Spelling suggestions: "subject:"filmes"" "subject:"wilmes""
361 |
Preservação e restauração cinematograficas no Brasil : a restauração do acervo de Hikoma Udhiara / Preservation and restoratio of Brazilian films : the restoration of Hikoma Udhiara's cinematograph materialsCesaro, Caio Julio 25 November 2007 (has links)
Orientador: Fernão Vitor Pessoa de Almeida Ramos / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Artes / Made available in DSpace on 2018-08-11T21:56:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Cesaro_CaioJulio_D.pdf: 3732787 bytes, checksum: 1bf57f91ffcb374a42115d63a4a1811c (MD5)
Previous issue date: 2007 / Resumo: A partir da pesquisa sobre o cenário atual da preservação e da restauração de filmes no Brasil, a tese apresenta conceitos que envolvem a área. Tomando a imagem em movimento como ponto de partida, estuda a composição da imagem analógica e da imagem digital, discutindo inclusive como o olho humano percebe a imagem, no que se refere à resolução da imagem e à natureza da imagem. Num momento que o digital apresenta-se como ¿melhor opção¿ para o fazer audiovisual, o texto apresenta uma perspectiva técnica e crítica da aplicação das tecnologias na preservação e na restauração cinematográficas, tratando a questão da ética na restauração digital e defendendo o digital como ferramenta de acesso aos conteúdos dos acervos de arquivos de imagem em movimento. Uma segunda parte da tese descreve o processo de restauração fotoquímica de parte do acervo cinematográfico de Hikoma Udihara, viabilizada por meio do PROMIC, mecanismo de incentivo à cultura do município de Londrina/PR. O texto detalha as circunstâncias que definiram a estratégia de restauração de filmes de Udihara. / Abstract: From the research on the current scene of the preservation and the restoration of films in Brazil, the thesis presents concepts that involve the area. Taking the image in movement as a beginning, the composition of the analogy and digital images are studied, also including the discussion about how human eye perceives the image, referring to the resolution of the image and its nature. In the moment that the digital appears as the ¿best option¿ for audiovisual making, the text presents a technical and critical perspective to its appliance in the cinematograph technology for preservation and restoration, discussing the ethics in digital restoration and taking defense of the digital like instrument of accessibility of contents in archives of moving images. A second part of the thesis describes the process of photochemical restoration of Hikoma Udihara¿s cinematograph materials, with money provided from Londrina City culture support program (PROMIC). The text gives details of the circumstances that had defined the strategy of restoration films in Udihara. / Doutorado / Doutor em Multimeios
|
362 |
Ressonância paramagnética em germânio amorfo hidrogenado e silício microcristalino hidrogenadoLima Junior, Mauricio Morais de 06 March 2002 (has links)
Orientador: Franscisco das Chagas Marques / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-01T15:18:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1
LimaJunior_MauricioMoraisde_D.pdf: 3032491 bytes, checksum: 95aad109035608772248fea15335d2af (MD5)
Previous issue date: 2002 / Resumo: Nesse trabalho de tese, apresentamos, pela primeira vez, medidas de ressonância de spin eletrônico induzida por luz (light-induced electron spin resonance, LESR) em a-Ge:H. O sinal obtido foi atribuído à presença de dois diferentes centros associados a: 1) elétrons armadilhados na cauda da banda de condução e 2) buracos armadilhados na cauda da banda de valência. Realizamos, também um estudo da cinética de recombinação desses portadores através da dependência temporal do sinal de LESR. Verificamos que a recombinação ocorre por meio de pares distantes (não geminada) e que o mecanismo é muito similar ao encontrado para a-Si:H. Além disso, estudamos os espectros de ESR e LESR para m c-Si:H. Uma interpretação alternativa para os sinais previamente observados foi proposta. A medida de ESR no escuro foi simulada utilizando um espectro de padrão de pó para um único centro com simetria axial. Os valores dos parâmetros utilizados que melhor simulam a curva experimental são g// = 2.0096 e g^ = 2.0031, com uma forma de linha gaussiana de 3 G. Foi sugerido que esse centro, originalmente atribuído a ligações pendentes de silício, esteja na verdade relacionado com defeitos na fase cristalina do material. Para o sinal de LESR, que vem sendo atribuído exclusivamente a elétrons (ou na banda de condução ou presos em caudas de condução), foi encontrado que está possivelmente composto de dois diferentes centros; relacionados com elétrons e buracos presos em caudas de condução e