Orientador: Iris C. L. de Torriani / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T21:15:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fantini_MarciaCarvalhodeAbreu_D.pdf: 7232482 bytes, checksum: 5b52d680c668a52d6e944deb202a161c (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Filmes finos de dióxido de estanho dopado com flúor foram produzidos pelo método convencional de vaporização sobre substrato de vidro Corning 7059. As propriedades óticas elétricas dos filmes foram determinadas como função da temperatura de substrato (200 - 490ºC) e da concentração de dopante na solução básica de vaporização. A transmitância no visível e infravermelho próximo, como também a resistividade elétrica dos filmes decresceu com o aumento da concentração do flúor. As melhores propriedades eletro-óticas (transmitância média de 75% resistividade elétrica de 10-3 Wcm) foram obtidas para 250ºC £ Ts £ 350ºC e concentrações de flúor na solução de vaporização em torno de 2 at.% F: Sn. A textura superficial dos filmes foi investigada por microscopia ótica e eletrônica de varredura. A concentração de flúor nas amostras foi investigada por SIMS (Secondary Ions Mass Spectroscopy), AES (Auger Electron Spectroscopy) and ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). A análise por difratometria de raios X mostrou que os filmes depositados com Ts ³ 250ºC são policristalinos. Observou-se uma mudança sistemática das linhas de difração de raios X como função da concentração de flúor. Foram realizados cálculos teóricos dos fatores de estrutura associados à rede do SnO2 introduzindo-se átomos de flúor em posições substitucionais e intersticiais. A presença do dopante não intencional Cl foi também investigada e seu papel nos filmes de SnO2 : F sugerido / Abstract: Thin films of tin dioxide doped with fluorine were produced by the conventional spraying method using 7059 Corning Glass substrates. The electrical and optical properties of these films were determined as a function of the substrate temperature(200 - 450ºC) and dopant concentration in the basic spraying solution. The visible and near infrared transmittance, as well as the electrical resistivity of the films decreased with the increase in fluorine concentration. The best electro-optical properties (an average transmittance of 75% and an electrical resistivity of 10-3 Wcm) were achieved for 250ºC £ Ts £ 350ºC and fluorine concentration in the spraying solution of around 2 at.% F:Sn. The films surface texture was investigated by scanning electron microscopy and optical microscopy. Fluorine content of the samples was investigated. by SIMS (Secondary Ions Mass Spectroscopy), AES (Auger Electron Spectroscopy and ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis). The x-ray diffractometric analyses showed that the films deposited at Ts ³ 250ºC are polycrystalline. A systematic chance in the intensity of the diffraction lines as a function of the fluorine content was observed. Theoretical calculations of the structure associated to the SnO2 lattice introducing fluorine atoms in substitutional and interstitial positions were performed. The presence of the non intentional dopant Cl was also investigated and its role in SnO2: F films suggested. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Jaime Frejlich / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T01:34:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Oliveira_ElisabethAndreolide_M.pdf: 6111363 bytes, checksum: fcd91390013c0f242e75178ddb3f0e53 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Apresentamos um método não destrutivo para medida de espessura de filmes finos transparentes depositados em substratos transparentes, usando um interferômetro de Haidinger. A partir das frações de interferência, medidas para vários comprimentos de onda, e do índice de refração para um único comprimento de onda, determinamos a espessura do filme e sua dispersão cromática, através de um procedimento analítico-numérico / Abstract: We introduce a non-destructive method for the thickness measurement of thin transparent films coated on transparent substrates, using a Haidinger interferometer. From the interference fractions measured for various wavelengths, and the refraction index for only