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Investigação do Diagrama de Fases do Niobato de Chumbo e Bário através de Espalhamento Raman

Silva, João José de Lima January 2004 (has links)
SILVA, João José de Lima. Investigação do diagrama de fase do niobato de chumbo e bário através de espalhamento Raman. 2004. 125 f. Tese (Doutorado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2004. / Submitted by francisco lima (admir@ufc.br) on 2014-03-18T12:15:24Z No. of bitstreams: 1 2004_tese_jjdlsilva.pdf: 3040735 bytes, checksum: b355497c8918891fa5bbb1faffdd3242 (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2014-05-19T19:15:12Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2004_tese_jjdlsilva.pdf: 3040735 bytes, checksum: b355497c8918891fa5bbb1faffdd3242 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-05-19T19:15:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2004_tese_jjdlsilva.pdf: 3040735 bytes, checksum: b355497c8918891fa5bbb1faffdd3242 (MD5) Previous issue date: 2004 / In this work, we investigated the phase diagram of the tungsten-bronze ferroelectric Pbx Ba1¡x Nb2O6 (PBN). The main experimental technique was Raman scattering, which was used to measured the samples with x = 0:56, 0.60 and 0.70 as a function of the temperature between 10 and 750 K. However, the intrinsic complexity of the Raman spectra of the PBN motivated us to perform a careful analysis of the data treatment methods. In order to verify the e±ciency of the proposed methodology, we applied it to the study of a ferroelectric belonging to the Aurivillius family, the Bi 1:75 Te0:25 SrNb 1:75 Hf0:25O9 . Our results in the PBN samples allow us to verify that no structural phase transitions are exhibited by them at low temperatures. On the other hand, above room temperature we observed the ferro-paraelectric phase transition in all samples at the temperatures predicted by the phase diagram. Based on these results, the PBN phase diagram was re-discussed showing that the extension of the morphotropic phase boundary at low temperatures does not agree with prediction of the literature. As a consequence, a modi¯cation of this phase diagram was proposed. / Neste trabalho investigamos o diagrama de fases do ferroelétrico tipo tungstênio bronze PbxBa1-xNb2O6 (PBN). A principal técnica experimental utilizada foi a espectroscopia Raman, com a qual realizamos medidas em função da temperatura entre 10 e 750 K em amostras com as concentrações x= 0,56, 0,60 e 0,70. Contudo a complexidade intrínseca dos espectros Raman do PBN nos levou a realizar uma cuidadosa discussão do método mais adequado para o tratamento dos dados. No intuito de verificar a eficiência da metodologia proposta, aplicamos a mesma ao estudo de um ferroelétrico da família de Aurivillius, o Bi1,75Te0,25SrNb1,75Hf0,25O9. Nossos resultados nas amostras de PBN permitiram verificar que as mesmas não apresentam transições de fase estruturais a baixas temperaturas. Por outro lado, acima da temperatura ambiente observamos a transição de fase ferro-paraelétrica em todas elas, às temperaturas previstas pelo diagrama de fases. Baseados nesses resultados, o diagrama de fases do PBN foi rediscutido mostrando que a extensão do contorno de fases morfotrópico a baixas temperaturas não está em bom acordo com as previsões da literatura. Como conseqüência, uma modificação a este diagrama de fases foi proposta.
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4H-SiC, ZnSe/ZnS, MAA’s e CCCA’s: Propriedades de transporte, eletrônicas, vibracionais e óticas

