Visando obter, no Brasil, dosimetros de estado sólido, que fossem sensíveis, reprodutíveis, de fácil manuseio e que pudessem ser empregados na dosimetria pessoal, foi desenvolvida uma técnica para obtenção deste dosímetros, utilizando pó de liFdopado com MG e Na. Diversos lotes de pastilhas compactadas a fio e sinterizadas foram investigadas em função da concentração de dopantes e tempo de sinterização. Determinou-se algumas características termoluminescentes, que foram comparadas com as dos dosímetros TLD-100 usados como referência internacional. A metodologia experimental e os resultados com as respectivas análises, são expostos neste trabalho.

Orientador: Hilda Alicia Cerdeira / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-09-26T18:42:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pellegrino_GiancarloQueiroz_M.pdf: 1825370 bytes, checksum: 909151923258ce9a738c5ed4db93291b (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: No trabalho faz-se um estudo do comportamento de junções Josephson sob ação de fontes de corrente externas. Este estudo é feito tendo em vista a possibilidade de comportamento caótico da junção, quando as fontes de corrente simulam pulsos de rápida duração. O tratamento, quântico e sem aproximações semiclássicas, incorpora elementos da Teoria de Informação e o uso de um algoritmo para tratar problemas envolvendo férmions, que se baseia no fechamento de uma álgebra de operadores sob a operação comutação com o hamiltoniano. A evolução temporal dos observáveis de interesse do problema (fase de Josephson f e sua derivada f', corrente de Josephson I e sua derivada I') parece não apresentar comportamento caótico, na forma como este se mostra classicamente para o sistema junção Josephson / Abstract: Not informed / Mestrado / Física / Mestre em Física

Visando obter, no Brasil, dosimetros de estado sólido, que fossem sensíveis, reprodutíveis, de fácil manuseio e que pudessem ser empregados na dosimetria pessoal, foi desenvolvida uma técnica para obtenção deste dosímetros, utilizando pó de liFdopado com MG e Na. Diversos lotes de pastilhas compactadas a fio e sinterizadas foram investigadas em função da concentração de dopantes e tempo de sinterização. Determinou-se algumas características termoluminescentes, que foram comparadas com as dos dosímetros TLD-100 usados como referência internacional. A metodologia experimental e os resultados com as respectivas análises, são expostos neste trabalho.

SALES, A. J. M. Estudo de antenas dielétricas baseadas na matriz do compósito (BiNbO4)x-(CaTiO3)1-x para aplicações em comunicações. 2016. 168 f. Tese (Doutorado em Engenharia de Teleinformática) – Centro de Tecnologia, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2016. / Submitted by Hohana Sanders (hohanasanders@hotmail.com) on 2016-08-03T12:36:11Z No. of bitstreams: 1 2016_tese_afmsales.pdf: 7412785 bytes, checksum: 811be2bd921060936090c7213bc2f1e9 (MD5) / Approved for entry into archive by Marlene Sousa (mmarlene@ufc.br) on 2016-08-05T16:42:09Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2016_tese_afmsales.pdf: 7412785 bytes, checksum: 811be2bd921060936090c7213bc2f1e9 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-08-05T16:42:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2016_tese_afmsales.pdf: 7412785 bytes, checksum: 811be2bd921060936090c7213bc2f1e9 (MD5) Previous issue date: 2016-06-21 / Seeking to advance the development of commercial telecommunications industry and in modern military systems, unceasing studies for the creation and improvements in the miniaturization of electronic devices, high electromagnetic performance, reliability and low cost, are being developed to work in Radio Frequency and Microwave. In this respect, many materials have been developed to meet a variety of applications and, more recently, ceramics with low sintering temperature has become known for having among other features, high dielectric constant (ε'r), low dielectric loss (tan δ) and low value for the resonance frequency temperature coefficient (f). The dielectric ceramic base Bismuth are candidates as a low sintering temperature material and have been studied extensively, on the other hand also have the perovskite, high temperature sintering and dielectric properties attractive to the telecommunications industry materials. In order to develop a low-cost material, low sintering temperature and appreciable dielectric properties, we present in this study the development and characterization of a ceramic series of composites based on matrix bismuth niobate (BiNbO4) and calcium titanate (CaTiO3). The series following equation (BiNbO4)x- (CaTiO3)1-x, was produced from solid state reaction, with the use of mechanical high energy milling and heat treatment. The compositions have the formula of variation of x with 0; 0.2; 0.4; 0.6; 0.8 and 1 in the sintering process, and the binder polyvinyl