Made available in DSpace on 2018-08-01T22:30:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 tese_6762_Tese Doutorado Isabel Liz Castro Merino.pdf: 24470299 bytes, checksum: b2fd9bf97061153286bf599b7c21de10 (MD5) Previous issue date: 2013-07-19 / Apresenta-se, no presente trabalho, uma investigação sistemática, através da caracterização estrutural e magnética, da infuência da textura cristalográfica sobre o efeito de Exchange Spring presente nas tricamadas NiFe/IrMn/Co depositadas, à temperatura ambiente, pelo método de Magnetron Sputtering. Usando a difração de Raios-X, demonstrou-se que as camadas de NiFe, IrMn e Co estão texturizadas com orientação [111]-fcc quando a deposição ocorre sobre a camada semente de Ta, não havendo constatação de outros tipos de orientações. Para as amostras crescidas sobre a camada semente de Cu, além da orientação majoritária [111]-fcc, orientações do tipo [200] e [220] encontram-se também presentes nos difratogramas das heteroestruturas NiFe/IrMn/Co. Deste modo, constata-se que o sistema com Ta possui um grau de textura [111] maior do que aquele do sistema com Cu. Da análise das curvas de difração de Raios-X em ângulos rasantes (refletividade) dos sistemas com Cu e Ta, verifica-se que o sistema com Cu possui uma elevada rugosidade na interface Si/Cu (2,8 nm), quando comparada com aquela da interface Si/Ta (0,2 nm) do sistema com Ta. A combinação das técnicas de magnetização DC e ressonância ferromagnética, à temperatura ambiente, nos proporcionou estudar a anisotropia magnética planar e os efeitos conjugados de Exchange Bias (acoplamento de troca unidirecional nas interfaces NiFe/IrMn e IrMn/Co) e Exchange Spring nas heteroestruturas NiFe/IrMn/Co. Os resultados de magnetização DC sugerem que o efeito de Exchange Spring existe mesmo antes da aplicação de um resfriamento com campo magnético (indução de anisotropia unidirecional). O fenômeno de Exchange Spring (consequentemente a estrutura de spins do IrMn) se mostrou fortemente dependente do grau de textura [111] da camada de IrMn que, por sua vez, é dependente da camada semente (Cu ou Ta) depositada sobre o substrato de Si(100). Verificou-se, a posteriori, que um campo magnético de resfriamento de 10 Oe (desde 400 K até 300 K) é suficiente para estabelecer o efeito de Exchange Bias em ambas as interfaces (NiFe/IrMn e IrMn/Co). Observou-se que os maiores valores do campo de Exchange Bias ocorrem quando se estabiliza a estrutura L12 do IrMn (intervalo 6-8 nm), a qual possui baixa tensão cristalográfica. Devido aos diferentes graus de textura (um efeito de rugosidade pode também estar presente), demonstra-se que o efeito de Exchange Bias da interface IrMn/Co é distinto para os sistemas com Ta e Cu. Para os sistemas com anisotropia unidirecional, comprovou-se que ao se aumentar a espessura da camada de IrMn (de 5 a 30 nm), o ângulo de acoplamento entre a camada de NiFe e a camada de Co aumentou no sistema com Cu e reduziu no sistema com Ta, apresentando comportamentos opostos. Explicaram-se estes resultados considerando: (i) diferentes anisotropias das camadas de Co e IrMn induzidas pelo grau de textura [111] e (ii) campos de Exchange Bias distintos nas interfaces NiFe/IrMn e IrMn/Co em ambos os sistemas. Comprovou-se que o ângulo de acoplamento encontra-se fortemente correlacionado com ambos os efeitos: Exchange Bias e Exchange Spring. Através de medidas de espalhamento magnético ressonante, constatou-se a presença de spins não-compensados reversíveis sob ação de campo magnético para ambos os sistemas com anisotropia unidirecional (efeito mais claro para o sistema com Cu). Além disso, através dos laços de histerese elemento seletivo obtidos por essa técnica, provou-se a presença do efeito de Exchange Spring no sistema com Cu, mesmo antes de se aplicar o resfriamento com campo magnético.