Maia Júnior, Francisco Franciné January 2005 (has links)
MAIA JÚNIOR, Francisco Franciné. 4H-SiC, ZnSe/ZnS, MAA’s e CCCA’s: Propriedades de transporte, eletrônicas, vibracionais e óticas. 2005. 115 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2005. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2014-05-19T20:53:51Z No. of bitstreams: 1 2005_dis_ffmaiajunior.pdf: 18000759 bytes, checksum: 70e07eeda34a1f64711c9e363535f938 (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2014-05-19T20:57:01Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2005_dis_ffmaiajunior.pdf: 18000759 bytes, checksum: 70e07eeda34a1f64711c9e363535f938 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-05-19T20:57:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2005_dis_ffmaiajunior.pdf: 18000759 bytes, checksum: 70e07eeda34a1f64711c9e363535f938 (MD5) Previous issue date: 2005 / Nesta disserta ção são abordados quatro diferentes temas: transporte eletrônico em semicondutores bulk, con namento quântico em heteroestruturas semicondutoras, cálculos ab initio em mol eculas orgânicas e fotoluminescência de cerâmicas de cinzas de cascas de arroz. Aspectos das propriedades de transporte no regime transiente do 4H-SiC foram estudados. Foi observado um overshoot na velocidade de arraste dos eléetrons, com forte anisotropia no comportamento da velocidade nas direções paralela e perpendicular ao eixo c do cristal. Também foram efetuados cálculos de propriedades de transporte neste material para diferentes temperaturas. No confi namento quântico em poços ZnSe/ZnS, verifi camos a influência sobre os ní veis energéticos dos portadores e a energia total do exciton (e lh, e so e e hh) de parâmetros como interfaces graduais, posi ção relativa do poçco abrupto, três situações de strain (dois tipos de strain pseudom or co e o strain free-standing ) e a presençca do campo piezoel étrico induzido quando se considera o crescimento na direção (111). Foi verifi cado que apesar dos el étrons não sofrerem efeitos do descasamento da rede cristalina (strain ) para os diferentes tipos de strain, o mesmo não acontece para os excitons. C álculos ab initio foram realizados para as micosporina-glicina,palitina e asterina-330, tendo sido obtidos posi ções atômicas, população de cargas, densidade eletrônica, espectros vibracionais Raman e infravermelho, bem como os estados HOMO-LUMO. Tais resultados mostraram-se relativamente sensí veis ao nível de c álculo utilizado. Finalmente, foram preparadas e caracterizadas cerâmicas de cinzas de cascas de arroz (CCCA's). A fotoluminescência das mesmas mostrou-se dependente da granulometria das partí culas das cinzas assim como do tratamento quí mico (lavagem com ácido antes da preparação).
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Hidrogeno tartarato de potássio sob condições extremas

Araújo, Eduardo Barbosa January 2010 (has links)
ARAÚJO, Eduardo Barbosa. Hidrogeno tartarato de potássio sob condições extremas. 2010. 91 f. Dissertação (Mestrado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2010. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2015-05-04T17:58:37Z No. of bitstreams: 1 2010_dis_ebaraujo.pdf: 6842726 bytes, checksum: a872faa8cf9ba2f66e40a844c820a22e (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2015-05-07T14:48:41Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2010_dis_ebaraujo.pdf: 6842726 bytes, checksum: a872faa8cf9ba2f66e40a844c820a22e (MD5) / Made available in DSpace on 2015-05-07T14:48:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2010_dis_ebaraujo.pdf: 6842726 bytes, checksum: a872faa8cf9ba2f66e40a844c820a22e (MD5) Previous issue date: 2010 / Cristais de hidrogeno tartarato de potássio (KHT) foram estudados por Análise Térmica – Calorimetria Diferencial de Varredura (DSC) e Análise Termogravimétrica (TGA) – e espectroscopia Raman com a variação de parâmetros termodinâmicos na região espectral entre 30 e 3400 cm-1. A classificação dos modos foi feita com base em compostos similares. Os estudos de DSC foram realizados no intervalo de temperatura de 90 a 671 K enquanto os de TG entre 303 a 573 K. Os experimentos de espectroscopia Raman foram realizados entre as temperaturas de 10 a 448 K. Os resultados revelaram que o material apresenta uma estrutura termicamente estável durante todo o intervalo estudado até a sua decomposição (próxima a 520 K) que ocorre sem fusão. Os experimentos com altas pressões (0,0 a 6,5 GPa) revelaram indícios fortes de que o material sofre uma transição de fase próxima a 2,4 GPa e uma segunda transição próxima a 6,3 GPa. Mudanças na região dos modos da rede dão suporte à afirmação. Modos relacionados à unidade CO2- apresentaram mudanças em seu comportamento nesses valores de pressão. As mudanças ocorridas se mostraram reversíveis com a redução à pressão ambiente.
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Estudo das transições de fase nos ferroelásticos Pb8O5(XO4)2 com X=V e As