one wavelength, we determine the film thickness and its chromatic dispersion through an analytic-numeric procedure / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Ivan E. Chambouleyron / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wathaghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:13:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Graeff_CarlosFredericodeOliveira_M.pdf: 1762076 bytes, checksum: ba87650db8dd1f85110d4d20143d4328 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Este trabalho relata resultados na criação e recozimento de defeitos metaestáveis induzidos por luz em filmes finos de germânio amorfo hidrogenado de qualidade eletrônica. Os filmes foram depositados pelo método sputtering de rádio freqüência numa atmosfera de Ar-Hz, em substratos mantidos à temperatura de o 180 ºC. As amostras são fotocondutoras, com af/ae = 1.5 até 2.0 sob iluminação AM1 (100 mW/cm2), à temperatura ambiente. Tanto a fotocondutividade, quanto a condutividade de escuro das amostras decaem após exposição à luz intensa. O efeito é atribuído à formação de defeitos induzidos por luz. A T = 310 K a condutividade de escuro decresce a 85% do seu valor inicial depois de alguns minutos sob iluminação AM1. As mudanças são metaestáveis e tanto a af e a ae, retornam a seus valores originais depois de algumas horas no escuro. Com o intuito de estabelecer uma cinética para a formação e o recozimento dos defeitos, uma montagem diferencial de condutividade foi utilizada em diferentes temperaturas e diferentes condições de iluminação. Tanto os processos de formação, quanto o recozimento de defeitos revelaram ser ativados com a temperatura. A evolução temporal do processo tanto de criação quanto do recozimento dos defeitos pode ser melhor explicado por uma lei do tipo exponencial alongada : Da exp -(t/t)b , com b = 0.8 ± 0.1. A constante característica 1/t tem uma energia de ativação de 0.45 eV. Como no caso do a-Si:H, um possível mecanismo que dê conta deste tipo de comportamento para a cinética da metaestabilidade esta associado à difusão do hidrogênio no material. Medidas em difusão de hidrogênio também são apresentadas neste trabalho. As técnicas empregadas para a detecção do hidrogênio foram a espectroscopia de infravermelho e ERDA (Elastic Recoil Detection Analisys). Uma difusão do tipo dispersiva foi encontrada com um coeficiente de difusão de @ 10-15 cm2/s à temperatura de 300 ºC. Os dados obtidos até o momento não deixam claro o papel do hidrogênio no efeito metaestável induzido por luz no a-Ge:H / Abstract: This work reports on light induced metastable defect creation and annealing in a-Ge:H thin films of electronic quality. The films were deposited by the RF sputtering method in an Ar-Hz o atmosphere onto substratum¿s held at 180 ºC. The samples are photo-conductive, with apc/ad = 1.5 to 2 under AM1 conditions (100 mW/cm2) at room temperature. Both, the dark-and the photo-conductivity of the samples decrease after light soaking. The effect is attributed to light induced defect formation. At T = 310 K the dark conductivity decreases to 86% of its initial value after a few minutes of AM1 soaking. The changes are metastable and both, apc and ad, return to their original values after some hours in the dark. In order to establish the kinetics of defect formation and annealing a differential setup was used to measure conductivity transients at different temperatures and under different illumination conditions. Both, the defect formation and the annealing processes. Were found to be temperature activated. The temporal evolution of the annealing process is best explained by a stretched exponential law: Da exp ¿(t/t)b , with b = 0.8 ± 0.1. The characteristic inverse decay time 1/t has an activation energy of 0.45 eV. As in the case of a-Si:H, this kind of process kinetics may be associated with hydrogen diffusion in the material. Hydrogen diffusion measurements are being carried on our samples by thermal annealing at different temperatures and annealing times. The hydrogen detection techniques used are IR spectroscopy and ERDA (Elastic Recoil Detection Analysis). A dispersive type of diffusion was found with a diffusion coefficient of @ 10-15 cm2/s at 300 °C .Results obtained up to now do not give a clear role to the hydrogen diffusion on the metastable effects observed in a-Ge:H / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientadores : Marco-Aurelio De Paoli , Annette Gorenstein / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-16T00:45:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fonseca_CarlaMariaNascimentoPoloda_M.pdf: 3525642 bytes, checksum: aaaded5f5239c6707a65d1651714a13b (MD5) Previous issue date: 1992 / Mestrado