Orientador: Vitor Baranauskas / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-21T14:01:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rodrigues_CesarRamos_D.pdf: 18863906 bytes, checksum: 808c8feb97e5b48c8ce291364b31f2c9 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: O diamante é um material semicondutor com propriedades que o tornam muito interessante para aplicação na construção de dispositivos eletrônicos. Esta aplicação depende do aprimoramento dos processos de síntese deste material. Neste trabalho empregamos as técnicas de microscopia de força atômica e microscopiade tunelamento de elétrons no estudo da superfície de cristais de diamante sintetizados por deposição química da fase vapor assistida por filamento quente, buscando uma compreensão qualitativa dos fenômenos de nuc1eação e crescimento dos cristais. A visualização da rede cristalina do diamante (realizada pela primeira vez neste trabalho) e de características nanométricas na superfície dos cristais, aliadas aos modelos de crescimento encontrados na literatura oferecem uma nova perspectiva no estudo destes fenômenos, preenchendo uma lacuna existente nos estudos anteriores, onde a microscopia de varredura de elétrons era empregada. Buscamos, com base nestas análises, uma interpretação dos fenômenos de nucleação e crescimento dos cristais de diamante partindo dos modelos propostos na literatura. A visualização da rede cristalina do diamante (realizada pela primeira vez neste trabalho) e de características superficiais de dimensões nanométricas oferecem uma nova perspectiva na correlação destas características ao processo de crescimento das faces do diamante nas diversas direções, visto que tais características são de impossível observação na microscopia de varredura de elétrons (técnica utilizada em trabalhos anteriores). Além da análise de superfícies, apresentamos um estudo preliminar do processo de dopagem do diamante policristalino com fontes sólidas de boro. A adição do dopante durante o processo de crescimento mostrou-se um processo de dopagem viável e simples para o diamante.A semicondutividade dos filmes foi confirmada por análises de variação de resistividade em função da temperatura. O emprego da espectroscopia de tuneIamento de elétrons confirmou a obtenção de um filme de carbono tipo diamante semicondutor tipo p com uma banda proibida de 3,15 e V / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Roberto de Toledo Assumpção / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Mecanica / Made available in DSpace on 2018-07-21T20:39:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pompei_RitadeCassiaSimonaio_M.pdf: 5461146 bytes, checksum: cc5e5bc8d788df345e7adc46127a666d (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Neste trabalho estudou-se o processo de deposição química a partir de solução, de filmes finos de sulfeto de cádmio, CdS, observando-se a variação do crescimento em função dos parâmetros de deposição como temperatura, tempo de reação e reagentes. Os filmes foram depositados sobre substrato de vidro em meio básico contendo sal de cádmio, agente sulfenizante e complexante. Utilizou-se Microscopia Eletrônica de Varredura para obtenção da estequiometria e de imagens da morfologia dos filmes, além de determinação da espessura através de Profilometria. Determinou-se a estrutura cristalina através de análise por difratometria de raios-X e difração de elétrons por Microscopia Eletrônica de Transmissão. Foi realizado, ainda, estudo eletroquímico do processo in situ. Os filmes apresentaram composição de dupla camada, uma policristalina e outra mais fina de características amorfas, com diferente estequiometria, e espessura final de 2,3 'mu¿m O processo se mostra heterogêneo e homogêneo sendo influenciado pelo tempo e temperatura de deposição / Abstract: In this work we have studied the chemical bath deposition process of cadmium sulphide thin films, CdS, and we have analysed the effect of various parameters (temperature, time of deposition and type of reactants) on the growth and film characteristics. CdS films were deposited on glass substrate in an alkaline solution containing cadmium salt, sulfenizing and complexing agents. The morphology and stoichiometry of the films have been obtained by Scanning Electron Microscopy and the thickness was determined by Profilometry. X-ray diffraction and electron diffraction (using Transmission Electron Microscopy) were used to determine the crystalline structure. The deposition process also was studied in situ, using electrochemical measurements. CdS films composition showed two layers, a polycrystalline and other with amorphous characteristics. Each layer has a different stoichiometry. The terminal thickness of 2,3 'mu¿m was obtained. The process is homogeneous and heterogeneous and can be influenced by time and temperature depositions / Mestrado / Materiais e Processos de Fabricação / Mestre em Engenharia Mecânica

