Este trabalho de pesquisa teve por objetivo desenvolver uma metodologia para a obtenção de filmes finos de YSZ, utilizando a técnica de spray pirólise sobre substrato poroso de LSM, mapeando os parâmetros operacionais da técnica, em especial a temperatura do substrato, com o intuito de avaliar as diferentes morfologias obtidas. Sabe-se que a técnica de spray pirólise possibilita a obtenção de filmes com características bastante diversas, desde filmes quebradiços até filmes pulverulentos, passando por filmes densos, os quais são almejados neste trabalho. Para tanto foram testadas três soluções precursoras, compostas de sais de zircônio e ítrio dissolvidos em três diferentes solventes. Variando os parâmetros operacionais e os protocolos de deposição, para cada solução precursora, foi possível definir um sistema de deposição no qual os filmes obtidos mostravam-se densos e homogêneos, possibilitando sua aplicação como eletrólito de células a combustível do tipo óxido sólido. Além disso, a caracterização microestrutural do material obtido, através de difração de raio X e espectroscopia de infravermelho, mostrou a composição de ZrO2 – 8% Y2O3, estabilizada na fase cúbica, sendo esta a fase de interesse na aplicação proposta para os filmes obtidos. / The aim of this work was develop a methodology to obtain thin YSZ films, using the spray pyrolysis technique on porous LSM substrate, mapping the operational parameters of the technique, especially the substrate temperature, in order to evaluate the different morphologies obtained. It is known that the spray pyrolysis technique allows obtaining films with different characteristics, from brittle film to powdery films, passing through dense films, which are desired in this work. Therefore, ware tested three precursor solutions composed of zirconium and yttrium salts dissolved in three different solvents. By varying the operating parameters and protocols of deposition for each precursor solution, it was possible to define a deposition in which the films are showed dense and homogeneous, thus allowing its application as electrolyte in solid oxide fuel cell. Moreover, the microstructural characterization of the material obtained through x-ray diffraction and infrared spectroscopy showed the composition of ZrO2 – 8% Y2O3, stabilized in the cubic phase, this phase is interest in the application proposed for the films obtained.

O presente trabalho tem como objetivo a eletrodeposição de cobalto, metal que apresenta caráter magnético, sobre um substrato de silício (100) tipo “n”, tendo em vista que a eletrodeposição em um substrato semicondutor apresenta diferenças se comparada à eletrodeposição em um substrato metálico (condutor). Investigou-se a possível influência do nível de dopagem do semicondutor nas características do sistema eletroquímico e nos depósitos de cobalto. Para isto foram utilizadas amostras de Si (100) tipo “n”, de duas diferentes resistividades: <0,005Wcm e 50-100Wcm. Os depósitos de cobalto foram obtidos a partir de duas diferentes técnicas: potenciostática e galvanostática. Foram realizadas curvas de voltametria cíclica em solução contendo íon cobalto e em solução isenta do mesmo. Soluções de duas diferentes concentrações, 1mM e 10mM de CoSO4, foram utilizadas nos experimentos. Sacarina foi adicionada eventualmente à solução com o objetivo de refinar o tamanho dos núcleos de cobalto. A cinética de nucleação foi estudada utilizando os modelos teóricos para nucleação instantânea e progressiva propostos por Scharifker e Hills Tanto as curvas de voltametria cíclica quanto as cronopotenciométricas e cronoamperométricas apresentaram comportamento diferenciado quando da utilização de um eletrodo semicondutor com as duas diferentes resistividades. Através da utilização de um eletrodo metálico foi possível verificar as diferenças de comportamento existentes entre um eletrodo condutor e um semicondutor. Os depósitos de cobalto foram morfologicamente caracterizados por microscopia de força atômica e microscopia eletrônica de varredura. A superfície hidrogenada do silício, após a remoção do óxido de silício, foi observada por microscopia de força atômica. A técnica de difração de raios x foi utilizada para a verificação da estrutura do substrato e dos eletrodepósitos de cobalto. A caracterização magnética dos filmes de cobalto foi realizada por um magnetômetro de campo de gradiente alternado (AGFM). Os depósitos de cobalto obtidos potenciostaticamente apresentaram diferenças morfológicas quando obtidos sobre substrato de silício de diferentes resistividades. Apesar das diferenças morfológicas, as curvas de magnetização foram semelhantes. Com relação à microestrutura, houve a ocorrência de orientação preferencial e de ambas as fases do cobalto,hexagonal compacta e cúbica de face centrada. O aditivo sacarina alterou significativamente a morfologia, microestrutura e comportamento magnético dos depósitos. Depósitos galvanostáticos não apresentaram diferença morfológica significativa quando obtidos sobre silício de duas diferentes resistividades, porém, são morfologicamente diferentes dos depósitos potenciostáticos. A microestrutura destes depósitos apresentou predominância da fase amorfa. As curvas de magnetização também apresentaram diferenças das curvas obtidas para os depósitos potenciostáticos.