Orientador: Sergio Moehlecke / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T16:02:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Scarminio_Jair_D.pdf: 7527158 bytes, checksum: 6b295f968ea910233e8037427e3edee5 (MD5) Previous issue date: 1989 / Resumo: Fizemos um estudo da tensão mecânica (interna e térmica), falhas mecânicas e adesão, em filmes poli cristalinos de Nb/Pd depositados pelas técnicas de "sputtering" e evaporação. Observou-se que a tensão residual depende das condições de deposição, em especial da pressão do gás do plasma de argônio nos filmes obtidos por "sputtering" .Verificou-se também que padrões caracterizam as falhas por trincas e descolamentos, as quais ocorrem dependentemente dos parâmetros tensão residual, espessura do filme e adesão. Obteve-se ainda para estes filmes, as tensões de compressão críticas para a ocorrência de falhas por descolamentos. Com os resultados obtidos discutiu-se os modelos teóricos para a origem da tensão e falhas mecânicas em filmes finos. Um resumo atualizado das propriedades mecânicas destes materiais é também apresentado / Abstract: Stress (internal and thermal), mechanical failures and adhesion were studied for Nb/Pd polycrystalline films, deposited by sputtering and evaporation techniques. A dependence between residual stress and depositions conditions, mainly with the plasma pressure in sputtered films was observed. Specific patterns characterize the failures by cracking and buckling, with occur depending on residual stress film thickness and adhesion parameters. The critical compressive stress to failures by bucking in these films was obtained experimentally. Based on these results theoretical models of the origin of stress and of mechanical failures in thin films were discussed. An up-to-date abstract about the mechanical properties in these materials is also presented. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Mario Antonio Bica de Moraes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T16:41:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Mota_RogerioPinto_M.pdf: 3505128 bytes, checksum: 3c19243f778370146fe4663f4714f4cf (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Foi desenvolvido um sistema que permitiu a obtenção de filmes finos de acetileno polimerizado com e sem incorporação de cobre por um processo combinado de polimerização por descarga luminescente e "sputtering". As propriedades estruturais dos filmes foram estudadas por espectroscopia infravermelha, microscopia eletrônica de varredura e transmissão bem como difração de raios-x. Foi observado que os filmes de polímeros (sem cobre) são essencialmente livres de "pinholes" e amorfos, e que o cobre incorporado ao polímero apresenta-se como uma suspensão de partículas (ou ilhas) na matriz deste. Medições de condutividade elétrica em função da temperatura apresentaram um comportamento linear para Ln s com 1/T no polímero sem incorporação de cobre, e uma linearidade entre ln s e (1/T)1/2 para o polímero com cobre incorporado. A condutividade elétrica .apresentou variação acentuada com a composição de cobre no filme. A dependência entre s e T no polímero com cobre é a mesma observada em alguns filmes finos de materiais cerâmicos depositados em vácuo simultaneamente com metais ("CERMETS") / Abstract: A glow discharge apparatus for the synthesis of thin polymer films has been developed and tested. By means of simultaneous sputtering, metals can be incorporated into the films. This system has been used to obtain polymerized acetylene-copper films. The structural proprieties of the films were studied by infrared, X-ray spectroscopy and electron microscopy. The pure polymer films were amorphous and essentially pinhole free. Measurements of the electrical conductivity s as a function of temperature