Orientador: Ioshiaki Doi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-21T22:05:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Franco_MargarethKazuyoKobayashiDias_D.pdf: 5259398 bytes, checksum: 4d4eae8042b6954d6fe17ab9ddc01e6a (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: O estudo de filmes finos de diamante tem despertado muita atenção devido a sua grande potencialidade de aplicações. Na microeletrônica um dos campos de interesse é em dispositivos semicondutores para alta frequência e alta temperatura, devido a suas propriedades como alta condutividade térmica, banda de energia larga, alta tensão de ruptura elétrica, alta velocidade de saturação eletrônica e baixa constante dielétrica. Para aplicação dos filmes de diamante em dispositivos é necessário que os mesmos sejam dopados. Contudo, para que os dispositivos a base de diamante sejam uma realidade, existem ainda inúmeros problemas, entre os quais a fabricação de filmes de qualidade desejável para estas aplicações e dopagens do diamante, que devem ser investigados e superados. Este trabalho objetiva, o estudo do crescimento e caracterização de filmes de diamante semicondutor do tipo p. O crescimento dos filmes de diamante foram feitos pela técnica de deposição química a partir da fase vapor assistida por filamento quente(HFCVD), usando o vapor constituído pela mistura etanol-acetona como fonte de carbono. A dopagem dos filmes foi efetuada de forma concomitante ao crescimento, dissolvendo-se o trióxido de boro ao líquido orgânico empregado. Para obtenção dos filmes com diferentes graus de dopagem foi variada a concentração de trióxido de boro no líquido orgânico, medida pela relação B/C (átomos de boro/átomos de carbono). Os filmes foram analisados quanto a qualidade morfológica da superficie através de Microscopia Eletrônica de Varredura (SEM) e Microscopia de Força Atômica (AFM), e quanto a sua cristalinidade por Espectroscopia Raman. Também foram analisadas as propriedades elétricas através das medidas de Corrente x Tensão e Resistividade x Temperatura. Os resultados obtidos através da espectroscopia Raman mostraram que a dopagem realizada com trióxido de boro melhora a qualidade dos filmes de diamante com a redução da fase grafítica, e que a intensidade do pico característico em 1333 cm-l diminue com o aumento da dopagem, provavelmente consequente do rearranjo estrutural provocado pela incorporação do boro. Quanto a morfologia, os filmes de diamante dopado apresentaram tamanho médio dos grãos menores que os apresentados pelos filmes não dopados, menores que 5.4 um. A taxa de deposição média aumentou de 0.85 um para 1.36 um dos filmes não dopados aos dopados de concentração BIC 30000 ppm. Verificamos através de medidas elétricas, que os filmes com baixa dopagem apresentam comportamento diferenciado com a variação da temperatura, o que sugere que os níveis de impureza sejam profundos sendo ativados a temperatura acima de 300 K. No entanto, entre os filmes analisados, os filmes com BIC acima de 18000 ppm apresentaram um comportamento linear com resistividade aproximadamente na ordem de 104,Q.cm,não variando de forma significativacom a temperatura. A análise relativa a energia de ativação mostrou que houve uma redução de seis vezes entre a amostra mais dopada e a amostra não dopada, indicando que a dopagem não apresentou proporcionalidade a concentração BIC / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Peter Jurgen Tatsch / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-22T02:44:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Diniz_JoseAlexandre_D.pdf: 12386412 bytes, checksum: f0d41951da83f32542ac72976875a80f (MD5) Previous issue date: 1996 / Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e a caracterização de filmes finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através da implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2) e de óxido nítrico (NO+) com baixa energia em óxidos de silício crescidos termicamente sobre substratos de silício ou em substratos de silício com posterior oxidação térmica... Observação: O resumo na integra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: This work describes the formation and the characterization of ultra-thin and thin silicon oxynitride (SiOxNy) films by low-energy molecular nitrogen (N/) or nitric oxide (NO+) ion implantation in thermal silicon oxide (SiO2) grown on silicon substrate or into silicon substrate prior to thermal oxidation... