generalidade do modelo proposto abre-se um vasto campo para o estudo defeito em sólidos covalentes. / A molecular cluster model of tetrahedrally coordinated covalent semiconductors is proposed. The boundary condition at the cluster surface is the crucial problem. A general solution to this problem is suggested. The energy spectra of GaAs cluster with seventeen atoms are obtained within the framework of the selfconsistent field multiple scattering method. A critical analysis of the \"dangling bonds\" effects on the electronic structure of the cluster is performed, and a suitable simulation of the rest of the crystal at the cluster boundaries is discussed. lt is show that the main features of the perfect crystal electronic structure emerge from the cluster spectrum, when the proposed boundary condition is assumed. The model was applied to \"the study of the electronic structure of vacancies and substitutional impurities in GaAs. The proposed cluster model leads to the correct location of the electronic levels, introduced by the .impurity, with respect to the band edges. The agreement between the calculated results and the experimental ones suggests that the molecular cluster approach proposed is reliable to deal with a wide range of problems associated with the electronic structure of perfect and imperfect IV and III-V covalent semiconductors.

O trabalho apresenta um modelo para a descrição autoconsistente da polarização de spin em sistemas atômicos, onde o elétron e tratado como uma partícula de Dirac. O Hamiltoniano de interação de muitas partículas utilizado é obtido via teoria de perturbação covariante até primeira ordem em , constante de estrutura fina, e até termos da ordem (v/c)2, onde v representa a velocidade das partículas. Tal Hamiltoniano é uma boa descrição para sistemas de elétrons interagentes até uma densidade de aproximadamente 10.26 elétrons/cm3. No trabalho procura-se descrever os estados de uma partícula como \"orbitais atômicos\" e para tanto aproximações adicionais fazem-se necessárias. Além disso, a aproximação local por um gás de elétrons livres no tratamento dos termos de \"exchange\" e utilizada. Como aplicação do modelo é feito o cálculo da estrutura de multipletos para alguns sistemas atômicos. Obtém-se, também, um pequeno desdobramento em átomos com camadas fechadas (gases nobres) devido às interações magnética e de retardamento. / A relativistic, spin polarized, self-consistent, atomic system model is presented, the electrons being described as Dirac particles. The many-body interaction Hamiltonian used is correct until the orders and (v/c)2, with standing for the fine structure constant, v and c for the velocities of particles and light respectively. Such Hamiltonian may be used for the description of interacting electrons for densities lower than 10 26 electrons/cm3. The requirement for particles states as \"atomic orbitals\" implies some additional approximation. For exchange terms the local free electron gas approximation is used. As an application the multiplet structure for some atomic systems is presented. The model describes a break of degeneracy for closed shell atoms due to the magnetic and retarded interactions.

Estudamos neste trabalho a estrutura eletrônica de defeitos localizados em silício, responsáveis pela introdução de níveis profundos na faixa proibida do semicondutor. Utilizamos para tanto modelos de aglomerados moleculares dentro do formalismo do Espalhamento Múltiplo com aproximação local X para o potencial de troca (MS-X). Um tratamento adequado para os orbitais de superfície foi usado. Os defeitos estudados foram de dois tipos: defeitos simples (monovacância Si:V e oxigênio substitucional Si:O) e pares de defeitos vizinhos na rede (divacância Si : V IND 2) e par de átomos de fósforo Si: P IND 2). Os defeitos foram estudados em diferentes estados de carga (Si:O e Si : O POT -\', Si: P IND 2 e Si: P IND 2 POT + Si: V POT 0 IND 2, Si: V IND 2 POT + e Si: V POT IND 2) e no caso da divacância e do centro P IND 2 POT + foram incluídos efeitos de polarização de spin. Encontramos para todos os defeitos estudados indícios da ocorrência de efeitos Jahn-Teller. Incluímos análises das distorções dos primeiros vizinhos ao defeito nos sistemas Si: O POT , P IND 2 POT + e V POT IND 2. O modelo adotado mostrou-se capaz de descrever satisfatoriamente a estrutura eletrônica dos defeitos estudados, fornecendo resultados quantitativos que podem ser comparados diretamente com a experiência. / In this work we studied the electronic structure of deep-level defects in silicon. To do this we use molecular cluster models within the formalism of the Multiple Scattering method, in the local density functional approximation (X). The surface orbitals of the cluster are treated in a convenient way. The defects studied here were of two kinds: simple defects (single vacancy Si:V and oxygen substitutional Si:0), and pairs of defects occupying neighbouring sites in the lattice (divacancy Si :V2 and the pair of phosphoru- atoms Si :P2 ). The defects were studied in different charge states (Si:O and Si:O-, Si:P2 and Si:P+, Si:V20, SI:V2-) and for the divacancy and the center Si:P2+ the calculations were carried out to the spin-polarized limit. For all defects studied we found evidence as to the possible occurrence of Jahn-Teller effects. Analysis of nearest-neighbours distortions were included for the systems Si:O- , Si:V2+ and Si:V2-. The electronic structure of the defects studied here was satisfactorily described by the model we adopted, and quantitative results are given, that can be compared straightforwardly with experimental results.

