Made available in DSpace on 2015-02-04T21:42:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Maria Heloiza.pdf: 504743 bytes, checksum: 4fde6c28fc11e48070d8c696d00b78e9 (MD5) Previous issue date: 2009-10-23 / Este estudo epidemiológico foi realizado com o objetivo de definir a soroprevalência das hepatites virais B e C em escolares que freqüentavam regularmente as escolas municipais de Ensino Fundamental no município de Santos, no período de novembro de 2008 a março de 2009,. Foram analisadas 98 amostras de sangue de escolares com idade entre 4 e 14 anos, através da técnica de ELISA, para detecção da presença de anticorpos anti-HVC, anti-HBc anti-HBs e HBsAg, Setenta e duas amostras foram positivas para a detecção do anti-HBs, mostrando uma eficácia na vacinação contra hepatite B de 75%. Em duas crianças foi detectada a presença do HVC, demonstrando uma prevalência de 2,8%. A pesquisa do anti-HBc foi positiva em duas crianças (prevalência de 2,8%) e o HBs-Ag foi detectado em uma criança (prevalência de 1,3%).

In the past five years generally well managed farms reported an increase in acute deaths in their grower herds to their consulting veterinarian. At the same time reports from across the world indicated that this is not a problem seen only in South Africa. The syndrome is generally referred to as haemorrhagic bowel syndrome (HBS), red gut or balloon pig. Veterinarians generally believed that the cause of these acute deaths were due to the acute form of Lawsonia intracellularis, also known as porcine haemorrhagic enteropathy (PHE). Because neither the clinical symptoms present prior to death, nor the post mortem changes were typical for a L. intracellularis case it was decided to investigate this syndrome in more depth. Five commercial farms were purposefully selected where growers that died peracutely were necropsied and intestinal samples collected for histological as well as bacteriological examination. A total of 28 pigs were sampled with the histological sections from all samples indicating a Clostridium species as the cause and from 11 of samples Clostridium perfringens were cultured as the predominant bacterium. Although pigs on the farms were seropositive for Lawsonia intracellularis there was no evidence that this bacterium was the cause of death in the pigs. Rather the aetiology points to C. perfringens being the cause, possibly together with other predisposing factors such as rapid growth, high ambient temperatures and interruption in fedding patterns. Based on these results further studies to determine the toxin type as well as predisposing factors should be done. Copyright / Gedurende die afgelope vyf jaar het plase met ’n algemene goeie bestuur ’n verhoging in akute vrektes in hulle groeikuddes opgemerk en hulle het hulle kommer oor die vrektes aan hulle konsulterende veeartse oorgedra. Diè verhoging in groeivrektes is nie uniek aan Suid Afrika nie. Dieselfde tendens is regoor die wêreld opgemerk, maar niemand is seker wat presies die oorsaak van die akute vrektes is nie. In die literatuur word daar na “haemorrhagic bowel syndrome (HBS)” oftewel hemoragiese derm sindroom verwys. Boere verwys na die sindroom as rooiderm of “balloon pig”. Tot nou toe het veeartse aanvaar dat die oorsaak moontlik Lawsonia intracellularis is. Die organisme is verantwoordelik vir ’n groep sindrome waarvan “porcine haemorrhagic enteropathy” die akute form is. Omrede die kliniese simptome en die nadoodse ondersoek nie tipies vir ’n L. Intracellularis geval is nie, is daar besluit om die akute vrektes verder te ondersoek. Vyf plase, waar die sindroom baie voorkom, is geidentifiseer en dermonsters is geneem vir histopatalogiese sowel as mikrobiologiese ondersoeke. In totaal is monsters van 28 varke geneem. Die histologies seksies van al die monsters het gedui op ’n Clostridium spesie as die hoofoorsaak van vrekte en Clostridium perfringens