Em nosso trabalho, temos como objetivo a caracterização óptica de superfícies, filmes homogêneos e filmes inomogêneos. Utilizamos ao todo cinco técnicas experimentais, sendo três delas estendidas à caracterização de filmes inomogêneos com índice gradual. Estas extensões, o principal aspecto inovador em nosso trabalho, permitem uma medida direta do índice de refração próximo à superfície de filmes inomogêneos, que apresentam perfil de índice de refração variável com a profundidade. Para cada tipo de amostra, é apresentada uma análise intercomparativa dos resultados obtidos pelas diferentes técnicas empregadas. No caso de superfícies, utilizamos as técnicas de Brewster-Pfund e Elipsometria para a obtenção dos índices de refração de vidros, incluindo os substratos dos filmes analisados. Para os filmes homogêneos, empregamos a técnica de Curvas Envoltórias, cujos resultados apresentaram boa concordância com medidas da espessura óptica do filme, realizadas durante seu processo de produção. Finalmente nos filmes inomogêneos, utilizamos a técnica de Modos Guiados para a obtenção do perfil do índice de refração, cuja extrapolação permite a determinação do índice junto à superfície. Este resultado é comparado com medidas diretas, pelas extensões das técnicas de Brewster-Pfund, Abelès e Elipsometria a filmes inomogêneos. Estas apresentaram boa concordância entre si para o índice de refração, mas não com o valor extrapolado por Modos Guiados. Esta discrepância foi analisada, complementada por medidas de Espalhamento Rutherford (RBS), levando a um entendimento mais detalhado do perfil de índice na vizinhança da superfície, assim como das técnicas envolvidas. / Our objective in this work is the optical characterization of surfaces and films, homogeneous and inhomogeneous. Five experimental techniques were utilized, three of which were extended to the characterization of graded index inhomogeneous films. These extensions, the principal novelty in our work, allow a direct near-surface refractive index measurement of inhomogeneous films, which present a variable refractive index profile with depth. For each kind of sample, a comparative analysis is presented of the results obtained from application of different techniques. In the case of surfaces, we used the Brewster-Pfund and Ellipsometry techniques to obtain the refractive indices of glass samples, including substrates of the films under analysis. For the homogeneous films, we applied the Envelope Method, whose results presented good agreement with optical thickness measurements performed during the film production process. Finally in the inhomogeneous films, we used the M-Line Method to obtain refractive index profile, whose extrapolation allows determination of the near-surface refractive index. This result is compared with direct measurements, obtained by extensions of the Brewster-Pfund, Abelès and Ellipsometry techniques to inhomogeneous films. These extensions presented good mutual agreement in refractive index, but not with corresponding value obtained from extrapolation in the M-Line Method. This discrepancy was analyzed, complemented by Rutherford Back-scattering (RBS) measurements, leading to a more detailed understanding of the refractive index profile in the surface neighborhood, as well as from the techniques involved.