Comparou-se a eficiência da instrumentação rotatória e manual-mecânica variando a substância auxiliar nos terços médio e apical quanto à presença da smear layer. Foram utilizados 95 dentes divididos em 4 grupos: Instrumentação manual-mecânico, Instrumentação com o sistema ProTaper, sistema RaCe e sistema 'K POT. 3', sendo os grupos irrigados com clorexidina 0,12% e hipoclorito de sódio 1%, tendo 15 dentes como controle. Ao final os dentes foram clivados em seu longo eixo, metalizados e levados ao MEV. Os resultados mostraram que não houve diferença entre os terços analisados, independente das técnicas ou das soluções. Frente à solução de hipoclorito, no terço médio e análise global, o sistema 'K POT. 3' mostrou melhores resultados. No terço apical não houve diferença estatística. Não houve diferença estatística entre as técnicas no terço médio, apical e global, quando irrigados com a Clorexidina. A análise das técnicas de instrumentação, independente das soluções e dos terços, mostrou não haver diferença estatística. A clorexidina se mostrou superior ao hipoclorito no terço médio independente da técnica de instrumentação e no terço apical as duas soluções se equipararam / This study compared the efficiency of rotary and manual-mechanical instrumentation with variations in the auxiliary chemical in the middle and apical thirds as to the presence of smear layer. The study was conducted on 95 human teeth. As a control 15 teeth were divided into 3 groups. The other teeth were according to the study conditions: manual-mechanical instrumentation; rotary instrumentation with the ProTaper; RaCe and the 'X POT. 3' Each of these groups was employed: 0.12% chlorhexidine gluconate and 1% sodium hypochlorite. Each tooth was analyzed by MEV. Analysis of the results revealed no difference between the middle and apical thirds, regardless of the techniques or solutions. When the sodium hypochlorite solution was used, concerning the middle third the 'X POT. 3' exhibited better results. The apical third and global performance did not present statistical difference. With regard to the chlorhexidine, global analysis of the middle and apical third did not reveal statistical difference. Assessment of the instrumentation techniques, regardless of the irrigants and thirds, as to the presence of smear layer, did not exhibit statistical difference. Chlorhexidine was statistically better than sodium hypochlorite at the middle third, whereas at the apical third both solutions were statistically similar

Aplicamos a técnica da função de Green em conjunto com o modelo de força de valência para estudar algumas propriedades vibracionais de redes perturbadas. Apresentamos uma descrição teórica dos modos locais de vibração de vacâncias e anti-sítios em GaAs. Incluímos efeitos de relaxação simétrica para as vacâncias. Baseados em nossos resultados, podemos concluir que o modo vibracional respiratório medido em 227 cm-1 não é devido a vacância de arsênio, conforme fora anteriormente sugerido. Aplicamos o mesmo método para o estudo da variação de densidade de estados vibracionais da vacância em silício. Efeitos de relaxação simétrica e distorção tetragonal são incluídos. Tais resultados são aplicados ao cálculo da entropia de formação deste defeito em Si. A partir destes cálculos verificamos que a vacância pode ser o defeito nativo responsável pela alta entropia de auto-difusão obtida experimentalmente. Finalmente, empregamos o modelo de aglomerado molecular e o método de Hartree-Fock para estudar a estrutura eletrônica da vacância neutra em Si. Calculamos a energia total destes sistemas quando submetidos aos efeitos simultâneos de relaxação e distorção. Verificamos que este modelo fornece resultados equivalentes aos obtidos por métodos de função de Green autoconsistente para a relaxação e apresenta a vantagem adicional de conseguir calcular a energia de distorção. Discutimos as consequências destes resultados sobre a entropia de formação de vacância. / The Green\'s-function technique within the framework of a valence-force field Hamiltonian has been used to study vibrational properties of intrinsic defects in gallium arsenide and silicon. This theoretical approach has been employed to predict the local vibrational modes for vacancies and antisites in GaAs. Symmetrical relaxation was included for vacancies. Our results indicate that the arsenjc vacancy can not explain the breathing mode recently found in 227 cm -1 by Raman studies. The same procedure has been applied to study the changes induced by an isolated vacancy to the local vibrational density of states in silicon. In order to treat the dangling bonds reconstruction, relaxation and tetragonal distortion effects have been included. These calculations have led to the formation entropy of a single vacancy in Si. It has been found that the single vacancy may play an important role in self-diffusion at high temperatures for this material. We also have performed cluster total-energy calculations to study relaxation and distortion around a silicon vacancy. These calculations were carried out under the Hartree-Fock approximation. Our results show that the cluster model, besides providing relaxation energies with the same accuracy of self consistent Green\'s-function method, has the additional advantage of calculating distortion energies. Consequences of these total-energy calculations on formation entropy of this defect have also discussed.