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Mario Antonio Bica de Moraes / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-26T04:08:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cruz_NilsonCristinoda_D.pdf: 4500258 bytes, checksum: 8f57eb70ed4854d0a9819aa02fba0b57 (MD5) Previous issue date: 1999 / Resumo: Neste trabalho foram investigados os processos de deposição a plasma de filmes finos de óxido de titânio e da formação de partículas nas descargas empregadas nas deposições. Os filmes foram produzidos por uma técnica inédita de deposição derivada a partir do PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) convencional. Nesta técnica, inteiramente desenvolvida neste trabalho e que denominamos PECVD modificado, os filmes são depositados sobre um terceiro eletrodo posicionado fora da região intensa do plasma. As amostras produzidas a partir de plasmas de misturas de tetraisopropoxititânio (TiPT)-He-Ar e TiPT -He-O2, em diferentes condições de pressão no reator, temperatura e polarização do substrato foram analisadas pelas espectroscopias de reflexão-absorção no infravermelho (IRRAS), fotoelétrons de raios-X (XPS), retroespalhamento Rutherford (RBS) e de transmissão no ultravioleta-visível (UV-VIS). Além disto foram também empregadas difração de raios-X (XRD), microindentação e o método das duas pontas de medida de resistividade elétrica. A formação de partículas nos plasmas foi investigada por imageamento CCD, espalhamento de laser (LLS), espectroscopia de emissão óptica actinométrica (EEOA), sonda de Langmuir, microscopia eletrônica de varredura (SEM) e microanálise eletrônica (EPMA) / Abstract: In this work, the plasma deposition of thin titanium oxide films and plasma particle formation processes have been investigated. The films were produced in a newly developed deposition technique derived from the conventional PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) proceedure. In this technique, which has been named modified PECVD, the films are deposited onto an additional electrode placed out of the intense plasma region. The samples produced in plasmas of titaniumtetraisopropoxide (TiPT)-He-Ar and TiPT-He-O2 mixtures in several condictions of reactor pressure and substrate temperature and bias were characterized by infrared reflectance-absorption (IRRAS), X-ray photoelectron (XPS), Rutherford Backscattering (RBS) and transmittion ultraviolet-visible (UV-VIS) spectroscopies. Furthermore, X-ray diffaction (XRD), microindentation and the two probe method have also been applied. The plasma particle formation has been investigated by CCD imaging, laser light scattering (LLS), actinometric optical emission spectroscopy (AOES), Langmuir probe, scanning electron microscopy (SEM) and electron probe microanalysis (EPMA) / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Maria Izabel Maretti Silveira Bueno / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-26T08:56:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 JesusFilho_AntenorLopesde_M.pdf: 5191971 bytes, checksum: 7c49173a3ada25c4b95a15ff49313479 (MD5) Previous issue date: 1999 / Mestrado

Filmes finos de óxido de estanho depositados por "sputtering" reativo foram caracterizados com bases em análises feitas por Espalhamento Nuclear Ressonante, Espectroscopia por Retroespalhamento Rutheford, Espectroscopia Mössbauer de Elétrons de Conversão e Difração de Raios-X e pelas medidas de Resistência de Folha. Numa primeira fase, as amostras foram submetidas a tratamentos térmicos em ar e expostas à gás de cozinha, afim de testar as propriedades sensoras do material. Os filmes finos como depositados foram modificados pelos tratamentos térmicos e exposições a gases, que aumentaram sua condutividade elétrica e alteraram a concentração de vacâncias de oxigênio. Numa segunda fase, os filmes foram submetidos a diferentes tratamentos térmicos, implantados com os íons Fe+, ZN+,Cu+,Ga+ e As+ e novamente tratados termicamente. Foram observados aumentos na condutividade elétrica induzidos pela dopagem dos filmes e algumas correlações entre o perfil de distribuição das espécies implantadas e as razões O/Sn em função da profundidade.