is uit 11 van die monsters geisoleer. Alhoewel al 5 plase serologies positief getoets is vir Lawsonia intracellularis, was daar geen bewyse gewees dat die bakterium verantwoordelik vir die vrektes was nie. Die etiologie dui eerder op C. perfringens as die oorsaak. Daarby saam speel ander faktore soos vinnige groei, hoë omgewingstemperature asook onderbrekings in beskikbaarheid van voer heelwaarskynlkik ’n belangrike rol in die sindroom. Verdere navorsing om die toksien tipe te identifiseer asook die identifikasie van moontlike faktore wat die sindroom aanhelp moet gedoen word. / Dissertation (MMEdVet)--University of Pretoria, 2009. / Production Animal Studies / unrestricted

Une augmentation du taux de combustion des combustibles nucléaires UO2 dans les réacteurs à eau légère se traduit par l’apparition d’un changement de structure microscopique, appelée HBS. Bien que caractérisée expérimentalement de façon détaillée, des points importants sur les mécanismes de sa formation restent à éclaircir. Afin de répondre à ces questions, une étude de la contribution des défauts de type dislocation a été conduite. Dans une première partie, une méthode de calcul du champ de contraintes associées à des configurations périodiques de dislocations a été développée. La méthode a été appliquée aux cas des empilements et murs de dislocations de type coin, pour lesquels une expression explicite du potentiel des contraintes internes a été obtenue. A travers l’étude d’autres exemples de configurations, il a été mis en évidence que cette méthode permet le calcul de n’importe quelle configuration périodique de dislocations. Dans une seconde partie, l’évolution des défauts d’irradiation de type boucle d’interstitiels a été étudiée dans des échantillons de combustible UO2 dopé avec 10% en masse d’émetteurs alpha. Les distributions expérimentales en taille de boucles d’interstitiels ont été obtenues pour ces échantillons stockés pendant 4 et 7 ans à température ambiante. Des équations cinétiques sont proposées afin d’étudier l’influence de la remise en solution d’interstitiels contenus dans une boucle due à un impact avec l’atome de recul 234U, ainsi que la coalescence de deux boucles de dislocation pouvant diffuser en volume. L’application du modèle montre que les deux processus introduits doivent être considérés dans l’étude de l’évolution des défauts d’irradiation. / An increase of the discharge burn-up of UO2 nuclear fuels in the light water reactors results in the appearance of a change of microscopic structure, called HBS. Although well characterised experimentally, important points on the mechanisms of its formation remain to be cleared up. In order to answer these questions, a study of the contribution of the dislocation-type defects was conducted. In a first part, a calculation method of the stress field associated with periodic configurations of dislocations was developed. The method was applied to the cases of edge dislocation pile-up and wall, for which an explicit expression of the internal stress potential was obtained. Through the study of other examples of dislocation configurations, it was highlighted that this method also allows the calculation of any periodic dislocation configuration. In a second part, the evolution of interstitial-type dislocation loops was studied in UO2 fuel samples doped with 10% in mass of alpha emitters. The experimental loop size distributions were obtained for these samples stored during 4 and 7 years at room temperature. Kinetic equations are proposed in order to study the influence of the re-solution process of interstitials from a loop back to the matrix due to an impact with the recoil atom 234U, as well as the coalescence of two interstitial loops that can diffuse by a volume mechanism. The application of the model shows that the two processes must be considered in the study of the evolution of radiation damage.