Na presente Dissertação, foram caracterizadas as estruturas dos filmes dielétricos (dióxido de silício) crescidos termicamente sobre carbeto de silício monocristalino (c-SiC) e as interfaces formadas. Através de análises por Espectroscopia de Fotoelétrons Induzidos por Raios X, foi verificada a presença de uma camada interfacial de oxicarbeto de silício, gerado durante a oxidação térmica do c-SiC. Com técnicas de análise com feixe de íons (Análise por Reação Nuclear e Espectroscopia de Retroespalhamento Rutherford em geometria canalizada) foi possível determinar a espessura do filme dielétrico formado através de ajustes das curvas obtidas. Os dados de espessura foram comparados aos obtidos por Microscopia Eletrônica de Transmissão, técnica que também permitiu identificar a interface irregular entre o filme dielétrico e o substrato monocristalino através de imagens de alta resolução. A Espectroscopia de Perda de Energia de Elétrons, auxiliada pela análise de Microscopia Eletrônica de Transmissão-Varredura, permitiu verificar a existência da camada interfacial de oxicarbeto de silício através de pequenas alterações nas curvas obtidas em aquisições em perfil entre o substrato e o filme dielétrico. / In this dissertation, structures of dielectric films (silicon dioxide) thermally grown on single crystal silicon carbide (c-SiC) and the interfaces formed were characterized. An interfacial layer of silicon oxycarbide generated during thermal oxidation of c-SiC was detected through X-ray Photoelectron Spectroscopy analysis. The thickness of the dielectric film formed was determined using ion beam techniques (Nuclear Reaction Analysis and Rutherford Backscattering Spectroscopy in channeling geometry), through adjustments of the obtained curves. The thicknesses data were compared to those obtained by Transmission Electron Microscopy, technique that also identified the irregular interface between the dielectric film and the crystal substrate by High-Resolution images. The Electron Energy Loss Spectroscopy and Scanning Transmission Electron Microscopy analysis allowed to verify the existence of interfacial layer of silicon oxycarbide through small changes in the curves obtained in profile between the substrate and the dielectric film.

No presente trabalho, investigou-se a síntese por meio da técnica de spray-pirólise de filmes finos de YSZ, com o objetivo de relacionar a influência dos parâmetros processuais como o tipo de solvente, temperatura de deposição do filme, temperatura de tratamento térmico e quantidade de ítrio adicionado na zircônia com a qualidade do filme obtido, o tipo de fase da zircônia estabilizada e o tamanho de cristalito. Para tanto, foram utilizados como reagentes precursores o acetilacetonato de zircônio (Zr(C6H7O2)4) e cloreto de ítrio hexahidratado (YCl3.6H2O). Variou-se o tipo de solvente, a quantidade de ítrio usada como dopante e a temperatura de deposição e de tratamento térmico. As soluções foram depositadas sobre um substrato de aço austenítico 316L previamente aquecido à 280°C. O filme formado apresentou-se inicialmente amorfo, necessitando de um tratamento térmico para promover a cristalização e a estabilização da fase cúbica da zircônia, que é a fase desejada para o uso em células a combustível. A partir das análises termogravimétricas (ATG) e Single Análise Termo Diferencial (SATD), foram observadas várias reações até que o acetilacetonato de zircônio fosse convertido em óxido de zircônio. A morfologia dos filmes obtidos foi caracterizada por microscopia eletrônica de varredura (MEV). As análises de difração de Raios X revelaram que os filmes obtidos apresentaram-se amorfos, cristalizando-se após tratamento térmico. De modo geral, os filmes obtidos apresentaram-se densos e, após o tratamento térmico, cristalizados com tamanho de cristalito variando entre 3nm e 70nm. Constatou-se também que o filme quando depositado sem o dopante apresentou-se com uma mistura da fase monoclínica e tetragonal, o que foi imputado ao tamanho de cristalito reduzido. Já com 3, e 8% de ítria, o filme cristalizado apresentou as fases de alta temperatura da zircônia. Com 3% de dopante, foi constatada somente a fase tetragonal, enquanto que com 8% de dopante, o filme estabilizou ou a fase cúbica. / In this work, the synthesis of thin films of YSZ by spray pyrolysis was investigated, with the aim of relating the influence of the procedural parameters such as solvent, film deposition temperature, thermal treatment temperature and added amount of yttrium in zirconia with the quality of the film obtained, the type of the stabilized zirconia phase and the crystallite size. Therefore, zirconium acetylacetonate (Zr(C6H7O2)4) and yttrium chloride hexahydrate (YCl3.6H2O) were used as precursor reagents. The type of solvent, the amount of dopant added, the deposition temperature and the thermal treatment temperature were varied. The solutions were deposited on 316 L austenitic steel substrate previously heated at 280°C. The film obtained was initially amorphous, requiring a thermal treatment to promote the crystallization and stabilization of the cubic zirconia, which is the desirable phase for solid oxide fuel cell (SOFC). From thermal analysis (TGA and DTA) several reactions were observed until the zirconium acetylacetonate was converted to zirconium oxide. The morphology of the films obtained was characterized by scanning electron microscopy (SEM). X-ray diffraction analysis showed that the initially amorphous films were crystallized after thermal treatment. In general, the films obtained were dense and, after thermal treatment, crystalline, with crystallite size ranging between 3 nm and 70 nm. It was also observed that the film deposited without dopant showed a mixture of monoclinic and tetragonal phases and this was attributed to the reduced crystallite size. With 3 and 8% of yttria, the crystallized film presented the high temperature zirconia phases. With 3% of dopant, only tetragonal phase was found, while with 8% of dopant, the cubic phase was present.