T showed a linear behavior among ln and T-1. For copper-containing polymers ln s was found to be linear T-1/2 it was observed a strong dependence of s with the copper con tent in the film. The temperature dependence of the conductivity in the copper containing polymers was the same observed in thin films of ceramic materials co-deposites with metals (CERMETS) / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Alaide Pellegrini Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-17T20:13:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silveira_MarcoAntonio_M.pdf: 7651278 bytes, checksum: 3585d156fe04979644b137bd840ea833 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Neste trabalho são apresentados os resultados obtidos com o desenvolvimento e estudo de um sistema de pulverização catódica (sputtering) com múltiplos alvos, na deposição de filmes de tântalo e silício com tensão DC. São apresentados os detalhes relativos ao projeto e à construção das diversas partes e conjuntos elétricos e mecânicos do sistema, bem como a avaliação dos seus desempenhos. O estudo realizado compreendeu a caracterização do sistema, visando determinar a inter-relação dos diversos parâmetros envolvidos no processo de deposição (corrente de alvo, tensão de alvo, pressão na câmara de deposição, blindagem do alvo, distância entre alvo e substrato, material do alvo, estrutura cristalina do substrato, pressão parcial do gás de trabalho e taxa de deposição do filme) e destes com as características dos filmes obtidos (uniformidade de espessura, aderência ao substrato, resistividade elétrica, estrutura cristalográfica, tamanho de grão e composição química) ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

No presente trabalho foram estudadas a estrutura local e a macroestrutura do silsesquioxano iônico contendo o grupo catiônico 1,4-diazoniabiciclo[2.2.2]octano (SiDbX2, onde X = Cl- ou NO3-), e suas múltiplas funcionalidades. Primeiramente, mostrou-se que a síntese deste silsesquioxano iônico em ponte pelo método sol-gel produz uma mistura de dois organossilanos, os quais formam uma estrutura poliédrica tipo POSS. A estrutura poliédrica formada é constituída por siloxanos (Si–O–Si) conectada pelo grupo orgânico em ponte. Por sua vez, essa estrutura poliédrica se autoorganiza para produzir empacotamento hexagonal ABCA. Este é o primeiro relato de uma estrutura de POSS para silsesquioxanos em ponte obtidos diretamente pela condensação de organossilanos em ponte. As propriedades inerentes à este tipo de silsesquioxano iônico permitiram seu uso no recobrimento de lâminas de vidro e de nanotubos de trititanato, na estabilização de nanopartículas metálicas e na produção de silsesquioxanos de zinco. Quando utilizado na formação de filmes sobre superfície de vidro plano, o SiDb(NO3)2 atuou como agente estabilizante e de adesão de nanopartículas de prata (AgNP) Os filmes contendo AgNP apresentaram estabilidade térmica até temperaturas próximas a 200 °C, visto que não houve alterações na espessura dos filmes. Estes filmes também mostraram excelente atividade bactericida contra S. aureus, mesmo após ciclos de esterilização a 170 °C. Quando usado no revestimento de nanotubos de trititanato, o SiDbCl2 atuou como agente de estabilização e adesão de nanopartículas de ouro (AuNP), e também como agente anti-sinterizante da titânia. Dessa forma, a titânia resultante manteve as propriedades microstruturais dos nanotubos de trititanato e teve suas propriedades ópticas melhoradas, possibilitando um desempenho fotocatalítico melhor que anatase P-25. Quando usado na produção de compostos de zinco contendo silsesquioxanos iônicos (SIZn), o SiDbX2 possibilitou a obtenção de precursores se Zn para síntese, em baixa temperatura, de cristais de óxido de zinco ou silicato de zinco. A identidade do cristal obtido apresentou-se dependente do contra-íon utilizado. Os materiais resultantes apresentaram propriedades fotoluminescentes, com emissão no visível. / Herein, the local and macrostructure of the ionic silsesquioxane containing the group 1,4-diazoniabycicle[2.2.2]octane (SiDbX2, X = Cl- or NO3-) was elucidate, and its role in different systems was also studied. Firstly, it was shown that the synthesis of SiDbX2 by sol-gel method