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51	Untersuchung der elektrischen Eigenschaften breitlückiger Halbleiterschichtstrukturen für optoelektronische Anwendungen Fehrer, Michael. Unknown Date (has links) Universiẗat, Diss., 1999--Bremen.
52	Dichtefunktionaltheoretische Untersuchungen zu Anti-Surfactants auf Galliumnitridoberflächen Rosa, Andréia Luísa da. Unknown Date (has links) (PDF) Techn. Universiẗat, Diss., 2003--Berlin.
53	Wachstum und Realstruktur von epitaktischen (Al, Ga)N-Schichten Kirste, Lutz. Unknown Date (has links) (PDF) Universiẗat, Diss., 2003--Freiburg (Breisgau).
54	Elektrische Charakterisierung von Störstellen in den III-V-Halbleitern GaAs und GaN mittels Radiotracer-Spektroskopie Albrecht, Fanny. Unknown Date (has links) (PDF) Universiẗat, Diss., 2004--Jena.
55	GaN-based heterostructure field effect transistors and MMICs for high frequency applications Seo, Sanghyun January 2009 (has links) Zugl.: Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2009
56	In situ- und online-Raman-Spektroskopie zur Analyse von Halbleiterheterostrukturen aus ZnS x Se 1-x und Gruppe-III-Nitriden Schneider, Andreas. January 2002 (has links) Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2001.
57	In situ- und online-Raman-Spektroskopie zur Analyse von Halbleiterheterostrukturen aus ZnSxSe1-x und Gruppe-III-Nitriden Schneider, Andreas. Unknown Date (has links) (PDF) Techn. Universiẗat, Diss., 2001--Chemnitz.
58	AlGaN/GaN MBE 2DEG heterostructures interplay between surface-, interface- and device properties / Kočan, Martin. Unknown Date (has links) (PDF) Techn. Hochsch., Diss., 2003--Aachen.
59	Entwicklung einer Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie (HTVPE) für die Herstellung von GaN Lukin, Gleb 17 April 2018 (has links) (PDF) Im Rahmen der Arbeit wurde eine neuartige Variante der Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie (HTVPE) für die Herstellung von GaN entwickelt, die eine hohe Flexibilität und bessere Kontrolle des Züchtungsprozesses ermöglicht. Für die Realisierung des Konzeptes wurde eine Züchtungsanlage für die HTVPE entworfen und aufgebaut. Des Weiteren wurde ein numerisches Modell des Wärme- und Stofftransports entwickelt und für die Untersuchungen der Transportphänomene im HTVPE-Reaktor sowie für die Weiterentwicklung des Züchtungsreaktors verwendet. Die systematischen Züchtungsexperimente zeigten eine gute Übereinstimmung mit den Simulationsergebnissen und lieferten ein besseres Verständnis der HTVPE und ihres Anwendungspotentials. Die versbesserte Prozesskontrolle ermöglichte die erstmalige Anwendung der Niedertemperatur-Nukleation für die heteroepitaktische Abscheidung von GaN auf Saphir mit der HTVPE. Weiterhin wurden Wachstumsraten über 80 µm/h erreicht und das Potential der HTVPE für die Herstellung von GaN-Volumenschichten demonstriert. Galliumnitrid HTVPE PVT Gasphasenabscheidung Heteroepitaxie gallium nitride HTVPE PVT vapor phase deposition heteroepitaxy ddc:620 Galliumnitrid Gasphasenepitaxie Hochtemperaturverhalten Kristallzüchtung Schichtwachstum Heteroepitaxie
60	Entwicklung einer Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie (HTVPE) für die Herstellung von GaN Lukin, Gleb 06 April 2018 (has links) Im Rahmen der Arbeit wurde eine neuartige Variante der Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie (HTVPE) für die Herstellung von GaN entwickelt, die eine hohe Flexibilität und bessere Kontrolle des Züchtungsprozesses ermöglicht. Für die Realisierung des Konzeptes wurde eine Züchtungsanlage für die HTVPE entworfen und aufgebaut. Des Weiteren wurde ein numerisches Modell des Wärme- und Stofftransports entwickelt und für die Untersuchungen der Transportphänomene im HTVPE-Reaktor sowie für die Weiterentwicklung des Züchtungsreaktors verwendet. Die systematischen Züchtungsexperimente zeigten eine gute Übereinstimmung mit den Simulationsergebnissen und lieferten ein besseres Verständnis der HTVPE und ihres Anwendungspotentials. Die versbesserte Prozesskontrolle ermöglichte die erstmalige Anwendung der Niedertemperatur-Nukleation für die heteroepitaktische Abscheidung von GaN auf Saphir mit der HTVPE. Weiterhin wurden Wachstumsraten über 80 µm/h erreicht und das Potential der HTVPE für die Herstellung von GaN-Volumenschichten demonstriert. info:eu-repo/classification/ddc/620 ddc:620

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