de valência, respectivamente. Finalmente, estudamos uma série de amostras de a-Si:H, preparadas por rf-co-sputtering, dopadas com boro. A variação nos valores da energia de ativação e da condutividade à temperatura obtida é similar à conseguida por outras técnicas de preparação. Entretanto, por apresentar uma grande quantidade de ligações pendentes, nosso material necessita de uma incorporação muito superior de boro, a fim de que se obtenha um deslocamento apreciável no nível de Fermi. Por causa disso, a produção de ligações pendentes, devido à dopagem em nossas amostras, não segue o mesmo comportamento que ocorre em filmes de a-Si:H preparados por PECVD. Em vez de estarem associadas à incorporação de impurezas carregadas, as ligações pendentes são criadas, no nosso caso, pela desordem gerada pela introdução de grandes quantidades de boro nas amostras, através de um mecanismo de conversão espontânea de ligações fracas em ligações pendentes / Abstract: In this thesis, we present for the first time light-induced electron spin resonance, LESR, measurements in a-Ge:H. The signal consists of two different centers: 1) assigned to electrons trapped in conduction band tails; and 2) holes trapped in valence band tails. We also have performed a recombination kinetics study based on the LESR time response. We have found that the process is mainly due to distant-pair recombination in a way very similar to that one reported for a-Si:H. ESR and LESR measurements were also performed in mc-Si:H. An alternative interpretation for the resultant spectra was given. The signal, which appears in the dark, was reproduced using a powder pattern simulation of a single center with axial symmetry. The values found to the g tensor are g// = 2.0096 e g^ = 2.0031. This center seems to be related with defects in the crystal phase instead of dangling bonds (as suggested before). The LESR signal, on the other hand, is explained by a sum of two different centers: 1) related with electrons in conduction band tails; and 2) related with holes in valence band tails. Finally, a series of boron doped hydrogenated amorphous silicon, a-Si:H(B), prepared by rf-co-sputtering, was investigated. The variation obtained in the activation energy and room temperature conductivity was about the same reported for samples prepared by other techniques. However, since our sample has a much higher amount of dangling bonds, we need to incorporate a much higher amount of boron, in order to shift the Fermi level noticeable. As a consequence, the production of dangling bonds due to doping does not follow the same trend of PECVD samples. In our case, it is related with the disorder produced by the introduction of the large amount of boron in the network in instead of been related with the incorporation of charged impurities / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
|
363 |
Historia imaginada no cinema : analise de Carlota Joaquina, a princesa do Brasil e Independencia ou MorteFonseca, Vitoria Azevedo da 21 November 2002 (has links)
Orientador: Leandro Karnal / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Filosofia e Ciencias Humanas / Made available in DSpace on 2018-08-02T11:56:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Fonseca_VitoriaAzevedoda_M.pdf: 34177919 bytes, checksum: 3ba47bcaaa81dfe3284686527c15c9c1 (MD5)
Previous issue date: 2002 / Resumo: A presente dissertação é uma comparação entre os filmes históricos Carlota Joaquina, a princesa do Brazil (Carta Camurati, 1995) e Independência ou Morte (Cartos Coimbra, 1972) e tem como objetivo compreender como estes representam a história do Brasil. A análise aborda, principalmente, os seguintes aspectos: comparação dos elementos da linguagem cinematográfica; processo de produção dos filmes ressaltando a preocupação, ou ausência dela, com a "reconstituição histórica" dos filmes e com a realização de pesquisas históricas; o diálogo que os filmes estabelecem com suas respectivas fontes históricas e como criam os significados históricos em imagens e, por fim, aspectos da recepção crítica dos filmes / Abstract: This thesis compares the historical films Carlota Joaquina, a princesa do Brazil (Carta Camurati, 1995) and Independência ou Morte (Cartos Coimbra, 1972). The aim of this work is to understand how these movies represent the History of Brazil. This analysis
tried to observe the following aspect: the cinematographic language; the making process emphasing the preoccupation, or its lack, regarding the "historical reconstitution" of the movies and the realization of its historical researches; the dialog established between
these movies and their sources; also, how they built up the historical meaning though images and, at last, the reception of the critics / Mestrado / Mestre em História
