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Plasmapolymerisation von Hexamethyldisiloxan zur Abscheidung von quarzähnlichen Schichten bei gepulster LeistungszufuhrSoll, Christian. January 2000 (has links)
Wuppertal, Univ., Diss., 2001. / Computerdatei im Fernzugriff.
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Plasmapolymerisation von Hexamethyldisiloxan zur Abscheidung von quarzähnlichen Schichten bei gepulster LeistungszufuhrSoll, Christian. January 2000 (has links)
Wuppertal, Univ., Diss., 2001. / Computerdatei im Fernzugriff.
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Plasmapolymerisation von Hexamethyldisiloxan zur Abscheidung von quarzähnlichen Schichten bei gepulster LeistungszufuhrSoll, Christian. January 2000 (has links) (PDF)
Wuppertal, Universiẗat, Diss., 2001.
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Ellipsometrische Untersuchungen an Plasmapolymeren und plasmamodifizierten PolymeroberflaechenRochotzki, Ralf. January 1996 (has links)
Chemnitz-Zwickau, Techn. Univ., Diss., 1996.
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Speciální technické řešení pro úpravu přírodních substrátů pomocí atmosférického plazmového výbojeŠOFRONIČ, Tomáš January 2019 (has links)
The thesis deals with the design and subsequent construction of a special hermetic box for the treatment of biological substrates with the help of plasma discharge Gliding Arc. In the theoretical part of the thesis there is a summary of the basic information concerning the design of hermetic box, plasma, hexamethyldisiloxane as a precursor and wood as a lignocellulosic substrate. The experimental part of the thesis is focused on pilot measurements in which specimens were treated plasma and hexamethyldisiloxane. Furthermore, the effect of the treatment on the hydrophobic of the surface was investigated with the drop method. With the help of SEM microscopy was investigated the effect of modification on surface morphology
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Plazmochemická příprava a charakterizace tenkých vrstev na bázi hexamethyldisiloxanu / Plasmachemical deposition and characterization of hexamethyldiloxane thin layersBlahová, Lucie January 2013 (has links)
Thin films have been used to modify surface properties of various materials for many years. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) is one of the possible methods for their preparation and this technique is applied in this work as well. An organosilicone – hexamethyldisiloxane – is used as precursor. Thin films are created on the surface of the substrate using mixture of precursor and oxygen in radiofrequently excited capacitively coupled plasma. The aim of the thesis is to find the optimal deposition conditions for production of transparent thin layers with good barrier capabilities, low oxygen transmission rate especially. Thin film depositions were realized for different compositions of the deposition mixture in continuous and pulsed mode of plasma with varying supplied power and duty cycle values. The deposition process itself was monitored in situ by optical emission spectroscopy. Thin film coatings were analyzed to determine their physical chemical properties (infrared spectroscopy, surface energy) and barrier properties. Using optical emission spectroscopy, important particles were identified in the deposition plasma. Vibrational, rotational and electron temperatures were determined from relative intensities of chosen fragments. Composition of thin films was studied by infrared spectroscopy. The best results of oxygen transmission rate were achieved with layers prepared from deposition mixture with high oxygen content. It was possible to improve barrier properties by performing deposition in pulsed plasma mode with 20–30% duty cycle. In this diploma thesis, optimal deposition conditions of thin films from hexamethyldisiloxane with low oxygen transmission rate were determined. It is possible to use these results in practical applications, such as corrosion inhibitors for archaeological objects. Optionally, they can be used in various industry branches where it is desirable and feasible to prevent oxygen access to the material by deposition of barrier coatings.
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Ellipsometrische Untersuchungen an Plasmapolymeren und plasmamodifizierten PolymeroberflaechenRochotzki, Ralf 05 August 1996 (has links)
Ellipsometrische Untersuchungen an Plasmapolymeren und plasmamodifizierten
Polymeroberflächen Abstrakt Im Mittelpunkt der Arbeit stehen zwei Prozesse, die auf der
komplexen Wechselwirkung zwischen einem Niedertemperaturplasma und der dem Plasma
ausgesetzten Festkoerperoberflaeche beruhen: Plasmamodifizierung und Plasmapolymerisation.