led to a mixture of two organosilanes. This silsesquioxane presented cages of POSS structure as its local organization. It was also proposed that these cages of Si–O–Si were linked to each other by the bridged organic component. These POSS structures showed a self-assembly of presenting a hexagonal packing (ABCA). This is the first report of a POSS structure for a bridged silsesquioxane obtained by direct condensation of bridged organosilanes. The inherent properties of the SiDbX2 allowed it to be able to produce films onto flat glass surface, to coat trititanate nanotubes, to stabilize metal nanoparticles and to originate new zinc silsesquioxanes. Thus, it was possible to evaluate the SiDbX2 influence in different kind of systems. In this way, when the SiDb(NO3)2 was applied to form films onto glass, it acted as stabilizer and adhesion agent of silver nanoparticles (AgNP) on glass surface. The AgNP films presented thermal stability under temperatures up to 200 °C, considering the unchanged film thickness These films also showed excellent antibacterial activity against S. aureus due to a sinergetical mechanism produced by AgNP and quaternary ammonium groups presented in SiDb(NO3)2 structure. This antibacterial activity of AgNP films kept high even after cycles of sterilization at 170 °C. In the second study, the SiDbCl2 was used as stabilizer and adhesion agent of gold nanoparticles (AuNP) onto trititanate nanotubes surface. It also assumed the role of anti-sintering agent of titania matrix. The presence of SiDbCl2 led to titania materials keep the microstructural properties of trititanate nanotubes. The final titania materials presented an increased optical property, making these materials more efficient photocatalytically than P-25. At last, the SiDbX2 were used as precursor to synthesize new zinc compounds containing ionic silsesquioxanes (SIZn). These SIZn originate, at low temperature, crystals of zinc silicate and zinc oxide, the identity os the crystal obtained depended on the SIZn counterion. The final materials presented photoluminescence with emission in visible region.

Orientador: Neri Alves / Banca: Clarissa de Almeida Olivati / Banca: Mauro Miguel Costa / O Programa de Pós Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais, PosMat, tem caráter institucional e integra as atividades de pesquisa em materiais de diversos campi / Resumo: Neste trabalho, é apresentada a preparação de filmes finos de Al2O3 por anodização usando a solução eletrolítica contendo etileno glicol e ácido tartárico. Os filmes de Al2O3 foram crescidos por anodização de filmes de alumínio, depositados previamente por evaporação em vácuo em dois tipos de substratos, vidro e ITO, utilizando corrente constante de 0,63 mA/cm2. Filmes de Al2O3 sobre vidro variando a espessura da camada residual de alumínio, e filmes de Al2O3 com 10 nm de camada residual de alumínio sobre ITO foram obtidos visando possíveis aplicações em dispositivos transparentes. Os filmes foram caracterizados através de medidas de capacitância e perda dielétrica em função da frequencia, microscopia de força atômica (AFM) e transmitância óptica. Os resultados mostram que as constantes dielétricas obtidas para os óxidos estão entre 5,4 e 7,8 e a tan está entre 5,0x10-3 e 1,4x10-2. Os valores de constante dielétrica dependem da rugosidade de superfície do óxido e imagens de AFM mostram que esta depende da rugosidade do alumínio evaporado. A partir dos espectros de transmitância ótica, verificou-se que os óxidos obtidos com uma camada residual de alumínio de 20nm apresentam uma transmitância de 80% / Abstract: In this work, it is presented the preparation of thin films of Al2O3 by anodization using the electrolyte solution containing ethylene glycol and tartaric acid. The Al2O3 films were grown by anodization of aluminum films previously deposited by vacuum evaporation on two types of substrates, glass and ITO using constant current of 0,63 mA/cm2. Al2O3 films on glass with thickness variation of the residual aluminum layer, and Al2O3 films with 10 nm residual layer of aluminum on ITO were obtained in order to have possible applications in transparent devices. The films were characterized by capacitance measurements and dielectric loss versus frequency, atomic force microscopy (AFM) and optical transmittance. The results show that the dielectric constant obtained for the oxides are between 5.4 and 7-8 and is from 5,10x10-3 and 1,4x10-2. The dielectric constant values depend on the oxide surface roughness and AFM images show that this depends on the roughness of evaporated aluminum. From the optical transmittance spectra, it was found that the oxides obtained with a residual layer of 20 nm of aluminum have a transmittance of 80% / Mestre