alcohol (PVA). Structural characterization was performed by X-ray diffraction with Rietveld refinement, and morphology study was conducted using Scanning Electron Microscopy. Experiments were performed to evaluate the dielectric behavior of the samples in the range of RF and Microwave, and how application of suggestion, the material has been tested as an antenna dielectric ressoadora. The samples investigated showed that the material has great potential for application in radio frequency and microwave and can be used in the manufacture of electronic devices miniaturized and antennas. / Buscando avançar no desenvolvimento da indústria de telecomunicações comerciais e nos modernos sistemas militares, incessantes estudos para a criação e melhorias de dispositivos eletrônicos passivos de miniaturização, altos desempenho eletromagnético, confiabilidade e baixo custo, estão a ser desenvolvidos para atuarem em Radiofrequência e Microondas. Neste sentido, muitos materiais vêm sendo desenvolvidos para atender uma variedade de aplicações e, mais recentemente, cerâmicas com baixa temperatura de sinterização tem se destacado por terem dentre outras características, alta constante dielétrica (ε´r), baixa perda dielétrica (tanδ) e baixo valor para os coeficientes de temperatura de frequência de ressonância (f). Cerâmicas dielétricas a base de Bismuto são candidatas como materiais de baixa temperatura de sinterização e têm sido estudadas amplamente. Por outro lado temos também as perovskitas, materiais de alta temperatura de sinterização e propriedades dielétricas atraentes para a indústria de telecomunicações. No intuito de desenvolver um material de baixo custo, baixa temperatura de sinterização e propriedades dielétricas apreciáveis, apresentamos neste trabalho o desenvolvimento e caracterização de uma série cerâmica de compósitos com base nas matrizes de niobato de bismuto (BiNbO4) e titanato de cálcio (CaTiO3). A série, que segue a equação (BiNbO4)x-(CaTiO3)1-x, foi produzida a partir da reação de estado sólido, com a utilização de moagem mecânica de alta energia e tratamentos térmicos. As composições tem a variação do x da fórmula com 0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,8 e 1 no processo de sinterização, além do aglutinante álcool polivinílico (PVA). A caracterização estrutural foi realizada por meio de Difração de Raios-X com Refinamento de Rietveld e o estudo da morfologia foi realizado através de Microscopia Eletrônica de Varredura. Foram realizados experimentos para avaliação do comportamento dielétrico das amostras, na faixa de Radiofrequência e Microondas, e como sugestão de aplicação, o material foi submetido a testes como antena ressoadora dielétrica. As amostras investigadas mostraram que o material apresenta grande potencial para aplicação em radiofrequência e microondas, podendo ser usado na fabricação de dispositivos eletrônicos miniaturizados e antenas.

THEOPHILO, K. R. B. Estudo das propriedades dielétricas e magnéticas da matriz compósita: SrBi2Nb2O9(SBN)X-BaFe12O9(BFO)1-X. 2011. 104 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2011. / Submitted by Giordana Silva (giordana.nascimento@gmail.com) on 2016-10-04T21:53:04Z No. of bitstreams: 1 2011_dis_krbtheophilo.pdf: 4449280 bytes, checksum: 979f28d47e9f7a09fb3720c64bd5d84d (MD5) / Approved for entry into archive by Giordana Silva (giordana.nascimento@gmail.com) on 2016-10-04T21:54:07Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2011_dis_krbtheophilo.pdf: 4449280 bytes, checksum: 979f28d47e9f7a09fb3720c64bd5d84d (MD5) / Made available in DSpace on 2016-10-04T21:54:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2011_dis_krbtheophilo.pdf: 4449280 bytes, checksum: 979f28d47e9f7a09fb3720c64bd5d84d (MD5) Previous issue date: 2011 / In this work we studied the properties of composites based in M-type barium hexaferrites BFO (BaFe12O19) and ferroelectric ceramic SBN (SrBi2Nb2O9). M-type barium hexaferrites (BaFe12O19) come out as a new alternative for the low cost production of ferrofluids, magnetic record media and sensors. Some of its characteristics are high magnetic saturation, high coercivity and good resistance to corrosion. Besides, the SBN (SrBi2Nb2O9) is a ceramic with uncountable applications in devices where ferro-piezoeletrics materials are needed. This material shows a good fatigue resistance, being one of the most liable substitutes for the Lead Zirconate Titanate (PZT) in the ferroelectrics random access memory (FERAM). The magneto-dielectric matrix composite (SrBi2Nb2O9)x(BaFe12O19)100-x, where x stands for 0,25,50,75 and 100 wt% were prepared by a new procedure in the solid state route. Also, it was done a study in the effects of a group of organic (TEOS, PVA and glycerin) binders in the structural properties of the ceramic matrix composites. The composite was analyzed with X-ray diffraction, Raman and Infrared