|
364 |
Leis de escala e dimensão fractal em filmes finos : microscopia de força atômica e técnicas eletroquímicasCruz, Tersio Guilherme de Souza, 1967- 09 December 2002 (has links)
Orientadores: Annette Gorenstein, Mauricio Urban Kleinke / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-08-02T17:16:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Cruz_TersioGuilhermedeSouza_D.pdf: 4975457 bytes, checksum: 8f57bf9863b1fc8d2636bd50af6dad03 (MD5)
Previous issue date: 2002 / Resumo: Neste trabalho, a morfologia da superfície de filmes finos de NiOx e MoOx depositados por pulverização catódica foi estudada através da técnica de microscopia de força atômica e por técnicas eletroquímicas (voltametria cíclica e espectroscopia de impedância eletroquímica). Em cada técnica, a caracterização da superfície foi feita por meio de sua dimensão fractal, usando-se o conceito de leis de escala. Os resultados da microscopia de força atômica mostraram que os filmes apresentam uma morfologia granular, típica de superfícies depositadas por esta técnica. Para todas as amostras foram obtidos dois valores para a dimensão fractal, indicando duas dinâmicas de crescimento distintas: uma global, relacionada à distribuição dos grãos na superfície da amostra e outra local, associada à distribuição existente no topo de cada grão. Resultados semelhantes foram obtidos por voltametria cíclica e impedância eletroquímica. Por voltametria cíclica, a dinâmica de crescimento local é evidenciada em altas velocidades de varredura, enquanto que o regime global é associado à medidas em baixas velocidades de varredura. A faixa de freqüência escolhida nos experimentos de espectroscopia de impedância eletroquímica foi compatível com as estruturas menores da superfície (regime local). Em todos os casos, os valores da dimensão fractal encontrados estão em boa concordância / Abstract: In this work, the surface morphology of NiOx and MoOx thin films deposited by r.f. sputtering was studied by atomic force microscopy and electrochemical techniques (cyclic voltammetry and electrochemical impedance spectroscopy). For each technique, the surface characterization was done by the fractal dimension, using the concept of scaling laws. The results of atomic force microscopy showed a typical grain morphology, characteristic of r.f. sputtered films. For all samples, two fractal dimension values were obtained, indicating two distinct growth dynamics: a global one, corresponding to the distribution of the grains at the surface, and a local one, associated to the morphology at the top of each grain. Similar results were obtained by cyclic voltammetry and electrochemical impedance spectroscopy. In the first technique, local scaling regimes are sensed at high scan rates and global scaling regimes corresponds to measurements performed at low scan rates. The selected frequency range for the electrochemical impedance spectroscopy measurements allowed to sense the smallest structures (local regime). In all cases, the calculated fractal dimension values are in excellent agreement / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
|
365 |
A cultura do lixo : horror, sexo e exploração no cinemaPiedade, Lucio de Franciscis dos Reis 29 November 2002 (has links)
Orientador : Marcius Cesar Soares Freire / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Artes / Made available in DSpace on 2018-08-03T01:45:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Piedade_LuciodeFranciscisdosReis_M.pdf: 11474244 bytes, checksum: 1378d36d591ee788a4b653a3196ea83c (MD5)
Previous issue date: 2002 / Resumo: o presente trabalho é uma investigação das relações entre o cinema de horror e o que se convencionou chamarfilmes exploítatíon- filão vasto e prolífico que se desenvolveu à margemda indústria principal. Através de uma retrospectiva histórica, pretendemos estabelecer os pontos em que se cruzam essas tendências, na exploração do horror explícito - o assim chamado "sangue-etripas" -, do sexo e da violência. Vamos destacar a evolução do modo de exibição desses elementos e os marcosdeterminantes que configuraram o período que compreende as décadas de 50, 60 e 70 como uma época de ouro para o horror e o exploítatíonno cinema, centralizando a pesquisa no eixo Inglaterra-EstadosUnidos, Europa e Brasil / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Multimeios
|
366 |
Filmes finos de MoOx e NixMoOy : aplicação em microbateriasRojas Quispe, Jose Ciro 22 July 2003 (has links)
Orientador: Annette Gorenstein / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-03T16:45:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1
RojasQuispe_JoseCiro_M.pdf: 1723745 bytes, checksum: 5c6967d1867689b5b522156f60eea3e4 (MD5)