Submitted by Isaac Francisco de Souza Dias (isaac.souzadias@ufpe.br) on 2016-02-16T17:24:11Z No. of bitstreams: 2 license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Daniela Rodrigues Borba Valadão_Doutorado_Ciência de Materiais_2015.pdf: 9550424 bytes, checksum: 167e127bfd78a3de0a2e1b1ec384dfc4 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-02-16T17:24:11Z (GMT). No. of bitstreams: 2 license_rdf: 1232 bytes, checksum: 66e71c371cc565284e70f40736c94386 (MD5) Daniela Rodrigues Borba Valadão_Doutorado_Ciência de Materiais_2015.pdf: 9550424 bytes, checksum: 167e127bfd78a3de0a2e1b1ec384dfc4 (MD5) Previous issue date: 2015-07-13 / CNPQ / Neste trabalho estudamos dois sistemas supercondutores, o primeiro constituído dos filmes de chumbo (Pb), germânio (Ge) e nióbio (Nb) e a tricamada Pb/Ge/Nb na presença de centros de ancoragem. Os centros de ancoragem foram construídos de membrana de alumina porosa (AAO) preenchida com nanofios de níquel (Ni). O crescimento das membranas se deu por meio de processo eletroquímico a partir de discos de alumínio e os nanofios foram eletrodepositados a partir de uma solução contendo os íons de Ni. Os filmes de Pb e Ge foram crescidos por evaporação e os filmes de Nb foram crescidos por deposição via sputtering DC. Estas amostras foram caracterizadas por microscopia eletrônica de varredura, medidas de magnetização em função da temperatura e do campo aplicado e medidas de susceptibilidade AC. O segundo sistema consistiu em bicamadas de nióbio (Nb) e estanho (Sn), com diferentes espessuras das camadas, e seus respectivos filmes de referência. Estas amostras foram caracterizadas por microscopia eletrônica de varredura, microscopia de força atômica e difração de raios X de baixo ângulo, também foi realizada a caracterização das propriedades supercondutoras por meio de medidas de magnetização em campo perpendicular e transporte elétrico em campo perpendicular e paralelo ao plano das camadas. As caracterizações microestruturais e morfológicas dos dois grupos de amostras indicam boa qualidade das amostras e é corroborado pelas caracterizações supercondutoras. Através da caracterização das propriedades supercondutoras verificamos que as dos sistemas estão de acordo com os dados reportados na literatura. As medidas de magnetização apresentaram flux jumps, para quase todas as amostras, que foram atribuídos a instabilidades termomagnéticas. Foram obtidos os comprimentos característicos e os campos críticos das bicamadas Nb/Sn como função da espessura das camadas. Os comprimentos característicos encontrados, para o sistema Nb/Sn, indicam que tanto as bicamadas quanto os filmes de referência são supercondutores do tipo II. Os diagramas de campo crítico superior das bicamadas mostram comportamentos não convencionais que podem ser atribuídos a uma mudança de comportamento 2D para 3D das camadas de Nb. / In this work we studied two superconducting systems, the first consisting of lead (Pb), germanium (Ge) and niobium (Nb) films, and trilayer Pb/Ge/Nb in the presence of pinning centers. The pinning centers were constructed of porous alumina membrane (AAO) filled with nickel nanowires (Ni). The AAO were grown by electrochemical process from aluminum disks and the Ni nanowires are electrodeposited from a solution containing Ni ions. The Pb and Ge films were grown by evaporation and Nb films were grown by DC sputtering deposition. These samples were characterized by scanning electron microscopy, magnetization measurements as a function of temperature and applied field and AC susceptibility measurements. All measurements were performed with the applied field perpendicular to the plane of the films. The second samples group was constituted of niobium (Nb) and tin (Sn) bilayers, with different layer thicknesses and their corresponding reference films. This group was characterized by scanning electron microscopy, atomic force microscopy and small angle X-ray diffraction, was also performed superconducting characterization through magnetization in perpendicular field and electric transport measurements with applied field applied, both perpendicular and parallel to the samples plane. The microstructural and morphological characterizations of the two groups indicate good quality of samples and it is supported by superconducting characterizations. The transition temperature of all superconducting samples prepared were found to be in agreement with the literature. The magnetization measurements showed flux jumps, to almost all samples, which are attributed to thermomagnetic instabilities. The characteristic lengths, found for the Nb/Sn system, indicate that bilayer and the reference films are type II superconductors. The bilayers upper critical field phase diagrams show unconventional behavior that may be a consequence of a crossover from 2D to 3d of Nb layer.