spectroscopy, Mössbauer spectroscopy and scanning electron microscope (SEM) for a better understanding of the microstructural properties. Radiofrequency (RF) dielectric measurements and Impedance analysis, magnetic and electric hysteresis loops, microwave dielectric measures and monopole antenna measures and simulation are discussed as well. / Nesse trabalho, estudamos as propriedades da matriz compósita baseada na hexaferrita de bário do tipo M BFO (BaFe12O19) e da cerâmica ferroelétrica SBN (SrBi2Nb2O9). As hexaferritas de bário do tipo M despontaram como uma nova opção para a produção de baixo custo de ferrofluidos, meios de gravação magnética e sensores. Algumas de suas características são alta magnetização de saturação, alta coercividade e boa resistência à corrosão. Além disso, o SBN (SrBi2Nb2O9) é uma cerâmica com incontáveis aplicações em dispositivos onde materiais ferro-piezoeletricos são necessários. Esse material apresenta uma boa resistência à fadiga sendo um dos principais substitutos do Titanato Zirconato de Chumbo (PZT) nas memórias ferroelétricas de acesso aleatório (FERAM’s). A matriz cerâmica magneto-dielétrica (SrBi2Nb2O9)x(BaFe12O19)100-x, onde x = 25, 50, 75 e 100% do peso, foi preparada pela rota de estado sólido, com moagem e calcinação. Também, foi feito um estudo do efeito de um grupo de ligantes orgânicos (TEOS, PVA, Glicerina) nas propriedades estruturais do material. O compósito foi analisado com difração de raios-X, espectroscopia Raman e do infravermelho, espectroscopia Mössbauer e Microscopia eletrônica de Varredura, para uma melhor compreensão das propriedades estruturais do material. Medidas dielétricas na região de radiofreqüência e microondas, bem como histereses elétricas e magnéticas foram realizadas. Espectroscopia de impedância com variação de temperatura, medidas e simulação de antenas monopolo também foram estudadas nesse trabalho.

Visando obter, no Brasil, dosimetros de estado sólido, que fossem sensíveis, reprodutíveis, de fácil manuseio e que pudessem ser empregados na dosimetria pessoal, foi desenvolvida uma técnica para obtenção deste dosímetros, utilizando pó de liFdopado com MG e Na. Diversos lotes de pastilhas compactadas a fio e sinterizadas foram investigadas em função da concentração de dopantes e tempo de sinterização. Determinou-se algumas características termoluminescentes, que foram comparadas com as dos dosímetros TLD-100 usados como referência internacional. A metodologia experimental e os resultados com as respectivas análises, são expostos neste trabalho.

Submitted by Isaac Francisco de Souza Dias (isaac.souzadias@ufpe.br) on 2016-05-19T16:56:26Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Dissertação Mestrado Miguel Zorro.pdf: 4500551 bytes, checksum: 6ec5e758ed076c87222ad3bd6b3b8112 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-05-19T16:56:26Z (GMT). No. of bitstreams: 2 license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Dissertação Mestrado Miguel Zorro.pdf: 4500551 bytes, checksum: 6ec5e758ed076c87222ad3bd6b3b8112 (MD5) Previous issue date: 2008-07-18 / Na última década tem sido mostrado que híbridos supercondutor-ferromagnéticos podem usar o ferromagnetismo para melhorar algumas propriedades dos supercondutores. Um exemplo bem-sucedido é uma bicamada formada por um filme supercondutor e um filme magnético nanoestrutrado. Esse sistema se apresenta como uma maneira eficiente e altamente controlável de aprisionar e/ou manipular o movimento dos vórtices. Além disso, pode apresentar geração espontânea de pares vórtice-antivórtice (v-av), com conseqüências profundas sobre as características da amostra. A maneira como estes pares são gerados e a forma com que influem nas propriedades macroscópicas do supercondutor continuam sendo matéria de intenso debate. Neste trabalho, foram resolvidas numericamente as equações de Ginzburg-Landau dependentes do tempo (TDGL) para fazer uma análise detalhada da nucleação de pares v-av num filme supercondutor interagindo com uma camada de dipolos magnéticos pontuais idênticos, localizados acima da superfície supercondutora e polarizados perpendicularmente ao filme. A simulação utiliza o método de variáveis de ligação com invariância de calibre adaptado para o algoritmo de diferenças finitas e foi utilizada para calcular a densidade de pares de Cooper assim como a vorticidade e a energia livre do sistema. Esse estudo é realizado em função da temperatura, a intensidade do momento magnético m e parâmetros geométricos da rede de dipolos. Observamos transições abruptas no número de pares v-av estabilizados por cada dipolo em função de m, assim como transições na maneira como os antivórtices se arranjam em torno dos vórtices. Em geral, quando a distância d entre as camadas supercondutora e de dipolos é maior ou da ordem do comprimento de coerência do supercondutor », observa-se que os antivórtices se arranjam em torno das