Techn. Hochsch., Diss., 2005--Aachen.

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Die Arbeit beschreibt die Entwicklung von plasmaunterstützten CVD-Prozessen zur Abscheidung ultradünner (≤10 nm) wolframbasierter Diffusionsbarrieren für die Kupfermetallisierung in integrierten Schaltkreisen. Es wird ein PECVD-Prozess mit der Gaschemie WF₆/N₂/H₂/(Ar) vorgestellt, mit dem amorphe und leitfähige WN_x-Schichten abgeschieden werden. Dabei wird der Prozess umfassend charakterisiert (z.B. Rate, Homogentität, Kantenbedeckung) und die Einflüsse von Parameteränderungen (besonders Gasflussvariationen) auf die Schichteigenschaften untersucht. Ausgewählte Schichtzusammensetzungen, welche den Barriereanforderungen hinsichtlich geringen elektrischen Widerstandes und sehr guter Homogenität über den Wafer entsprachen, wurden im für den praktischen Einsatz relevanten Schichtdickenbereich von 10 nm eingehender untersucht. Dies erfolgte einerseits mikrostrukturell mit GI-XRD, GDOES und TEM zu Schichtzusammensetzung, Kristallisationsverhalten und Schichtstabilität unter Wärmebehandlung in verschiedenen Medien in direktem Kontakt zu Kupfer. Zudem erfolgte die Beurteilung der Diffusionswirkung der WN_x-Schichten mit elektrischen Messverfahren (CV, TVS) über MIS-Strukturen. Auf Grundlage des WN_x-Prozesses wird durch Zugabe von Silan zur Prozessgaschemie die Möglichkeit der Abscheidung einer ternären Zusammensetzung WSiN untersucht. Es erfolgt eine ausführliche Auswertung der Literatur zu verschiedenen WSiN-Abscheideprozessen und eine Wertung der beschriebenen ternären Zusammensetzung in Bezug auf geringen elektrischen Widerstand und thermischer Stabilität. Mit den daraus gewonnenen Erkenntnissen kann ein ternärer Zusammensetzungsbereich von Me-Si-N eingegrenzt werden, der sowohl amorphe Mikrostruktur, niedrigen elektrischen Widerstand und hohe thermische Stabilität garantiert. Der entwickelte PECVD-Prozess mit Silan führte zu einer Si-stabilisierten WN_x-Schicht mit nur geringfügig höherer thermischer Stabilität aber deutlich höheren elektrischen Widerstand. Es wird die Frage diskutiert, ob die Entwicklung einer amorphen ternären Verbindung mit höherer thermischer Stabilität aber zu Lasten des elektrischen Widerstandes notwendig ist, wenn für das Stoffsystem schon eine amorphe binäre Zusammensetzung existiert, die die Anforderungen einer Diffusionsbarriere hinsichtlich hoher Leitfähigkeit und ausreichend hoher thermischer Stabilität erfüllt.

Stuttgart, Univ., Diss., 2007.

Universiẗat, Diss., 2003--Stuttgart.

University, Diss., 2003--Freiburg (Breisgau).

Techn. Universiẗat, Diss., 2004--Darmstadt.

:1 Motivation 1 1.1 Heterogenität der Datenverarbeitung 1 1.2 Die Rolle des Fab-Ingenieurs 2 1.3 Dokumentation als Wissensbasis 3 2 Anforderungen 3 3 Konzept 4 3.1 Der integrative Modellierungsansatz 4 3.2 Modellierung 5 3.3 Basiskomponenten 6 3.4 Leistungsumfang 7 3.4.1 Das abstrakte ProSpecT-Objekt 7 3.4.2 Verwaltung der ProSpecT-Objekte (Objektverwaltung) 8 3.4.3 Versionsverwaltung 9 3.4.4 Freispeicherverwaltung 10 3.4.5 Modellierung - Erweiterbarkeit 11 3.5 Schnittstellen 12 3.5.1 Server 13 3.5.2 Client 14 4 Implementation 15 4.1 Plattform- und Systemunabhängigkeit 16 4.2 TPV - der ProSpecT-Server 18 4.2.1 Clientbehandlung 20 4.2.2 Das abstrakte TPV-Objekt 23 4.2.3 Das verteilte, persistente Objektspeichersystem DiPOS 26 4.2.4 Erweiterbarkeit durch externe Bundle-Objekte 30 4.2.5 Objektnachrichtensystem 31 4.3 Client 33 4.4 Ergebnisse und Probleme 34 5 Zusammenfassung 35 6 Literaturverzeichnis 35 Index 37

Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2007.

Die erhebliche Zunahme elektronischer Funktionsgruppen im Kraftfahrzeug erfordert zukünftig den verstärkten Einsatz von Netzwerken in Form von Bussystemen. Dieser Entwicklung folgend werden neue Generationen von Airbagsystemen ebenfalls intelligente, busfähige Anzünder benötigen. Die Zielstellung dieser Arbeit besteht in der Entwicklung eines neuen Materialsystems für Anzündelemente pyrotechnischer Systeme in Airbaganwendungen mit niedrigem Energiebedarf. Zur Anwendung kam, aufgrund seiner speziellen Eigenschaften, das Hafniumhydrid. Der angestrebten vollständigen Integrationsfähigkeit der eigentlichen Zündstruktur in anwendungsspezifische Schaltkreise wird durch die im Rahmen dieser Arbeit entwickelten, halbleiterprozeßkonformen Technologie und einer angepaßten Aufbau- und Verbindungstechnik Rechnung getragen. Weitere Kernpunkte der Arbeit umfassen die Charakterisierung der eigentlichen Zündschicht hinsichtlich des Wasserstoffgehaltes, der Mikro-, Schicht- und Oberflächenstruktur, des Verhaltens an Grenzflächen und der auftretenden Schichtspannungen. Zur Beurteilung der Langzeitstabilität der Hafniumhydridschichten dient die Auswertung des Verhaltens des Zündstrukturwiderstandes in Langzeittests unter thermischer Belastung. Zum elektrisch-thermischen Verhalten der Anzünder wurden Simulationsrechnungen nach der Methode der finiten Elemente durchgeführt. Die Verifikation des FEM-Modells erfolgte in praktischen Versuchen am Referenzmaterial Poly-Silicium. Darauf aufbauend erfolgten weitere Simulationsrechnungen zum Verhalten der Hafniumhydridzündschichten, speziell zu Fragen der Vorschädigung der Zündstrukturen. Praktische Untersuchungen zum Zündverhalten der Anzündstrukturen sowie Versuche zum Funktionsverhalten des Gesamtelementes im Gasgenerator belegen die sehr guten Zündeigenschaften der Hafniumhydridschichten im busfähigen Anzündelement. Ebenso konnte die potentielle Eignung der präparierten HfHx-Anzündelemente für Standard Anzünder Applikationen gezeigt werden.