Oliveira, Euzenil Almeida de January 2007 (has links)
OLIVEIRA, Euzenil Almeida de. Estudo das transições de fase nos ferroelásticos Pb8O5(XO4)2 com X=V e As. 2007. 126 f. Tese (Doutorado em Física) - Programa de Pós-Graduação em Física, Departamento de Física, Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2007. / Submitted by Edvander Pires (edvanderpires@gmail.com) on 2015-05-05T17:34:51Z No. of bitstreams: 1 2007_tese_eaoliveira.pdf: 3847623 bytes, checksum: 0d9104bdfdc18dece0eb5c4a7d9bbcc3 (MD5) / Approved for entry into archive by Edvander Pires(edvanderpires@gmail.com) on 2015-05-07T17:00:09Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2007_tese_eaoliveira.pdf: 3847623 bytes, checksum: 0d9104bdfdc18dece0eb5c4a7d9bbcc3 (MD5) / Made available in DSpace on 2015-05-07T17:00:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2007_tese_eaoliveira.pdf: 3847623 bytes, checksum: 0d9104bdfdc18dece0eb5c4a7d9bbcc3 (MD5) Previous issue date: 2007 / Este trabalho apresenta os resultados obtidos dos estudos nos cristais da família dos com¬postos Pb805(XO4)2 com X = V e As. Várias técnicas experimentais foram utilizadas para investigar sua seqüência de transições de fase. À temperatura ambiente, o sistema cristalino do Pb805(AsO4)2 é monoclínico de faces centradas pertencente ao grupo espacial C2/m (C32h), com quatro moléculas por cela unitária (Z=4). Medidas de espalhamento Raman foram rea¬lizadas neste composto para obter uma descrição dos fônons à temperatura ambiente e sua variação com a temperatura no intervalo de 300 K a 773 K. Observamos que o Pb805(AsO4)2 a¬presenta uma transição estrutural à aproximadamente 500 K, a qual não foi reportada anterior¬mente na literatura. A espectroscopia Raman, microscopia de polarização e calorimetria dife¬rencial por varredura (DSC) foram utilizadas para estudar a evolução térmica e estrutural dos fônons do Pb805(VO4)2. Este composto apresenta uma transição de fase de segunda ordem a 426 K e uma de primeira ordem em tomo de 523 K. Medidas de microscopia de polarização de domínios mostram a presença de dois tipos de domínios: um em forma de cunha ou V e outro em forma de linhas. Uma nova transição de fase foi identificada a baixas temperaturas (231 K), sendo o primeiro deste tipo de transformações num composto desta família.
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Medidas de alcances e estudos de estabilidade térmica do fotoresiste AZ1350 implantado com íons de antimonio, estanho e prata