Previous issue date: 2003 / Resumo: O rápido crescimento do mercado de dispositivos eletrônicos portáteis com aplicações em diferentes áreas (telecomunicações, medicina, engenharia, etc.) bem como fatores ambientais, criaram uma grande demanda por fontes de potência compactas, leves e sobretudo, de baixo custo. Essa demanda levou ao desenvolvimento de tecnologia de filmes finos para a obtenção dos componentes principais das baterias, gerando o conceito de microbaterias. O presente trabalho procura estudar uma das componentes de microbaterias: os catodos. Filmes finos de óxido de molibdênio e óxidos mistos de molibdênio/níquel foram preparados pela técnica de magnetron sputtering reativo, em diferentes condições de deposição, visando seu uso como catodos em microbaterias recarregáveis de lítio. Estudou-se a influência das variações das condições de deposição sobre a estrutura, composição e performance dos materiais obtidos. No caso dos filmes de óxido de molibdênio, os compostos amorfos e sub-estequiométricos apresentaram uma alta capacidade especifica (178 µAh/cm2 - µm para uma densidade de corrente de 1 µA/cm2). Os resultados referentes à filmes de óxidos mistos de molibdênio/níquel mostraram que a amostra com menor conteúdo de níquel apresentou maior capacidade especifica (152,5 µAh/cm2- µm para uma densidade de corrente 1 µA/cm2) demonstrando a viabilidade da utilização destes materiais em microbaterias / Abstract: The rapid growth of portable electronic devices with applications in distinct areas (telecommunications, medicine, engineering) as well as ambiental factors created a huge demand on compact, light, low cost power sources This demand stimulated the development of thin film technologies for the production of the main parts of batteries, generating the concept of microbatteries. In this work one of this components is studied: the cathode. Hence, thin films of molybdenum oxide and molybdenum/nickel oxides were prepared by reactive magnetron sputtering in distinct deposition conditions, aiming their use in rechargeable lithium microbatteries. The influence of the variation of the deposition conditions on the structure, composition and performance of the materials was studied. In the case of the molybdenum oxide films, the amorphous, sub-stoichiometric compounds presented a high specific capacity (178 µAh/cm2 - µm for a current density of 1 µA/cm2 ). The results concerning the molybdenum/nickel oxides showed that the sample with lower Ni content presented the highest specific capacity (152,5 µAh/cm2 - µm for a current density of 1 µA/cm2) showing up the viability of the utilization of these materials in microbatteries / Mestrado / Física / Mestre em Física
|
367 |
Topoquimica de filmes de particulas de latex de Poli(estireno-co-acrilamida)Teixeira Neto, Erico 03 August 2018 (has links)
Orientador: Fernando Galembeck / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T18:14:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1
TeixeiraNeto_Erico_D.pdf: 7661242 bytes, checksum: 59cb82804a610e59e3b92b744469106b (MD5)
Previous issue date: 2003 / Doutorado
|
368 |
Sintese e caracterização de filmes porosos de carbono, silicio e oxido de estanhoFontana, Marcio 03 August 2018 (has links)
Orientador: Vitor Baranauskas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-03T18:51:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Fontana_Marcio_D.pdf: 2743479 bytes, checksum: 2bb3390cd29f2e0e118ec4a72b4d2d4d (MD5)
Previous issue date: 2004 / Doutorado
|
369 |
Dieletricos de porta de oxinitreto de silicio obtidos por plasma ECRManera, Gleison Allan 21 May 2004 (has links)
Orientador: Jose Alexandre Diniz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-04T00:09:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Manera_GleisonAllan_M.pdf: 6268703 bytes, checksum: 474f767862a4357997c32f81da7811ca (MD5)
Previous issue date: 2004 / Resumo: Esta dissertação descreve a obtenção e a caracterização de ultra-finos (5 à 0,5 nm) de oxinitreto de silício (SiOxNy) através da oxidação e/ou nitretação por plasma ECR (Electron Cyclotron Resonance) de alta densidade. O interesse nestes filmes isolantes e nesta tecnologia, que permite reduzir o stress térmico sobre as lâminas, cresce à medida que aumentam os níveis de integração e de complexidade dos atuais dispositivos e circuitos eletrônicos com dimensões menores que 100 nm. Os filmes foram caracterizados por elipsometria, por espectrometria de absorção do infra-vermelho (FTIR) e por microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Os plasmas ECR serão caracterizados por espectroscopia por emissão óptica (OES). A caracterização elétrica será executada por medidas de capacitância x tensão (C-V) e de corrente x tensão (I-V). Para aplicação como dielétrico ultra-fino de porta dos atuais