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Untersuchung der elektrischen Eigenschaften breitlückiger Halbleiterschichtstrukturen für optoelektronische AnwendungenFehrer, Michael. Unknown Date (has links)
Universiẗat, Diss., 1999--Bremen.
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Dichtefunktionaltheoretische Untersuchungen zu Anti-Surfactants auf GalliumnitridoberflächenRosa, Andréia Luísa da. Unknown Date (has links) (PDF)
Techn. Universiẗat, Diss., 2003--Berlin.
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Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al, Ga)N-SchichtenKirste, Lutz. Unknown Date (has links) (PDF)
Universiẗat, Diss., 2003--Freiburg (Breisgau).
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Elektrische Charakterisierung von Störstellen in den III-V-Halbleitern GaAs und GaN mittels Radiotracer-SpektroskopieAlbrecht, Fanny. Unknown Date (has links) (PDF)
Universiẗat, Diss., 2004--Jena.
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GaN-based heterostructure field effect transistors and MMICs for high frequency applicationsSeo, Sanghyun January 2009 (has links)
Zugl.: Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2009
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In situ- und online-Raman-Spektroskopie zur Analyse von Halbleiterheterostrukturen aus ZnS x Se 1-x und Gruppe-III-NitridenSchneider, Andreas. January 2002 (has links)
Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2001.
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In situ- und online-Raman-Spektroskopie zur Analyse von Halbleiterheterostrukturen aus ZnSxSe1-x und Gruppe-III-NitridenSchneider, Andreas. Unknown Date (has links) (PDF)
Techn. Universiẗat, Diss., 2001--Chemnitz.
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AlGaN/GaN MBE 2DEG heterostructures interplay between surface-, interface- and device properties /Kočan, Martin. Unknown Date (has links) (PDF)
Techn. Hochsch., Diss., 2003--Aachen.
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Entwicklung einer Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie (HTVPE) für die Herstellung von GaNLukin, Gleb 17 April 2018 (has links) (PDF)
Im Rahmen der Arbeit wurde eine neuartige Variante der Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie (HTVPE) für die Herstellung von GaN entwickelt, die eine hohe Flexibilität und bessere Kontrolle des Züchtungsprozesses ermöglicht. Für die Realisierung des Konzeptes wurde eine Züchtungsanlage für die HTVPE entworfen und aufgebaut. Des Weiteren wurde ein numerisches Modell des Wärme- und Stofftransports entwickelt und für die Untersuchungen der Transportphänomene im HTVPE-Reaktor sowie für die Weiterentwicklung des Züchtungsreaktors verwendet. Die systematischen Züchtungsexperimente zeigten eine gute Übereinstimmung mit den Simulationsergebnissen und lieferten ein besseres Verständnis der HTVPE und ihres Anwendungspotentials. Die versbesserte Prozesskontrolle ermöglichte die erstmalige Anwendung der Niedertemperatur-Nukleation für die heteroepitaktische Abscheidung von GaN auf Saphir mit der HTVPE. Weiterhin wurden Wachstumsraten über 80 µm/h erreicht und das Potential der HTVPE für die Herstellung von GaN-Volumenschichten demonstriert.
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Entwicklung einer Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie (HTVPE) für die Herstellung von GaNLukin, Gleb 06 April 2018 (has links)
Im Rahmen der Arbeit wurde eine neuartige Variante der Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie (HTVPE) für die Herstellung von GaN entwickelt, die eine hohe Flexibilität und bessere Kontrolle des Züchtungsprozesses ermöglicht. Für die Realisierung des Konzeptes wurde eine Züchtungsanlage für die HTVPE entworfen und aufgebaut. Des Weiteren wurde ein numerisches Modell des Wärme- und Stofftransports entwickelt und für die Untersuchungen der Transportphänomene im HTVPE-Reaktor sowie für die Weiterentwicklung des Züchtungsreaktors verwendet. Die systematischen Züchtungsexperimente zeigten eine gute Übereinstimmung mit den Simulationsergebnissen und lieferten ein besseres Verständnis der HTVPE und ihres Anwendungspotentials. Die versbesserte Prozesskontrolle ermöglichte die erstmalige Anwendung der Niedertemperatur-Nukleation für die heteroepitaktische Abscheidung von GaN auf Saphir mit der HTVPE. Weiterhin wurden Wachstumsraten über 80 µm/h erreicht und das Potential der HTVPE für die Herstellung von GaN-Volumenschichten demonstriert.
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