Maltez, Rogério Luis January 1993 (has links)
No presente trabalho implantamos Íons de Sb, Sn e Ag no fotoresiste AZ1350 (polímero novolak) e usamos a técnica de retroespalhamento de Rutherford a fim de estudar os seguintes asp ectos: a) alcances projetados dos Íons i'mplantados e os correspondentes desvios estatísticos em função da energia de implantação; b) variação na estabilidade térmica do fotoresiste como conseqüência de imo plantações rasas destes elementos (até rv500 A) ; c) difusividade térmica dos íons implantados. Nossos experimentos forneceram os seguintes resultados. Encontramos que os parâmetros de alcance, extraídos dos perfis experimentais, estão em bom acordo com as predições teóricas obtidas a partir da teoria de Ziegler, Biersack e Littmark. No entanto, verificamos que o perfil da perda de oxigênio ocorrida durante o processo de implantação não corresponde ao perfil de danos obtido teoricamente. Com respeito a estabilidade térmica, encontramos que implantações rasas de Sb e Sn tornam o fotoresiste mais resistente quanto a perda de material, sendo o Sb mais eficiente que o Sn. Implantações com a Ag, por sua vez, não tem influência na estabilidade térmica do fotoresiste implantado. O processo de estabilização térmica pode ser devido a dois fatores: a) danificação ocasionada pelo processo de implantação; b) efeitos químicos de ligações dos Íons implantados com os componentes do fotoresiste. Finalmente, os estudos de difusividade mostram que Íons de Sb e Sn difundem regularmente sendo que a energia de ativação para o processo é de rvl80 meV. A Ag por sua vez segrega como conseqüência do tratamento térmico. Comparação dos nossos resultados com estudos prévios realizados com implantações de Au e Bi no fotoresiste AZ1350, nos levam à conclusão que aqueles elementos que difundem regularmente (Bi, Sn e Sb) protegem o fotoresiste, ao contrário dos elementos que não difundem regularmente como Au e Ag, que segregam como conseqüência do tratamento térmico. / In the present work we have implanted Sb, Sn and Ag in the photoresist AZ1350 and used the Rutherford backscattering technique in order to study the following features: a) range and range straggling of the implanted ions as a function of implantation energy; h ) variation in the thermal stability of the photoresist as a consequence of shallow o Ag, Sn and Sb implantations ( "'500 A); c) thermal diffusivity behavior of the implanted íons. Our results have shown the following features. We found that the experimental range parameters are in good agreement with the theoretical predictions by Ziegler, Biersack and Littmark. However the oXYgen profile loss, which arises as a consequence of the implantation process does not agree with the theoretical damage profile. We also found 'that the thermal stability of the photoresist increases as a consequence of the Sb and Sn implantations. On the other side the Ag implantations do not improve the thermal stability of the implanted photoresist. The thermal stabilization process can be attributed to two main process: a) radiation damage due to the implantation process; b) chemical effects due to the creation of bonds between the implanted ion and the components of the fotoresist. Finally it should be stated that the Sb and Sn íons diffuse in a regular way following an Arrhenius plot being the activation energy of the order of 180 meV. On the other side it is shown that Ag segregates as a consequence of the thermal treatment. A comparison of the present and previous results for Au and Bi implanted into the same photoresist allow us to draw the following conclusion. The thermal stability of the AZ1350 photoresist is enhanced by those elements which diffuse regulary (Sn, Sb and Bi) . On the contrary Au and Ag (which segregate) do not bring any beneficiai effect.
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Estudo da resistividade elétrica em função da temperatura em ligas de Heusler do tipo Ni2Mn(Sn1-xInx)

Fraga, Gilberto Luiz Ferreira January 1984 (has links)
A resistividade elétrica em função da temperatura e da concentração foi medida entre 4,2 e 300K, nas ligas de Heusler pseudoternárias Ni2Mn (Sn1-xInx), com x=0; 0,02;0,05; 0,10; 0,15; 0,85; 0,90; 0,95; 0,98 e 1,00. / The electric resistivity as a function of temperature and concentration was measured in the range 4.2 ≤ T ≤ 300 K, for the pseudo-ternary Heusler alloys Ni2Mn (Sn1-xInx), with x=0; 0,02;0,05; 0,10; 0,15; 0,85; 0,90; 0,95; 0,98 and 1,00.
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Efeito de altas pressões sobre a interação quadripolar elétrica no háfnio metálico

