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Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 401355.pdf: 1369287 bytes, checksum: 2023585a5f248c0e60eaa5836d62deb3 (MD5) Previous issue date: 2008-03-28 / No presente trabalho, estudou-se a cria??o de defeitos em cristais i?nicos de fluoreto de l?tio (LiF) irradiados com ?ons de ouro (Au) com energias da ordem de 3 a 15 MeV. O objetivo principal foi avaliar a efeito da taxa de dose (ou corrente i?nica) na produ??o de centros de cores nas amostras irradiadas. Amostras de LiF monocristalino clivado no plano [100] foram irradiadas com flu?ncias entre 5x10?? a 2x10 [na d?cima quarta pot?ncia] ?ons/cm? e correntes entre 1 e 210 nA/cm?. Algumas amostras foram expostas a diferentes temperaturas, observando sua influ?ncia na gera??o de defeitos. A partir da cria??o de vac?ncias ou deslocamentos de ?ons da rede para o interst?cio, centros de cores s?o gerados, produzindo mudan?as nas caracter?sticas ?pticas e el?tricas do cristal. Os centros de cores gerados nos cristais de LiF foram analisados atrav?s de espectroscopia ?ptica na faixa entre 190 a 1200 nm (UV IR-VIS). Para baixas flu?ncias, ocorre a predomin?ncia do centro - F nos espectros medidos. Com o aumento da flu?ncia foi observado que, centros - Fn e agregados dominam a espectro de absorb?ncias. Para ?ons de 10 MeV, o raio efetivo de forma??o dos centros - F em torno da trilha do ?on foi estimado em torno de 2,2 nm para o centro F. Para o centros F2 e F3 o raio efetivo ficou em torno de 1,2 nm e 0,2 nm respectivamente. Para uma flu?ncia e corrente fixa, canstata-se que numero de defeitos gerados aumenta proporcionalmente com a energia dos ?ons incidentes devido ao aumento do dE/dx m?dio e da energia m?dia dos el?trons secund?rios gerados. Por fim, foi observado para baixas flu?ncias que os danos gerados s?o praticamente independentes do valor da taxa de dose. Contudo, a taxa de dose ? significativa quando a flu?ncia aplicada no material for alta, da ordem de 5x10?? ?ons/cm? ou maior. Observou-se que a concentra??o dos centros de cores ? proporcional a (i) [1/3 na pot?ncia]. O efeito da taxa de dose esta relacionado ? altera??o da din?mica da forma??o dos defeitos, quando dois ou mais impactos i?nicos se sobrep?em espacialmente e temporalmente. 0 aquecimento transiente da amostra, devido ?s altas correntes, tamb?m influencia na maior efici?ncia na produ??o dos centros de cores, mas n?o da conta completa do efeito da corrente que ? observado mesmo as amostras s?o resfriadas durante a irradia?ao.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 401363.pdf: 915888 bytes, checksum: c2f0a113e209f1e28e73ebf033426cfb (MD5) Previous issue date: 2008-03-26 / Esta disserta??o teve como objetivo otimizar e analisar a forma??o do campo retrodifusor formado com boro e os efeitos de gettering e de contamina??o com a deposi??o por spin-on do dopante l?quido PBF20 e posterior difus?o em forno convencional, bem como desenvolver dois tipos de processos para fabrica??o de c?lulas solares de 62 cm? com a estrutura n+pp+ em substratos de Si-CZ. Os efeitos de gettering e de contamina??o foram avaliados por meio da medi??o do tempo de vida dos portadores minorit?rios. Constatou-se que o tipo de tubo, o valor do tempo de vida dos minorit?rios inicial e o tipo de l?mina de sil?cio n?o interferem no valor do tempo de vida dos minorit?rios ap?s difus?o do dopante PBF20, com valor m?dio final da ordem de 11 μs para todas as amostras. Os resultados experimentais da resist?ncia de folha (R□) mostraram que a melhor velocidade angular utilizada para a deposi??o do dopante deve ser de 3000 rpm e que para obter a resist?ncia de folha da ordem de 20 Ω/□, a difus?o deve ser a 1000 ?C durante 30 minutos. Foram desenvolvidos dois processos para fabrica??o de c?lulas solares com boro na face posterior, formado com o dopante l?quido PBF20 difundido em forno convencional. No primeiro processo implementado, as difus?es de boro e f?sforo foram realizadas em processos separados. Foram avaliados dois processos de oxida??o a 1000 ?C para prote??o da face com boro da difus?o de f?sforo. Para o tempo de oxida??o de 30 minutos, a R□ das regi?es dopadas com boro aumentou para (42 ? 2) Ω/□. No entanto, quando a oxida??o foi realizada durante 120 min este par?metro permaneceu similar ao valor anterior ? oxida??o. A maior efici?ncia das c?lulas industriais foi de 10,4 % com um fator de forma de 0,74, t?pico para metaliza??o por serigrafia. Para c?lulas de 4,16 cm?, a maior efici?ncia foi de 12,3%. O segundo processo desenvolvido foi focado na difus?o simult?nea de boro e f?sforo. Com a difus?o a 900 ?C durante 15 min, a maior efici?ncia foi de 10,5 %, muito pr?xima ao valor obtido com o processo de difus?o de boro e f?sforo separados. Na difus?o a 1000 ?C com dura??o de 30 min, a efici?ncia m?xima obtida com este processo foi 16 de 8,2%. No processo de co-difus?o a 820 ?C durante 15 min, a densidade de corrente de curto-circuito m?dia e a tens?o de circuito aberto foram ligeiramente maiores que o resultado para a co-difus?o a 900 ?C. No entanto, a melhor efici?ncia foi de 9,9%, limitada pelo fator de forma. Em resumo, contatou-se que a difus?o de boro a partir do dopante l?quido PBF20 em forno convencional limita o tempo de vida dos portadores minorit?rios e que o processo de difus?o simult?nea de boro e f?sforo permite fabricar c?lulas solares industriais de 10,5%.