Orientador: Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-22T10:30:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Brito_EdgarAlbertode_M.pdf: 7329066 bytes, checksum: 6b8aa92c58911f964e52da035fb5d689 (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: A síntese de diamante por chama de combustão tem despertado interesse de vários pesquisadores pela sua simplicidade e flexibilidade experimental, pois os crescimentos podem ser realizados em ambiente aberto à pressão atmosférica sem necessidade de câmaras especiais de confinamento, equipamentos de vácuo e fontes externas para o fornecimento de energia ao sistema. A energia necessária para ativação dos gases é fornecida pelas reações químicas de combustão. Aliada a esses fatos, o método apresenta ainda alta taxa de crescimento e possibilidade de obtenção de filmes de alta qualidade. Além da distribuição radial das espécies, outra característica do método de combustão é a alta velocidade dos gases que alteram a cinética e as espécies químicas no ambiente de crescimento, produzindo rápidas mudanças na morfologia e estrutura dos filmes depositados. Neste trabalho, estudamos a variação da morfologia dos filmes de diamante depositados em substrato de silício pelo método de combustão de oxi-acetileno, considerando a influência da temperatura de deposição e a taxa de mistura de gases. Os estudos foram efetuados à taxa de mistura R=[?O IND. 2?/?C IND. 2??H IND. 2?]= 1 variando a temperatura de 600 a 1050?GRAUS?C e à taxa variável de 0.80 a 1.05 mantendo a temperatura constante de 900?GRAUS?C para analisar, respectivamente, os efeitos da temperatura e da taxa... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: The diamond synthesis using an oxyacetylene combustion flame method is particularly interesting in view of its simplicity, low cost of experimental apparatus, experimental flexibility, as well as due to the high growth rates and the high quality diamond films depositions that can be achieved. Since the diamond growth takes place under atmospheric conditions, expensive vacuum chambers and devices for the external energy sorces are not required. The flame provides its own environment for diamond growth and the combustion chemical reactions an energy necessary for the activation of the gases. Besides the flame's characteristics of the species and substrate temperature radial profile distribuition, the high burning velocity of gases change the kinetic and the chemical species in the growing environment, leading to fast changing the structure and morphology of the deposited films. In this work, we studied the influence of deposition temperature and premixed gas flow ratio R of ?O IND. 2? to ?C IND. 2??H IND. 2?, resulting from changes in the values of these process parameters, on the morphology of diamond films deposited by the oxy-acetylene combustion flame method using silicon substrate. Analyzed diamond films were grown under R=1 with temperatures of 600 to 1O50?DEGREES?C and with R from 0.80 to 1.05 at a temperature of 900?DEGREES?C... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Roberto de Toledo Assumpção / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-22T12:12:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lima_CarmoRobertoPelliciaride_M.pdf: 3248717 bytes, checksum: 19c01f928bfb4fecd7d50a8fe43d50d5 (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Filmes finos de sulfeto de cádmio despertam muito interesse acadêmico e tecnológico principalmente devido à combinação de boas propriedades óticas e estruturais, porque esse material apresenta posição da energia do gap em uma região ótima do espectro solar e tem uma boa concordância com outros semicondutores, tais com Cu2S e CdTe. Neste estudo apresentamos um estudo das propriedades óticas, morfológicas e estruturais de amostras como preparadas e de outras recozidas ao ar, preparadas através de deposição por banho químico. Os resultados indicam que a mudança no valor da energia do gap pode ser associado a uma modificação estrutural, envolvendo a transição da fase cúbica para fase hexagonal e também um rearranjo da matriz hexagonal / Abstract: Cadmium sulfide thin fihns have much academic and technological attraction mainly due the combination of good optical and structural properties since this material exhibits a band gap position in an optimal region of the solar spectrum and has a good match with other semiconductor materials, such as Cu2S and CdTe. In this work we present a study of the optical, morfological and