Jornada, Joao Alziro Herz da January 1973 (has links)
O presente trabalho descreve medidas da interação quadripolar elétrica em háfnio metálico policritalino, como função da pressão. As medidas foram realizadas através da correlação angular diferencial perturbada da cascata gama-gama de 133-482 kev do181Ta dentro da rede do Hf. As frequências de interação quadripolar (wQ), medidas em pressões de 0, 20, 40 e 50 Kilobares foram, respectivamante, 48, 55, 62 e 63 Mrd/s, mostrando um claro aumento da frequência com a pressão. Os resultados mostram ainda que o parâmetrode assimetria e a largura da distribuição de frequência são praticamente insensíveis à pressão, dentro da gama de pressões investigadas. / This present work describes measurements of the eletric quadrupole interaction in policristaline metalic hafnium, as a function of pressure. The measurements were performed by means of the differential perturbed angular correlation technique, through the 133-482 kev gamma-gamma cascade of 181Ta in a metalic Hf lattice. The quadrupolar interaction frequency (wQ) measured at pressures of 0, 20, 40 and 50 Kilobars,were respectivelly 48, 55, 62 and 63 Mrd/s, showing a clear increase of frequency with pressure. Our results also demonstrated that the assimetry parameter and the frequency distribution with, are pratically insensitive to the pressure, within the investigated range of pressure.
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Interações magnéticas e magnetoresistencia em Co/sub 10/ Cu/sub 90/

Dorneles, Lucio Strazzabosco January 1997 (has links)
Foram investigados os efeitos de tratamentos térmicos nas propriedades estruturais, magnéticas e de magnetotransporte eletrônico de fitas de Co10Cu90 rapidamente resfriadas (“melt-spun”) enfatizando o estudo de possíveis relações entre as interações magnéticas entre grãos, camadas e cristais presentes nestes materiais e a magnetoresistência. A análise combinada da evolução estrutural e da intensidade das interações entre os grãos magnéticos mostra claramente o papel de alguns parâmetros estruturais (tamanho e densidade de partículas, distância entre partículas) e da própria intensidade das interações entre as partículas nas propriedades de transporte eletrônico em presença de um campo magnético.
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Efeitos de correlações inomogêneas no modelo de Jellium renormalizado

Colla, Thiago Escobar January 2008 (has links)
Nesse trabalho, são investigadas as contribuições de correlações não homogêneas no modelo de Jellium renormalizado. Esse modelo permite determinar a carga efetiva em suspensões coloidais através de um procedimento auto consistente. Porém, parte do princípio de que as correlações entre os macroíons são descritas por uma correlação uniforme g(r) = 1 (onde g(r) é a função de correlação colóide-colóide), típica de um sistema de partículas não interagentes. A fim de estudar os efeitos de correlações mais realísticas, começamos por considerar regiões de exclusão ao redor de um dado colóide. Nessas regiões, a presença de macroíons é impedida pela forte repulsão entre eles. A distribuição de macroíons além dessa região é representada pela correlação homogênea g(r) = 1, de modo que a modificação em relação ao modelo de Jellium original ocorre apenas na região de exclusão. Depois, consideramos a função de correlação resultante do uso das equações integrais de Orsntein-Zernike (OZ) para o sistema de uma componente (apenas macroíons) interagindo por meio do potencial efetivo de Derjaguin-Landau-Verwey-Overbeek (DLVO) com parâmetros renormalizados. Uma vez que a renormalização desses parâmetros depende fundamentalmente da forma das correlações, propomos uma maneira auto consistente de encontrar essas grandezas, baseada em um procedimento iterativo. Infelizmente, a presença de regiões de exclusão ao redor de um dado colóide aumenta a condensação de contraíons ao redor do mesmo, o que acaba por subestimar enormemente o valor da carga efetiva. Concluímos então que a renormalização auto consistente da carga efetiva, usada no modelo de Jellium original, parece ser incompatível com funções de correlação realísticas, nas quais a presença de uma região de exclusão se faz invariavelmente presente. / We investigate the contributions of inhomogeneous correlations on the renormalized Jellium model. Using a self consistent procedure, this model allows one to find the effective charges in charged colloidal suspensions. However, it assumes that the correlations between macroions are described by the uniform correlation g(r) = 1 (where g(r) is the colloidalcolloidal correlation function), which is typical of systems composed by non interacting particles. In order to study the effects of more realistic correlations, we begin by considering the exclusion regions around a given colloid. In these regions, the presence of other macroions is prevented by the strong repulsive interactions between them. Beyond this region, the macroion distribution is represented by the homogeneous correlation g(r) = 1, in such a way that the only modification with respect to the original renormalized Jellium model is in the exclusion region. Next, we consider the correlation functions that results from the use of the Ornstein-Zernike (OZ) integral equations approach for the one component model (macroions only), assuming that the interactions between macroions are described by the effective Derjaguin-Landau-Verwey-Overbeek (DLVO) potential with the renormalized parameters. Since these renormalized parameters depends fundamentally on the correlations, we propose a self consistent approach, based on an iterative procedure, in order to find these quantities. Unfortunately, the presence of an exclusion region around a given colloid makes the counterion condensation at the surface of this colloid to be much more strong. As a consequence, the values of the effective charge are highly underestimated. We then conclude that the self consistent effective procedure used in Jellium model seems to be incompatible with more realistic correlation functions, in which the exclusion region is certainly present.
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Estudo do hamiltoniano de hubbard e de sistemas de valência intermediária na rede de bethe