Orientador: Younès Messaddeq / Coorientador: Silvia Santagneli / Banca: Clóvis Augusto Ribeiro / Banca: Gael Yves Poirier / Banca: Máximo Siu Li / Banca: Valmor Roberto Mastelaro / Resumo: Os vidros calcogenetos a base de telúrio vem despertando grande interesse acadêmico e tecnológico devido às suas versáteis propriedades ópticas, elétricas e físico-químicas, permitindo a sua aplicação em várias áreas da fotônica. Este trabalho descreve o estudo cinético de cristalização e dos fenômenos fotoinduzidos no sistema vítreo Ga-Ge-Te. Duas composições, Ga20Ge10Te70 (GGT7) e Ga10Ge10Te80 (GGT10), tiveram sua cinética de cristalização estudadas, nos vidros com tamanho de partículas de 53<x>45 μm e em monolito, analisando-se a fração cristalizada. Foi possível calcular a energia de ativação pelos métodos de Kissinger, Ozawa, e Augis e Benett e o expoente de Avrami, que fornece informações dos processos de nucleação e crescimento de cristais para ambas as composições. Os dados obtidos mostram que estas composições apresentaram altos valores de energia de ativação, característica interessante em aplicações onde a estabilidade da fase amorfa seja requerida. Na segunda parte do trabalho foram produzidos filmes finos por "Electron Beam Physical Vapor Deposition" utilizando as composições vítreas GGT7 e GGT10. Os efeitos fotoinduzidos foram avaliados nos filmes, onde as amostras foram irradiadas no comprimento de onda de 488 nm usando um laser contínuo (CW) de argônio, variando-se a potência de irradiação e o tempo de exposição. Nesse caso, foram observados a fotocristalização, onde a presença da fase de Te hexagonal foi observada por espalhamento Raman e Difração de Raios X. Esses efeitos mostraram-se reversíveis com o tratamento térmico das amostras em temperaturas próximas de sua temperatura de transição vítrea (Tg) / Abstract: Chalcogenide glasses base of tellurium is attracting great academic and technological interest due to their versatile optical properties, electrical and physical and chemical properties, allowing use in several areas of photonics. This thesis presents the study of crystallization kinetics and photoinduced phenomena in glass system Ge-Te-Ga. The compositions Ga20Ge10Te70 (GGT7) and Ga10Ge10Te80 (GGT10) were carried out study the crystallization induced by thermal treatments performed on glasses with particle size of 53 < x > 45 μm and a piece are analyzing the fraction crystallized. This analysis relies on the crystallization peaks, obtained with the Differential Scanning Calorimetry (DSC) technique. The curves of the crystallized fraction and decreased crystallization time with increasing heating rate. The calculation of the crystallized fraction was realized, first, by considering the 0peaks of crystallization. The activation energy from Kissinger, Ozawa, and Mahadevan Augis and Benett method was obtained and Avrami exponent, which provides information on the processes of nucleation and crystal growth for both compositions. The data showed high values of activation energy, interesting feature in applications where stability of the amorphous phase is required. In the second part of the work were produced thin films by Electron Beam Physical Vapor Deposition, using the vitreous compositions GGT7 and GGT10. The effects were evaluated in the photoinduced films, where the samples were irradiated by wavelength of 488 nm using a continuous Argon laser (CW), varying the power of irradiation and exposure time. The photocrystallization were observed, where the presence of hexagonal Te phase were observed by Raman scattering and X-ray diffraction These effects were shown to be reversible by thermal treatment of the samples at temperatures close to their glass transition temperature (Tg) / Doutor