Orientador: Celso Ulysses Davanzo / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-03T05:25:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Trasferetti_BeneditoClaudio_D.pdf: 3863936 bytes, checksum: cbb01f47d582b1825f76f5b5e65e58f0 (MD5) Previous issue date: 2002 / Doutorado

Orientadores : Sergio Persio Ravagnani, Choyu Otani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Quimica / Made available in DSpace on 2018-08-04T00:00:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Libardi_Juliano_M.pdf: 2395456 bytes, checksum: 403b07e96e95d94fcf446a652139bc58 (MD5) Previous issue date: 2004 / Resumo: Neste trabalho foram produzidos filmes finos de carbono tipo diamante (DLC) por meIo da técnica de deposição que utiliza o processo denominado de "DC Magnetron Sputtering" utilizando um alvo sólido e um gás hidrocarboneto como fonte de íons de carbono. O alvo sólido utilizado neste processo é um disco de carbono com 99,99% de pureza e a fonte gasosa é uma mistura de acetileno e argônio. Durante a deposição todos os parâmetros do processo, como: fluxo total de gases, potência aplicada, tempo de deposição e pressão de trabalho foram mantidos constantes, somente a pressão parcial da mistura gasosa foi variada. Os efeitos do conteúdo do gás acetileno (C2H2), no gás de processo, sobre as propriedades dos filmes foram estudados. A dureza, das amostras dos filmes obtidos, foi determinada pela técnica de nanoindentação e os resultados mostraram que existe um valor ótimo para o teor de gás hidrocarboneto na descarga elétrica para o qual o valor da dureza é maximizada. A técnica de espectroscopia Raman permitiu avaliar as mudanças induzi das na estrutura química dos filmes obtidos. Os resultados mostraram que para maiores pressões parciais de acetileno em relação às pressões de argônio, na câmara de deposição, ocorre um expressivo aumento no teor de hidrogênio incorporado aos filmes, indicando a ocorrência de um processo denominado de grafitização. A técnica de Goniometria, por meio da determinação do ângulo de contato, foi a técnica utilizada para o cálculo indireto da energia de superficie dos filmes CTD. As superficies dos filmes também foram analisadas pela técnica de Microscopia de Força Atômica por meio da obtenção de suas imagens topográficas e índices de rugosidade. Os resultados revelaram a obtenção de filmes com maiores valores de rugosidade para maiores conteúdos de gás hidrocarboneto presentes na descarga elétrica. A taxa de deposição do processo foi determinada indiretamente através da determinação da espessura dos filmes. O comportamento destas taxas revelou que é possível alterar o intervalo de tempo do processo necessário pela alteração da concentração do gás de processo na câmara de deposição, para se obter uma detenninada espessura de cobertura. Os parâmetros de deposição utilizados neste experimento haviam sido determinados em um trabalho anterior, realizado no mesmo reator, porém, utilizando-se o gás de metano no lugar do gás acetileno. A aplicação dos mesmos parâmetros de deposição e a aplicação das mesmas técnicas de caracterização possibilitou a realização de um estudo comparativo das características dos filmes DLC produzidos com estes dois gases. Os resultados obtidos utilizando o acetileno como precursor foram comparados com os resultados utilizando-se metano e verificou-se que os filmes apresentaram propriedades semelhantes. Pode-se observar que existe uma correlação entre a variação das pressões parciais dos gases de processo e as propriedades fisicas e químicas dos filmes / Abstract: In this work, diamond-like carbon (DLC) thin films were produced by a deposition technique named "DC magnetron sputtering" which uses a solid target and a hydrocarbon gas as source of carbon ions. The solid target used in this process is a 99;99% pure carbon disk and the gas source used is a mixture of acetylene and argon. During the deposition, alI process parameters, as: total gas flow, power supply, deposition time and work pressure were kept constant, except the partial pressure of the gas mixture was varied. The effects of the acetylene gas content in the total gas of the process, on the film properties were studied. The hardness of the films samples were detennined by the nanoindentation technique and the results showed an optimized quantity of hydrocarbon gas on the discharge which maximize the hardness. The Raman spectroscopy allowed to evaluate the induced changes on the chemical structures of the films, known as DLC (Diamond-Like Carbon). The results showed that higher acetylene partial pressure in relation to argon partial pressure, on the deposition chamber, leads to an expressive raise on the hydrogen leveI incorporated to the films which indicates a graphitization process of the film. The Goniometer technique, through the detennination ofthe contact angle, was used for the indirect calculus ofthe free energy surface ofthe DLC films. The film surfaces were . also analyzed by Atomic Force Microscope technique, which provided the topographic images and roughness. The results revealed films with higher roughness for higher acetylene contents on the electric discharge. The deposition rate of the process was detennined indirect by the films thickness. The behavior of these rates revealed that is possible to change the deposition process time required for the change of the acetylene concentration on the deposition chamber to obtain a specific thickness. The results obtained in this work showed a correlation between the variation of the partial pressure of the precursor gas mixture used in the process and the physical and chemical properties of the DLC films. The deposition parameters used in this experiment were determined in a previous work, done in the same reactor, however using methane gas. The use of the same depositions parameters and characterization techniques make possible a comparative study ofthe DLC film properties produced with these two gases / Mestrado / Ciencia e Tecnologia de Materiais / Mestre em Engenharia Química