Made available in DSpace on 2016-01-13T13:27:19Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 1997. Added 1 bitstream(s) on 2016-01-13T13:30:59Z : No. of bitstreams: 1 000134775.pdf: 1013123 bytes, checksum: 08b1dbafd74b1b2fc941f850d40101a9 (MD5)

Orientador: George Emanuel Avraam Matsas / Mestre

[pt] Este trabalho está integrado no programa geral de atividades, destinado ao projeto e a execução, no Centro Brasileiro de Pesquisas Físicas, de um Acelerador Linear de Elétrons com energia final de 50 MeV. O espectro de energia de uma máquina dessa natureza e a eficiência de captura dos elétrons pela onda estão condicionados à prévia determinação e otimização das condições de focalização axial, segundo as quais virão a ser dimensionados os parâmetros da primeira seção aceleradora, destinada a captar os elétrons injetados e transportá-los à região ultra-relativista, grupando-os simultaneamente em fase e em energia. Constitui primeiro objeto desta tese a solução do problema dessa focalização, dentro de certas ordens de grandeza, previamente fixadas para alguns parâmetros, por imposições, outras, do Projeto. A execução compreende a análise do problema, a sua adaptação ao cálculo em computador e a variação de parâmetros em cálculo numérico, efetuada de forma paralela com o levantamento de famílias de cursos e a interpretação das curvas levantadas, de modo a discernir os sentidos mais convenientes a adotar na variação acima referida, para que a otimização venha a ser obtida. O texto é conduzido até o cotejo entre as previsões teóricas e as reais condições de desempenho da seção grupadora do acelerador, dimensionada e construída segundo as prescrições fixadas ao longo desta tese. Como segundo objeto, o presente trabalho, dentro do mesmo mecanismo de procedimento, estuda o dimensionamento de um pré-grupador, atuando por modulação de velocidade, destinado a acrescentar eficiência, no mecanismo de captura dos elétrons, à seção grupadora tratada precedentemente. / [en] This work is integrated in the general schedule of activities aiming the design and setting up a Linear Electron Accelerator at the Brazilian center of Physical Research. The Linear Accelerator will provide a final energy of 50 MeV. The energy spectrum of such a device, and the electron capture efficiency of the wave are conditioned to the previous determination and optimization of the axial focusing conditions. These conditions will determine the parameters of the first accelerating unit, wich is designed to collect the injected electrons and take them to the ultra-relativistc region bunching them simultaneously by phase and by energy levels. It is the main purpose of this thesis to solve the problem of focusing, within certain conditions imposed on some parameters by other aspacts of the project. The work comprises the analysis of the problem, its adaptation to electronic computing and the numerical variation of the parameters, together with the plotting and interpretation of the curves, to choose the most convenient directions of change to adapt on the parameters, to attain optimization. The text goes as far as comparing the theoretical predictions with the measured performance of the bunching unit, designed and built as prescribed in this thesis. As a second object, with the same procedure, we studied the design of a pre-buncher, acting on velocity-modulation, to improve the electron capture efficiency of the bunching unit mentioned above.

Orientador: Vicente Pleitez / Banca: Juan Carlos Montero Garcia / Banca: Ricardo D'Elia Matheus / Banca: João Pacheco Bicudo Cabral de Melo / Banca: Marcelo Moraes Guzzo / Resumo: Nós calculamos, no contexto do modelo 3-3-1 com léptons pesados carregados, vínculos sobre alguns dos parâmetros das partículas extras do modelo ao impor que suas contribuições aos fatores (g-2) do elétron e do múon estejam de acordo com os dados experimentais dentro de 1 sigma - 3 sigma. Para obter resultados realistas nós consideramos algumas das possíveis soluções das matrizes unitárias esquerda e direita que diagonalizam as matrizes de massa leptônicas, dando as massas leptônicas observadas e ao mesmo tempo acomodando a matriz de mistura de Pontecorvo-Maki-Nakagawa-Sakata (PMNS). Nós mostramos que, ao menos até a ordem de 1-loop, na faixa de parâmetros explorada, não é possível acomodar simultaneamente os fatores (g-2) do elétron e do múon a não ser que um dos léptons extras tenha massa da ordem de 20-40 GeVs e a escala de energia da simetria 331 esteja em torno de 60-80 TeVs. / Abstract: We calculate, in the context of the 3-3-1 model with heavy charged leptons, constraints on some parameters of the extra particles in the model by imposing that their contributions to both the electron and muon (g ���� 2) factors are in agreement with experimental data up to 1 -3 . In order to obtain realistic results we use some of the possible solutions of the left- and right- unitary matrices that diagonalize the lepton mass matrices, giving the observed lepton masses and at the same time allowing to accommodate the Pontecorvo-Maki-Nakagawa-Sakata (PMNS) mixing matrix. We show that, at least up to 1-loop order, in the particular range of the space parameter that we have explored, it is not possible to t the observed electron and muon (g ���� 2) factors at the same time unless one of the extra leptons has a mass of the order of 20-40 GeVs and the energy scale of the 331 symmetry to be of around 60-80 TeVs / Doutor