Mit dem zerstoerungsfreien, optischen Messverfahren der Ellipsometrie koennen
Veraenderungen der makroskopischen optischen Eigenschaften infolge der Plasmaeinwirkung
nachgewiesen werden und so Rueckschluesse auf die Wechselwirkungsprozesse gezogen
werden. Dazu dienen ex situ Spektralellipsometrie (Wellenlaenge = 300 - 800 nm), Ellipsometrie
bei der Anregung von Oberflaechenplasmonen und in situ Ellipsometrie (Wellenlaenge = 632,8
nm), die mit Methoden der Strukturaufklaerung (XPS, SIMS, FTIR) kombiniert werden. Bei der
Plasmamodifizierung von Polyethylen und Polystyren im CF4 und O2 Plasma kommt es durch den
Eintrag neuer funktioneller Gruppen, durch Vernetzung und Aktivierung zu chemischen und
morphologischen Veraenderungen in einer duennen Oberflaechenschicht, die sich in einem
veraenderten Brechungsindex aeussern. Eine Erklaerung fuer die beobachteten Aenderungen ist
ueber die molaren Polarisierbarkeiten der neuen funktionellen Gruppen moeglich. Die
Untersuchungsergebnisse zum Tiefenbereich der Modifizierung sind qualitativ in guter
Uebereinstimmung mit den Eindringtiefen der verschiedenen Plasmaspezies. Bei der
Abscheidung duenner Plasmapolymerschichten dienen in situ und ex situ durchgefuehrte
ellipsometrische Messungen der Aufklaerung von Struktur-Eigenschafts-Beziehungen. Eine
deutliche Abhaengigkeit des Brechungsindex von HMDSO-Plasmapolymerschichten vom
spezifischen Energieeintrag ins aktive Plasmavolumen wird gefunden und modelliert. Durch
nichtstationaere Prozessfuehrung gelingt die Herstellung von Plasmapolymerschichten mit einem
Brechungsindex-Tiefenprofil.
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Ellipsometrische Untersuchungen an Plasmapolymeren und plasmamodifizierten PolymeroberflaechenRochotzki, Ralf 09 July 1996 (has links)
Ellipsometrische Untersuchungen an Plasmapolymeren und plasmamodifizierten
Polymeroberflächen Abstrakt Im Mittelpunkt der Arbeit stehen zwei Prozesse, die auf der
komplexen Wechselwirkung zwischen einem Niedertemperaturplasma und der dem Plasma
ausgesetzten Festkoerperoberflaeche beruhen: Plasmamodifizierung und Plasmapolymerisation.
Mit dem zerstoerungsfreien, optischen Messverfahren der Ellipsometrie koennen
Veraenderungen der makroskopischen optischen Eigenschaften infolge der Plasmaeinwirkung
nachgewiesen werden und so Rueckschluesse auf die Wechselwirkungsprozesse gezogen
werden. Dazu dienen ex situ Spektralellipsometrie (Wellenlaenge = 300 - 800 nm), Ellipsometrie
bei der Anregung von Oberflaechenplasmonen und in situ Ellipsometrie (Wellenlaenge = 632,8
nm), die mit Methoden der Strukturaufklaerung (XPS, SIMS, FTIR) kombiniert werden. Bei der
Plasmamodifizierung von Polyethylen und Polystyren im CF4 und O2 Plasma kommt es durch den
Eintrag neuer funktioneller Gruppen, durch Vernetzung und Aktivierung zu chemischen und
morphologischen Veraenderungen in einer duennen Oberflaechenschicht, die sich in einem
veraenderten Brechungsindex aeussern. Eine Erklaerung fuer die beobachteten Aenderungen ist
ueber die molaren Polarisierbarkeiten der neuen funktionellen Gruppen moeglich. Die
Untersuchungsergebnisse zum Tiefenbereich der Modifizierung sind qualitativ in guter
Uebereinstimmung mit den Eindringtiefen der verschiedenen Plasmaspezies. Bei der
Abscheidung duenner Plasmapolymerschichten dienen in situ und ex situ durchgefuehrte
ellipsometrische Messungen der Aufklaerung von Struktur-Eigenschafts-Beziehungen. Eine
deutliche Abhaengigkeit des Brechungsindex von HMDSO-Plasmapolymerschichten vom
spezifischen Energieeintrag ins aktive Plasmavolumen wird gefunden und modelliert. Durch
nichtstationaere Prozessfuehrung gelingt die Herstellung von Plasmapolymerschichten mit einem
Brechungsindex-Tiefenprofil.