posições intersticiais da rede de dipolos. A esta fase denominamos deslocalizada, pois os antivórtices encontram-se “desligados” dos vórtices. Para d / », os antivórtices posicionam-se nas proximidades dos dipolos magnéticos, fase que chamamos localizada (os antivórtices estão agora “ligados” aos vórtices). Apresentamos um diagrama de fases que resume as várias configurações de vórtices e antivórtices encontradas e propomos um experimento baseado em técnicas usuais de medidas de transporte o qual poderia ser utilizado para identificar estas fases. / It has been systematically shown, in the past decade, that artificially created superconductor-ferromagnet hybrids are able to use ferromagnetism to enhance some superconducting properties. One of the most successful examples is the superconducting-film/magnetic-dot-array bilayer, which offer highly controllable and efficient pinning of vortices. However, these structures are sometimes able to spontaneously generate vortex-antivortex pairs, with profound consequences on the sample characteristics. How these pairs are generated and how they interfere on the macroscopic properties of these hybrid systems are still a matter of debate. In the present work, we solve numerically the time-dependent Ginzburg-Landau equations to analyze in detail how vortex-antivortex pairs nucleate in a superconducting film interacting with an identical magnetic dipoles layer, on top of the superconducting film, in the off-plane magnetic moment situation. The simulations follow the gauge invariant link-variable method adapted for a finite difference algorithm and was used to calculate the density of Cooper pairs, as well as vorticity and the system free energy. That study is carried out as a function of temperature, magnetic moment intensity m and geometric parameters of the dipoles array. We see abrupt transitions in the number of v-av pairs stabilized by each dipole according to m, and transitions in the way that antivortex are positioned around the vortex. In general, when the distance d between the superconductor layer and the dipoles array is greater or the order of the superconducting coherence length », it is observed that the antivortex are positioned around the interstitial positions of the dipoles array. At this phase we named “delocalized” because the antivortex are “disconnected” from vortex. For d / », the antivortex positioned itself near to the magnetic dipolos, phase we named “localized”(the antivortex are now "connected"to the vortex). We presented a phase diagram which summarizes the various vortex and antivortex configurations found and propose an experiment based on usual techniques of transport measures which could be used to identify these phases.

Orientador: Mario Tosi Furtado / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:57:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Loural_MariaSaleteSartorio_D.pdf: 6694740 bytes, checksum: 3e081121b8a0ddd9f2481e9b3d3e4fe2 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho apresentamos um estudo sistemático de duas propriedades de compostos III-V que são de grande interesse tanto para a Física de Semicondutores como de Dispositivos: descontinuidade de bandas em heterojunções (HJs) isotipo crescidas por LPE e propriedades ópticas de poços quânticos crescidos por MOVPE. Utilizando pela primeira vez a técnica de C-V eletroquimico para medida de perfil de portadores, calculamos as descontinuidades na banda de condução (DEc) em HJs e determinamos a razão entre DEc e DEg, a diferença entre as bandas proibidas dos dois materiais da HJ. Em HJs Ga1-xAlxAs/Ga1-yAlyAs, onde pela primeira vez se variou a composição da camada de banda proibida menor, com 0 £ x £ 0,21, mantendo-se y em torno de 0,42, encontramos o valor DEc/DEg = 0,6 independente de x. A relação DEc/DEg também foi medida para In0.59Ga0.47As/lnP resultando num valor de 0.36. Poços quânticos de GaAs/GaAIAs com diferentes alturas de barreira crescidos por MOVPE foram caracterizados por fotoluminescência a 77K e foi desenvolvido um método para a determinação da gradualidade de interfaces em tais heteroestruturas. Utilizando a aproximação da função envelope, calculamos as curvas teóricas de comprimento de onda em função da largura do poço (l x Lz) correspondentes à recombinação entre os níveis de mais baixa energia para poços perfeitamente retangulares. A partir do afastamento dos pontos experimentais da curva teórica determinamos as gradualidades de interfaces que melhor descreveram os pontos experimentais. Os cálculos foram feitos resolvendo-se a Equação de Schroedinger por métodos numéricos. Os resultados mostraram que a gradualidade é função da fração de Al na barreira, aumentando com esta. Esse método é muito preciso, ficando a resolução limitada à incerteza na velocidade de crescimento. Poços de InGaAs/InP e InGaAs/InGaAIAs também foram investigados sendo que os últimos