Orientador: André Luiz Malvezzi / Banca: Marcio José Martins / Banca: Alexys Bruno Alfonso / O Programa de Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi da Unesp / Resumo: Na área de pesquisa em sistemas de elétrons fortemente correlacionados, o modelo das super-redes Hubbard tem sido utilizada para explicar e prever comportamentos de heteroestruturas, como multicamadas magnéticas, que apresentam propriedades diferentes e incomuns, comparadas com as dos sistemas homogêneos análogos, E.G., ordenamentos magnéticos e de carga. Neste contexto, foram estudados nesta dissertação os efeitos da introdução de um novo valor , 'T IND. C', para o parâmetro de hopping de elétron nas interfaces de camadas diferentes da super-rede, ou seja, introduziu-se uma modulação na condução entre as camadas. Variou-se 'T IND. C'entre 0.1T e T, onde T é o parâmetro de hopping entre sítios da mesma camada. Para a lacuna de carga encontramos um comportamento dependente da densidade eletrônica na rede. Em geral, momentos magnéticos locais e a ocupação eletrônica nos sítios, apresentam uma distribuição mais uniforme para 'T IND. C'=0.1T. No entanto, nas densidades onde ocorre um aumento abrupto na lacuna de carga com a diminuição de 'T IND. C', essa uniformidade é mais pronunciada, possivelmente devido a uma comensurabilidade entre a distribuição dos elétrons na cadeia e a estrutura da super-rede. Para as funções de correlação de carga, que foram estudadas através do fator de estrutura, encontramos em alguns casos uma dependência em 'T IND. C' do período do ordenamento correspondente. / Abstract: In the research field of strongly correlated electron systems, the Hubbard superlattice model has been used for explain and predict the behavior of heterostructures, such as magnetic multilayers, whose unusual properties differ from the properties of the analogous homogeneous counterpart. In this context, we have studied here the effects of introducing a new value for the hopping parameter, 'T IND. C', for electrons between different layers, E.G., we introduced a modulation in the electronic conduction between layers. We consider 'T IND. C' in the range 0.1T to T, where T is the hopping parameter for sites inside the layers. For the charge gap, we found a behavior that depends on the electronic density in the lattice. Local magnetic and electronic occupation on sites, generally, show a greater uniformity with decreasing 'T IND. C'. However, for electronic densities where is an abrupt increase in the charge gap for decreasing 'T IND. C', this uniformity is enhanced, probably due to a commensurability between the electronic distribution in the chain and the underlying superlattice structure. For the charge correlation functions, that were studied through their structure factor, we found in some cases a dependency in 'T IND. C' of the correlations oscillation period. / Mestre