transistores com estrutura MIS, os filmes finos deverão apresentar espessuras equivalentes de óxido menores que 5 nm, ligações Si-O e Si-N que confirmam a formação do SiOxNy e densidade de corrente de fuga menores que 10A/cm2 / Abstract:This dissertation describes the formation and the characterization of ultra-thin (5 à 0,5 nm) silicon oxynitride (SiOxNy) films, through the oxidation and/or nitridation by high density ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma. The interest in these insulator films and in this technology, which allows reduce thermal stress on the wafer, grows with the increase of the integration levels and the complexity of the current devices and electronic circuits with dimensions sub-100 nm The films will be characterized by ellipsometry, infra-red spectrometry (FTIR) and ransmission electron microscopy (TEM). The ECR plasmas are going to characterize by optical emission spectroscopy (OES). The electrical characterization is going to be executed by capacitance x voltage (C-V) and the current x voltage (I-V) measurements. For application, as ultra thin gate dielectric of the current transistors with MIS structure, this films should present equivalent oxide thickness (EOT) smaller than to 5 nm, Si-O and Si-N bonds, which confirm the formation the SiOxNy, and gate leakage current densities smaller than 10A/cm2 / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica
|
370 |
Propriedades de equilíbrio e de transporte da matéria de vórtices em nanoestruturas supercondutorasSILVA, Clécio Clemente de Souza January 2003 (has links)
Made available in DSpace on 2014-06-12T18:05:15Z (GMT). No. of bitstreams: 2
arquivo7982_1.pdf: 2807972 bytes, checksum: 20ebb226caaa9e13d21afe2db8723c1c (MD5)
license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5)
Previous issue date: 2003 / Nesta tese, estudamos teoricamente os aspectos dinâmicos e de equilíbrio da matéria de vórtices em duas classes de supercondutores nano estruturados: (i) amostras mesoscópicas, cujas dimensões são comparáveis aos comprimentos caráter ísticos do vórtice; e (ii) amostras com uma rede regular de armadilhas artificiais. Em ambos os casos, a simetria da rede de vórtices ´e extremamente dependente dos parâmetros espaciais da amostra, de modo que as propriedades da rede de vórtices podem ser controladas artificialmente. A nucleação de vórtices em filmes mesoscópicos e subseqüentes formações estruturais, à medida que um campo externo é variado foram simuladas por um algoritmo de dinâmica de Langevin. A estrutura dos vórtices e suas interações foram calculadas resolvendo a equação de London com as condições de contorno apropriadas. Mesmo na ausência de nao-homogeneidades, que, em geral, previnem ou retardam o movimento dos vórtices, o ciclo de magnetização calculado para estas amostras apresenta histerese. Isso resulta da forte barreira de superfície que retarda a entrada e a saída dos vórtices gerando estados metaestáveis profundos. Além disso, as curvas de magnetização de filmes de diferentes espessuras apresentam oscilações que indicam transições estruturais envolvendo a criação ou destruição de uma cadeia de vórtices. Usando um processo de minimização de Monte Carlo, calculamos o estado fundamental da rede de vórtices em filmes supercondutores com uma rede quadrada de poços de potencial. As propriedades elásticas da rede de vórtices foram estudadas no regime linear. Desenvolvemos um modelo simples que nos permitiu obter expressões analíticas para a resposta da rede de vórtices a uma pequena 8 excitação ac. Deste modelo, resulta que o espectro de freqüências ´e determinado por duas freqüências características: a freqüência de acoplamento entre os vórtices e as armadilhas e a freqüência de acoplamento entre os vórtices aprisionados e os vórtices intersticiais. O regime de validade do modelo foi estudado através de simulações de dinâmica molecular. Estudamos também as propriedades de transporte de vórtices através deste potencial periódico. Desenvolvemos um modelo perturbativo para calcular curvas características de voltagem versus corrente. Estudamos algumas fases dinâmicas em função da corrente (intensidade e direção) e da temperatura através deste modelo. Mostramos que a quebra de simetria rotacional provocada pelo potencial periódico gera uma resposta altamente anisotrópica do movimento dos vórtices. Calculamos ainda a temperatura em que o estado desordenado do movimento dos vórtices em correntes baixas cristaliza em uma rede elástica. A temperatura de cristalização que encontramos escala com o inverso do quadrado da velocidade do centro de massa, em contraste com a conhecida lei do inverso da velocidade encontrada para o movimento de vórtices em um potencial aleatório
|
Page generated in 0.0321 seconds