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Passivierung von Kohlenstoffnanoröhren-Feldeffekttransistoren mit HexamethyldisiloxanRoscher, Willi 27 June 2019 (has links)
Kohlenstoffnanoröhren (engl. carbon nanotubes) bieten hervorragende elektrische
Eigenschaften für neuartige Feldeffekttransistoren (engl. field-effect transistors) auf engstem Raum. Eine Möglichkeit zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften bietet eine geeignete Passivierung mit Hexamethyldisiloxan. In dieser Arbeit werden eine Flüssig- und eine Gasphasenbehandlung von Siliziumoxid-Oberflächen mit Hexamethyldisiloxan untersucht. Die Oberflächen werden dabei in wenigen Minuten hydrophobiert. Nach längeren Behandlungszeiten werden Wasserkontaktwinkel von 95° erreicht, die auch noch nach mehreren Tagen und einer Woche nachweisbar sind.
In der Anwendung auf Kohlenstoffnanoröhren-Feldeffekttransistoren (engl. carbon
nanotube field-effect transistors) wird die Hysterese um durchschnittlich 30 % gesenkt. Das Ziel der Behandlung wurde damit erreicht und lässt sich auf die erfolgreiche Beseitigung von Ladungsfallen durch Adsorbate zurückführen. Zusätzlich sinkt der An-Strom um 60 %. Für gute An-Aus-Verhältnisse über mehrere Größenordnungen bedeutet das jedoch keine drastische Verschlechterung der Schalteigenschaften. Die in dieser Arbeit vorgeschlagene Hexamethyldisiloxan-Gasphasenbehandlung kann daher erfolgreich zur Verringerung der Hysterese in Kohlenstoffnanoröhren-Feldeffekttransistoren eingesetzt werden.:1 Einleitung 6
2 Material und Methoden 8
2.1 Siliziumoxid-Oberflächen 8
2.2 Hexamethyldisiloxan als Passivierungsmittel 8
2.3 Flüssigphasenbehandlung 9
2.4 Gasphasenbehandlung 10
2.5 Kontaktwinkelmessung 11
3 Feldeffekttransistoren auf der Basis von Kohlenstoffnanoröhren 13
3.1 Kohlenstoffnanoröhren 13
3.1.1 Struktur und Nomenklatur 13
3.1.2 Elektrische Eigenschaften 14
3.2 Kohlenstoffnanoröhren-Feldeffekttransistoren 16
3.2.1 Aufbau, Herstellung und Funktionsprinzip 16
3.2.2 Kenngrößen zur FET-Charakterisierung 17
3.2.3 IU-Messung 19
4 Ergebnisse und Auswertung 20
4.1 Ergebnisse der Kontaktwinkelmessungen 20
4.1.1 Referenzmessungen auf Siliziumoxidoberflächen 20
4.1.2 Flüssigphasenbehandlung 21
4.1.3 Gasphasenbehandlung 21
4.1.4 Fehlerbetrachtung 25
4.1.5 Vergleich von Flüssig- und Gasphasenbehandlung 26
4.2 HMDSO-Behandlung von CNTFETs 27
4.2.1 Ergebnisse der IU-Messungen 28
4.2.2 Fehlerbetrachtung 31
5 Zusammenfassung der Ergebnisse und Ausblick 32
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