Orientadores: Fernando Alvarez, Florestano Evangeliste / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T11:35:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Montes_CarlaBittencourtPapaleo_D.pdf: 5636330 bytes, checksum: fdcb683611d5c94d8bcafe2f9320f0de (MD5) Previous issue date: 1998 / Resumo: Apresentamos um novo método experimental para determinar o alinhamento de banda em heterojunções e aplicamos este para estudar a heterojunção c-Si/a-SixC1-x:H. Esse método utiliza uma versão moderna de uma espectroscopía muito utilizada: a espectroscopía de yield fotoelétrico excitada com fótons na região do ultra-violeta próximo. No espectro de yield podemos determinar as bordas da banda de valência do filme e do substrato devido ao grande intervalo dinâmico desta técnica. Também apresentamos um novo método para carbonizar a superfície de silício. Aplicando este método fomos capazes de crescer heterojunções c-SiC/c-Si a temperaturas inferiores das que são reportadas na literatura. A estrutura do filme e a morfologia foram estudadas in situ por RHEED e ex-situ por AFM, respectivamente. Encontramos que o crescimento ocorre em ilhas cristalinas orientadas preferencialmente na direção (001). As propriedades eletrônicas do filme foram investigadas in situ por XPS, UPS e LEYS-CFS. A análise das estruturas associadas aos níveis de caroço e a associadas aos plamons mostrou que temos um interface abrupta entre o filme estequiométrico e o substrato. O uso do LEYS-CFS permitiu a determinação da descontinuidade de banda de valência na interface embora o filme de SiC tenha nucleação em ilhas e não recobra completamente o substrato de Si. O valor encontrado para DEv foi 0.75± 0.08 eV. Esse resultado é discutido dentro da teoria existente na literatura / Abstract: We present a new experimenta1 method for determining band lineups at the semiconductor heterojunctions and apply it to the c-Si(100)/a-SixC1-x:H heterostructure. This method uses a modern version of an old spectroscopy technique: the photoeletric yield spectroscopy excited with photons in the near ultra-violet UV range. It is shown that both substrate and overlayer valence- and tops can be identified in the yield spectrum due to the high escape depth and the high dynamica1 range of the technique, thus a1lowing a direct and precise determination of the band lineup. We a1so present a new method to carbonize silicon surface. Applying this method we were able to grow c-SiC/c-Si heterojunctions at lower temperatures than the one reported in the literature. The c-SiC film structure and morphology were investigated in situ by Reflection High-Energy Electron Diffraction (RHEED) and ex-situ by Atomic Force Microscopy (AFM), respectively. It was found that the growth proceeds through the nucleation of cubic and relaxed crysta1line islands preferentia1ly oriented in (001) direction. The average island size increases with carbonization time. The electronic properties were investigated in situ by X-ray and UV photoemission spectroscopies and by photoelectric yield spectroscopy excited with low energy photons (visible and near -UV range). The ana1ysis of high resolution core level and plasma excitation spectra unambiguously shows that only stoichiometric SiC is present at the interface and demonstrates that the interface itself is abrupt. The use of the photoelectric yield technique operated in the constant final state mode a1lowed us to determine the va1ence band discontinuity a1though the SiC overlayer was cluster-like and did not cover uniform1y the Si substrate. The found va1ue is 0.75± 0.08 eV. This result is discussed in the framework of the current lineup theories / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Paulo Roberto Mei / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-23T14:40:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Braga_AdrianaFrancoBueno_D.pdf: 19574912 bytes, checksum: b4d7439ea0ae999750ad2ccb3f9d2e3b (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: O Brasil é o segundo maior produtor mundial de silício grau metalúrgico (Si-GM). Este material é destinado à indústria metalúrgica (ligas de alumínio, por exemplo) e química ( produção de silicone e como material de partida para a produção de dispositivos fotovoltaicos ). O mercado de células fotovoltaicas tem crescido a uma taxa anual de 15 a 20% e o emprego de silício policristalino para esse fim cresceu 300% nos últimos 10 anos Neste trabalho Si-GM lixiviado (99,97% em massa) foi purificado em um forno de fusão por feixe de elétrons sob 10-3 Pa. Foram empregadas condições variadas de potência do feixe e tempo de incidência do mesmo sobre a massa liquida. Os resultados de análise química mostraram que o processo remove C. O, Al, P, Ca. Fe, Ti, V, B. Até então a literatura indicava que este tipo de processo não removia B. Fe e Ti. A incidência de um feixe com 16 kW por 20 minutos na massa líquida, permitiu obter Si 99,999% de pureza (em massa), com resistividade elétrica de 0,6 O.cm, indicando ser um silício adequado para a fabricação de células solares / Abstract: Brazil is the second world largest producer of metallurgical grade silicon (MG-Si). This material is destined to the metallurgical industry (aluminum alloys, for example) and chemistry (production of silicones and as raw material for the production of photovotaic devices ). The market of photovoltaic cells has been growing to at an annual rate from 15 to 20% and the usage of polycrystalline silicon for that purpose has grown 300% in the last 10 years. In this work leached MG-Si (99,97% in mass) was purified in an electron beam furnace under 10-3 Pa. Different conditions of the beam power and time of incidence of the beam on the liquid mass were applied. The results of chemical analysis showed that the process removes C, O, Al, P, Ca, Fe, Ti. V, B. Until now the literature indicated that this process didn't remove B, Fe and Ti. The incidence of a 16 kW beam for 20 minutes in the liquid mass, allowed to obtain Si 99,999% of purity (in mass), with electrical resistivity of 0.6 O.cm, indicating to be a silicon suitable for the production of solar cells / Doutorado / Materiais e Processos de Fabricação / Doutor em Engenharia Mecânica

Orientador : Roseana da Exaltação Trevisan / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-31T21:49:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Galrao_CarlosHenriqueQuagliato_M.pdf: 5816689 bytes, checksum: 8d46129898876902f855218a26c8dccb (MD5) Previous issue date: 2001 / Mestrado

Propõe-se o estudo do modelo de interação magnética por mecanismo de troca indireta (RKKKY) admitindo-se blindagem de troca.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro de Ciencias Fisicas e Matematicas / Made available in DSpace on 2012-10-16T22:19:22Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T17:45:53Z : No. of bitstreams: 1 88155.pdf: 1303947 bytes, checksum: 6c4cdaf7153ca616f9c23e197d2662cd (MD5) / A constante heterogênea de transferência de elétrons dos complexos metálicos Fe[(tpen)]2+, Co[(tepen)]2+ e Cu[(tpen)]2+ foram estudadas em eletrodos de platina usando como técnica de investigação a voltametria cíclica e a impedância eletroquímica de AC. As constantes de velocidade foram corrigidas para os efeitos da dupla camada em função dos potenciais de eletrodo, a partir das correspondentes constantes observadas kobs. Os valores das constantes de transferência heterogênea de elétrons (ke) foram então determinados como sendo 21,7 x 10-2 cm.s-1, 7,70 x 10-2 cm.s-1 e 6,0 x 10-2cm.s-1 para os complexos Fe[(tpen)]2+, Co[(tepen)]2+ e Cu[(tpen)]2+ respectivamente. A baixa constante de velocidade para a transferência de elétrons do par redox Cu[(tpen)]2+/1+ pode ter origem na alta barreira de energia induzido pela forte distorção estrutural induzida pelo efeito de Jahn-Teller.