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 401486.pdf: 2235919 bytes, checksum: 4ff678b49860d16d47ec2e0ccbb3f5b6 (MD5) Previous issue date: 2008-05-07 / O crescimento exponencial do mercado de dispositivos fotovoltaicos e a necessidade de substratos de menor custo tornam o sil?cio multicristalino uma importante op??o para a fabrica??o de c?lulas solares. Esta disserta??o tem como objetivo otimizar e desenvolver as principais etapas de um processo para fabrica??o de c?lulas solares em substrato de sil?cio multicristalino, com a estrutura n+pn+ e 36 cm2 de ?rea. Foram otimizadas, por meio de simula??es, as regi?es dopadas e as malhas de metaliza??o e, experimentalmente, o emissor e as condi??es de queima das pastas met?licas no processo de metaliza??o por serigrafia. De acordo com os resultados obtidos da otimiza??o por simula??es, ? poss?vel obter c?lulas solares com 16,2 % de efici?ncia para altos valores de tempo de vida dos portadores minorit?rios de 100 μs e com regi?o de campo retrodifusor. As efici?ncias de 15,8 %, 14,6 % e 12,1 % podem ser obtidas para o tempo de vida dos minorit?rios de 50 μs, 10 μs e 1 μs, respectivamente, quando a metaliza??o for por serigrafia com malha met?lica com trilhas de 100 μm de largura. Constatou-se que a efici?ncia ? menor, da ordem de 0,3 % a 0,5 %, quando a largura das trilhas da malha de metaliza??o ? aumentada de 100 μm para 200 μm. Tamb?m se verificou que quanto maior a largura das trilhas, maior a profundidade da jun??o e da regi?o do campo retrodifusor para a mesma concentra??o em superf?cie. No processo para a otimiza??o experimental do emissor, obtiveram-se os valores de resist?ncia de folha em fun??o da temperatura da difus?o. A temperatura e o tempo com os quais se obt?m a resist?ncia de folha de 50 Ω/□, selecionada para a fabrica??o de c?lulas solares com metaliza??o por serigrafia, ? de 820?C e 30 minutos. Da an?lise das c?lulas solares fabricadas constatou-se que a temperatura de queima das pastas afeta o desempenho das c?lulas solares, enquanto que a velocidade da esteira praticamente n?o influencia nos par?metros el?tricos das mesmas. As maiores efici?ncias foram encontradas para a temperatura de queima entre 860 ?C e 880 ?C. 16 Tamb?m se verificou que a espessura do filme anti-reflexo influencia o fator de forma e a corrente el?trica das c?lulas solares. A maior efici?ncia alcan?ada foi de 11,5 %, com fator de forma de 0,74, para a temperatura de queima da pasta de 860 ?C, velocidade da esteira de 190 cm/min e dupla camada anti-reflexo de Si3N4 e TiO2.

Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 406998.pdf: 1768316 bytes, checksum: 336b57f3e1e5f4de05a45b32815fd8d0 (MD5) Previous issue date: 2008-08-29 / As microcistinas (MCs) s?o toxinas de cianobact?rias caracterizadas como hepatot?xicas, que apresentam uma a??o de intoxica??o que pode causar a morte num intervalo de poucas horas a poucos dias. Dentre as MCs cabe destacar a microcistina-LR (MC-LR) por ser a mais t?xica e mais comum. Este trabalho teve como objetivos avaliar o decr?scimo da quantidade da MC-LR em amostras aquosas sint?ticas e reais utilizando tratamento por ozoniza??o, bem como otimizar e validar o m?todo de determina??o dessa microcistina por LC-MS/MS. A linearidade foi obtida atrav?s da curva de calibra??o (0,05 0,5 mg L-1), obtendo-se bons resultados, r2 > 0,99. A repetitividade e a reprodutibilidade foram obtidas atrav?s de fortifica??o de amostras de branco em dias diferentes e tiveram resultados satisfat?rios (CV % < 20). Os Limites de detec??o (LOD) e de quantifica??o (LOQ) atenderam o padr?o estabelecido na legisla??o (< 1,0 &#956;g L-1). A an?lise utilizando LC-MS/MS no modo MRM (monitorando duas fragmenta??es), comprova a especificidade e seletividade do m?todo. Os resultados obtidos neste trabalho permitiram concluir que a ozoniza??o foi efetiva para remo??o de MC-LR em n?veis mais altos do que os comumente encontrados em ?guas de abastecimento p?blico, sendo capaz de remover totalmente a toxina da ?gua at? n?veis abaixo do padr?o de potabilidade estabelecido pela legisla??o. O tratamento com concentra??o constante de oz?nio foi capaz de remover 87,7 % da toxina em 60 min de rea??o. O ensaio com dosagem de solu??o estoque de oz?nio, necessitou de uma dose de 0,09 mg L -1 do oxidante para remo??o total 0,1 mg L -1 de MC-LR, j? a amostra de ?gua superficial contendo 0,03 mg L-1 de MC-LR requereu uma dose de oz?nio de 6,00 mg L-1. Nesse ensaio foi poss?vel concluir que componentes presentes na matriz, como a mat?ria org?nica, tamb?m reagiram com oz?nio sendo necess?rio doses maiores para remo??o da MC-LR.