Neste trabalho apresentamos um estudo teórico sistemático de propriedades eletrônicas e estruturais de compostos intermetálicos que cristalizam na mesma estrutura Cllb. Realizamos este estudo utilizando o método \"Full-Potential-Linearized-Augmented Plane-Wave\"(FP-LAPW) na versão computacional do código Wien97 para a obtenção da estrutura eletrônica e do Gradiente de Campo Elétrico no núcleo (GCE). Nossos resultados teóricos de GCE são comparados com medidas efetuadas através da técnica Time differential Perturbed Angular Correlation (TDPAC), realizadas com a impureza de Ta em compostos com Zr e Hf Através da comparação de resultados teóricos e experimentais investigamos a influência da impureza no GCE. As estruturas perfeitas aqui estudadas são também otimizadas através da variação de seus parâmetros de rede e internos. / Here we present the theoretical study of structural and electronic properties of some intermetallic compounds, belonging to the common crystallographic structure of C11b type. We have performed self-consistent electronic structure calculations using the full potential linearized-augmented-plane-wave (FP-LAPW) method as embodied in the Wien97 code and determined also the electric field gradient (EFG) values for the nonequivalent sites in these systems. The applied approach is currently one of the most accurate schemes to determine the electronic structure in ordered metallic solids. By comparison of the EFG inferred from measurements at the 181Ta probe with EFG calculations without probe, we investigate the influence of the probe in compounds with Hf and Zr. Here we also study the influence of the precise knowledge of the internal structural parameters on the EFG at both metals in the pure compounds.

Orientador: Gaston Eduardo Barberis / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-09-25T14:01:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Urenda_PabloAntonioVenegas_D.pdf: 3973551 bytes, checksum: 7504f77a67438b73b83f5a64c6eaf3a3 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Neste trabalho calculamos os espectros de ressonância do CePd3:Gd e CePd3:Dy. No caso do CePd3:Gd policristalino mostramos que o comportamento térmico anômalo da largura de linha (diminuição na taxa de variação do alargamento térmico abaixa temperatura) é devido ao efeito combinado do estreitamento da estrutura fina do Gd, e ao efeito de flutuação de valência no Ce. No caso do CePd3:Dy policristalino, mostramos que o espectro de ressonância não apresenta efeitos apreciáveis de valência intermediária mas, o estreitamento das linhas de ressonância devido a interação de troca tem uma contribuição importante. No cálculo incluímos também os efeitos Zeeman e de campo cristalino / Abstract: In this work we calculate the EPR spectra of CePd3:Gd and CePd3:Dy. In CePd3:Gd powdered samples, we show that the anomalous thermal behaviour of the line width (decrease of rate of change of the thermal broadening at low T) is due to both exchange narrowing of the fine structure of Gd and Ce valence fluctuations effects. In the CePd3:Dy Case, we show that the EPR spectra do not show intermediate valence effects but the exchange narrowing of the resonance lines has an important contribution. In these calculations we include the Zeeman and crystal field effects / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Aplicamos a técnica da função de Green em conjunto com o modelo de força de valência para estudar algumas propriedades vibracionais de redes perturbadas. Apresentamos uma descrição teórica dos modos locais de vibração de vacâncias e anti-sítios em GaAs. Incluímos efeitos de relaxação simétrica para as vacâncias. Baseados em nossos resultados, podemos concluir que o modo vibracional respiratório medido em 227 cm-1 não é devido a vacância de arsênio, conforme fora anteriormente sugerido. Aplicamos o mesmo método para o estudo da variação de densidade de estados vibracionais da vacância em silício. Efeitos de relaxação simétrica e distorção tetragonal são incluídos. Tais resultados são aplicados ao cálculo da entropia de formação deste defeito em Si. A partir destes cálculos verificamos que a vacância pode ser o defeito nativo responsável pela alta entropia de auto-difusão obtida experimentalmente. Finalmente, empregamos o modelo de aglomerado molecular e o método de Hartree-Fock para estudar a estrutura eletrônica da vacância neutra em Si. Calculamos a energia total destes sistemas quando submetidos aos efeitos simultâneos de relaxação e distorção. Verificamos que este modelo fornece resultados equivalentes aos obtidos por métodos de função de Green autoconsistente para a relaxação e apresenta a vantagem adicional de conseguir calcular a energia de distorção. Discutimos as consequências destes resultados sobre a entropia de formação de vacância. / The Green\'s-function technique within the framework of a valence-force field Hamiltonian has been used to study vibrational properties of intrinsic defects in gallium arsenide and silicon. This theoretical approach has been employed to predict the local vibrational modes for vacancies and antisites in GaAs. Symmetrical relaxation was included for vacancies. Our results indicate that the arsenjc vacancy can not explain the breathing mode recently found in 227 cm -1 by Raman studies. The same procedure has been applied to study the changes induced by an isolated vacancy to the local vibrational density of states in silicon. In order to treat the dangling bonds reconstruction, relaxation and tetragonal distortion effects have been included. These calculations have led to the formation entropy of a single vacancy in Si. It has been found that the single vacancy may play an important role in self-diffusion at high temperatures for this material. We also have performed cluster total-energy calculations to study relaxation and distortion around a silicon vacancy. These calculations were carried out under the Hartree-Fock approximation. Our results show that the cluster model, besides providing relaxation energies with the same accuracy of self consistent Green\'s-function method, has the additional advantage of calculating distortion energies. Consequences of these total-energy calculations on formation entropy of this defect have also discussed.