se mostraram mais eficientes porque não envolvem as dificuldades inerentes dos primeiros devidas à troca de hidretos nas interfaces. Uma extensão deste método foi feita para o estudo de desordem induzida por difusão de Zn e temperatura em estruturas pseudomórficas de InGaAs/GaAs. Os coeficientes de interdifusão In-Ga para diferentes condições de difusão de Zn foram determinados usando o mesmo método descrito para poços de GaAs/GaAlAs / Abstract: In this work, we present a systematic study of two properties of III-V compounds heterostructures which are of great interest to Semiconductor and Device Physics: band offsets in isotype heterojunctions (HJs) grown by LPE and optical properties of MOVPE grown quantum wells. Using for the first time the technique of electrochemical C-V profiling, we measured the conduction band discontinuities (DEc) in HJs and determined the ratio between D Ec and DEg, the difference between the two HJs band gaps. We found DEc/DEg to be 0.6 in Ga1-xAlxAs/Ga1-yAlyAs, for x between 0 and 0.21, keeping y around 0.42. These are the first results in samples where the composition of the smaller band gap layer was varied. We also found DEc/DEg to be 0.36 for In0.59Ga0.47As/InP. We also characterized MOVPE grown GaAlAs/GaAs quantum wells by photoluminescence at 77K, varying the confining barrier height, and developed a method for determining interface grading in such heterostructures. Using the envelope function approximation. We calculated theoretical curves Wavelength versus Well Width (l x Lz) corresponding to the recombination between the lowest energy levels in an ideally perfect well. The departure of the experimental curves from the theoretical one allowed us to determine the interface grading that best describes the experimental points. Calculations were made by solving the Schroedinger equation by simple numerical methods. Grading determination was shown to increase with the Al content in the barrier. The method is very precise, limited only by the uncertainty in the growth rate. InGaAs/InP and InGaAs/InGaAlAs wells were also investigated and the latter had been shown more efficient because the former involves difficulties in hydride changes at the interfaces. An extension of this method was successfully applied to the study of Ga-In disorder in InGaAs/GaAs pseudomorphic structures, enhanced by Zn doping and heat treatment In-Ga interdiffusion coefficients for different Zn diffusion conditions were determined using this characterization method / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: George G. Kleiman / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:39:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Dantas_SocratesdeOliveira_M.pdf: 2329547 bytes, checksum: c4bbf3697a7d2d1d2602dff39aca37b4 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Não informado / Abstarct: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Roberto Luzzi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:53:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Algarte_AntonioCarlosSales_D.pdf: 1262711 bytes, checksum: 65c984838ae6b8562bbddb7d221bb514 (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: É apresentado um método que permite, a partir de primeiros princípios, obter equações de transporte generalizadas com as quais é possível estudar sistemas longe do equilíbrio térmico. Usando esse método obtivemos equações de transporte não lineares que descrevem os processos irreversíveis que ocorrem em experimentos do tipo "bombeamento-prova". Conseguimos, dessa forma, analisar a termodinâmica de não equilíbrio e os processos de relaxação em semicondutores polares submetidos a altos níveis de excitação ótica. Calculamos também a função número de ocupação para diferentes modos de fonons longitudinais óticos. A equação cinética para essa função é escrita em termos dos parâmetros termodinâmicos relevantes que descrevem o estado macroscópico de não equilíbrio. Em ambos os casos os resultados obtidos são comparados com dados experimentais referentes ao GaAs / Abstract: We present a method that using a first principle theory allow us for the determination of nonlinear transport equations which describe irreversible processes in far from equilibrium systems. This method is applied to study the nonequilibrium thermodynamics and kinetics of evolution of relaxation processes in polar semiconductors under high levels of optical excitation. We also calculate the time-evolution of the number occupation function of different longitudinal optical phonon modes. The kinetic equation for this function is written in terms of the relevant thermodynamic parameters that describe the nonequilibrium macroscopic state of the system. Comparison of theory with results obtained in experiments of ultra-fast time resolved optical spectroscopy of GaAs is done, obtaining a good agreement / Doutorado / Física / Doutor em Ciências