En raison de l'attrait croissant pour les applications haute tension, haute tempé-rature et haute fréquence, le carbure de silicium (SiC) continue d'attirer l'attention du monde entier comme l'un des candidats les plus compétitifs pour remplacer le sili-cium dans le champ électrique de puissance. Entre-temps, il est important de carac-tériser les défauts des semi-conducteurs et d'évaluer leur influence sur les dispositifs de puissance puisqu'ils sont directement liés à la durée de vie du véhicule porteur. De plus, la fiabilité, qui est également affectée par les défauts, devient une question incontournable dans le domaine de l'électricité de puissance.Les défauts, y compris les défauts ponctuels et les défauts prolongés, peuvent introduire des niveaux d'énergie supplémentaires dans la bande passante du SiC en raison de divers métaux comme le Ti, le Fe ou le réseau imparfait lui-même. En tant que méthode de caractérisation des défauts largement utilisée, la spectroscopie à transitoires en profondeur (DLTS) est supérieure pour déterminer l'énergie d'activa-tion Ea , la section efficace de capture Sigma et la concentration des défauts Nt ainsi que le profil des défauts dans la région d'épuisement grâce à ses divers modes de test et son analyse numérique avancée. La détermination de la hauteur de la barrière Schottky (HBS) prête à confusion depuis longtemps. Outre les mesures expérimentales selon les caractéristiques I-V ou C-V, différents modèles ont été proposés, de la distribution gaussienne du HBS au modèle de fluctuation potentielle. Il s'est avéré que ces modèles sont reliés à l'aide d'une hauteur de barrière à bande plate Phi_BF . Le tracé de Richardson basé sur Phi_BF ainsi que le modèle de fluctuation potentielle deviennent un outil puissant pour la caractérisation HBS. Les HBSs avec différents contacts métalliques ont été caractéri-sés, et les diodes à barrières multiples sont vérifiées par différents modèles. Les défauts des électrons dans le SiC ont été étudiés avec des diodes Schottky et PiN, tandis que les défauts des trous ont été étudiés dans des conditions d'injec-tion forte sur des diodes PiN. 9 niveaux d'électrons et 4 niveaux de trous sont com-munément trouvés dans SiC-4H. Une relation linéaire entre le Ea extrait et le log(sigma) indique l'existence de la température intrinsèque de chaque défaut. Cependant, au-cune différence évidente n'a été constatée en ce qui concerne l'inhomogénéité de la barrière à l'oxyde d'éther ou le métal de contact. De plus, les pièges à électrons près de la surface et les charges positives fixes dans la couche d'oxyde ont été étudiés sur des MOSFET de puissance SiC par polarisation de porte à haute température (HTGB) et dose ionisante totale (TID) provoquées par irradiation. Un modèle HTGB-assist-TID a été établi afin d'ex-plain l'effet de synergie. / Due to the increasing appeal to the high voltage, high temperature and high fre-quency applications, Silicon Carbide (SiC) is continuing attracting world’s attention as one of the most competitive candidate for replacing silicon in power electric field. Meanwhile, it is important to characterize the defects in semiconductors and to in-vestigate their influences on power devices since they are directly linked to the car-rier lifetime. Moreover, reliability that is also affected by defects becomes an una-voidable issue now in power electrics. Defects, including point defects and extended defects, can introduce additional energy levels in the bandgap of SiC due to various metallic impurities such as Ti, Fe or intrinsic defects (vacancies, interstitial…) of the cristalline lattice itself. As one of the widely used defect characterization method, Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) is superior in determining the activation energy Ea , capture cross section sigma and defect concentration Nt as well as the defect profile in the depletion region thanks to its diverse testing modes and advanced numerical analysis. Determination of Schottky Barrier Height (SBH) has been confusing for long time. Apart from experimental measurement according to I-V or C-V characteristics, various models from Gaussian distribution of SBH to potential fluctuation model have been put forward. Now it was found that these models are connected with the help of flat-band barrier height Phi_BF . The Richardson plot based on Phi_BF along with the potential fluctuation model becomes a powerful tool for SBH characterization. SBHs with different metal contacts were characterized, and the diodes with multi-barrier are verified by different models. Electron traps in SiC were studied in Schottky and PiN diodes, while hole traps were investigated under strong injection conditions in PiN diodes. 9 electron traps and 4 hole traps have been found in our samples of 4H-SiC. A linear relationship between the extracted Ea and log(sigma) indicates the existence of the intrinsic temper-ature of each defects. However, no obvious difference has been found related to ei-ther barrier inhomogeneity or contact metal. Furthermore, the electron traps near in-terface and fixed positive charges in the oxide layer were investigated on SiC power MOSFETs by High Temperature Gate Bias (HTGB) and Total Ionizing Dose (TID) caused by irradiation. An HTGB-assist-TID model was established in order to ex-plain the synergetic effect.