Mors, Paulo Machado January 1985 (has links)
É feito um estudo de sistemas de valência intermediária, usando a analogia de liga para tratar as correlações coulombianas. Ao invés do enfoque usual (aproximação de potencial coerente, CPA), é usado pela primeira vez um mé todo de renormalização no espaço real em uma rede de Bethe, que consiste em representar o sistema por uma rede de Bethe construída iterativamente a partir de cadeias lineares dizimadas. As densidades de estados calculadas mostram uma estru tura mais detalhada que as obtidas em outras aproximações. É discutida a transição de valência em função da correlação coulombiana entre os elétrons localizados, da correlação cou lombiana entre elétrons localizados e de condução, e da hibridização entre o nível localizadoe Etbanda de condução. A mesma técnica é usada para o estudo do magnetismo itinerante em metais de transição. Fazendo uma expan são das funções de Green de uma partícula, do hamiltoniano de Hubbard, em projetores que dependem dos números de ocupação de todos os sítios da rede, é possível levar em conta a correlação espacial entre sítios. Obtém-se, assim, tanto uma transição metal-isolante, quanto uma de paramagnetismo para ferromagnetismo, resultado este absolutamente novo na descri ção por analogia de liga do hamiltoniano de Hubbard. / The present work is a study of intermediate valence systems using the alloy analogy to treat the Coulomb correlations. Instead of the customary approach (the coherent potential approximation, CPA), one uses for the first time a method of renormalization in real space on a Bethe lattice, namely, by representing the system by a Bethe lattice built iteratively from decimated linear chains. The densities of state thus calculated show a more detailed structure than those obtained by other approximations. The valence transition is discussed as a function of the Coulomb correlation between the localized electrons; the Coulomb correlation between localized and conduction electrons; and the hybridization between the localized levei and the conduction band. The same technique is applied to the study of itinerant magnetism in transition metais. By performing an expansion of the one-particle Green's functions of the Hubbard Hamiltonian, in projectors which depend on the occupation numbers of all the lattice sites, it is possible to take into account the spatial correlations between sites. Thus, one arrives at a metal-insulator transition as well as one from paramagnetic to ferromagnetic state, this being an entirely new result in the description of the Hubbard Hamiltonian in the alloy analogy.

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