structural properties of as grown and air annealed specimens of CdS thin films prepared by Chemical Bath Deposition -CBD. Results indicate that the band-gap shift can be associated to an structural change, envolving both a cubic to hexagonal transition and also an atomic re-arrangement in the hexagonal matrix / Mestrado / Materiais e Processos de Fabricação / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Inez Valeria Pagotto Yoshida / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-23T16:11:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sartoratto_PatriciaPommeConfessori_D.pdf: 3591909 bytes, checksum: 28d986f69308f12469686e2df9661925 (MD5) Previous issue date: 1998 / Doutorado

Orientador: Edmundo da Silva Braga / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-26T18:31:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fissore_Alfeu_D.pdf: 9379218 bytes, checksum: 448b3a2a6cd79c8329612e7a7cc55388 (MD5) Previous issue date: 2000 / Resumo: O filme amorfo de carbono [Amorphous Hydrogenated Carbon-(a-C:H)] apresenta altíssima resistência química às soluções aquosas, tanto ácidas como básicas, freqüentemente usadas para corroer e/ou polir vários tipos de materiais aplicados como substratos nas tecnologias da microeletrônica e/ou de microusinagem. Além disso este filme é facilmente removível por plasma de oxigênio. A alta resistência química do filme de a-C:H implica que finas camadas do mesmo podem mascarar a corrosão do substrato por longos intervalos de tempo. O fato de este filme poder ser depositado à temperatura ambiente resulta na possibilidade da adoção da técnica de "lift-off', para seleção das áreas de deposição. Para a adoção da técnica de "lift-off' a espessura do fotorresiste tem que ser ligeiramente maior que a espessura do filme a ser depositado e, portanto, quanto menor for a espessura do filme menor será a espessura do fotorresiste necessária, implicando diretamente em ganhos na resolução do processo fotolitográfico. Devido às razões acima expostas o propósito deste trabalho é o estudo do comportamento do filme de a-C:H quando utilizado como mascaramento de corrosão em meios aquosos, tanto ácidos como básicos. No Capítulo I, faz-se considerações gerais sobre propriedades do filme de carbono e sobre corrosões químicas em meios aquosos, incluindo-se considerações genéricas sobre os modelos das Corrosões Químicas Isotrópicas (CQI) e ,Corrosões Químicas Anisotrópicas (CQA) bem como as prováveis relações estequiométricas que regem a reação química global do fenômeno da corrosão. O Capítulo II é dedicado ao planejamento e execução das experiências bem como ao levantamento dos dados. Finalmente o Capítulo III é dedicado à apresentação e análise dos resultados, bem como às conclusões / Abstract: Amorphous Hydrogenated Carbon(a-C:H) film presents a very high chemical resistance to the acid and basic aqueous chemical solutions frequently used to etch and/or polish several kinds of materials applied as substrate in the microelectronics and/or micromachining technologies. Besides, the a-C:H film is easily removed from substrate surface by oxygen plasma etching. The high chemical resistance of the film implies that thin the film layers can mask the substrate etching for long time intervals. The fact that film can be deposited at ambient temperature results in the possibility of adopting the lift-off technique to select the deposition areas. For the adoption of the lift-off technique, the photoresist thickness must be slightly greater than the film thickness to be deposited. So, the lower the film thickness the lower the necessary photoresist thickness will be, implying directly in gain in the photolitografic process resolution. Due to the reasons above exposed, the purpose of this work is the study of the a-C:H film behavior when used as etching mask in acids and basics aqueous medium. Sequentially, it is described how this work is structured. In Chapter I it is made general considerations about generic properties a-C:H film and about chemical corrosions in aqueous solutions including generic considerations about Isotropic Chemical Etching and Anisotropic Chemical Etching models, as well as about the more probable stoichiometrics relations determining the global chemical reaction of the corrosion phenomenon. Chapter II is dedicated to the planning and execution of the experiences. Finally, Chapter III is dedicated to results presentation and analyses as well as to conclusions / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica