Le SiC est un matériau semi-conducteur à large bande d'énergie interdite dont les très bonnes caractéristiques électriques et thermiques en font un candidat idéal pour la fabrication de composants dans le domaine de la puissance et des détecteurs de rayonnement. En particulier, la réalisation de détecteurs UV est très attendue dans les domaines suivants : détection d'incendies, imagerie de surface, astronomie, médecine, militaire… Les photodétecteurs à base de semiconducteurs à large bande interdite permettent d'obtenir une très bonne sélectivité dans l'UV, sans avoir à utiliser de filtres optiques. Le SiC semble être le matériau le plus prometteur, grâce à sa bonne stabilité chimique, mécanique et thermique, ce qui représente un avantage pour opérer en environnement extrême. Cependant le dopage du SiC nécessite un savoir-faire très particulier (implantation à chaud, recuit à haute température, forte dynamique de chauffe…). Nous nous sommes proposés dans un premier temps de réaliser par implantation (ionique et plasma) des composants tests, permettant d'accéder aux caractéristiques des jonctions. Le cas des jonctions implantées n+p et p+n a été étudié. Après l'optimisation des paramètres technologiques de l'implantation et du recuit associé, la fabrication de détecteurs de rayonnement basés sur la diode Schottky ou la diode p.n a été mise en œuvre. Une étape de simulation de ces composants a été effectuée sur le logiciel Sentaurus Device (Synopsys). Les caractérisations de ces détecteurs ont montré une meilleure sensibilité pour les diodes implantées Bore par plasma. / Silicon carbide is a wide band-gap semiconductor with electrical and thermal characteristics particularly suitable for high power devices and radiation sensors. The realisation of UV detectors is mainly useful in the following sectors: fire detection, surface imagery, astronomy, medicine, military... The photodetectors based on wide band-gap semiconductors allow to get a very good selectivity, without using optical filters. Silicon carbide seems to be the most promising material, due to its chemical, mechanical and thermal stability, inducing a reliable behaviour in extreme environment. However SiC doping requires a distinct know-how (hot ion implantation, high temperature annealing, rapid heating-rate…). Test devices have been firstly processed by using ion implantation and plasma, allowing evaluating p+n or n+p junction characteristics. After the optimisation of the technological parameters of implantation and related annealing, the realisation of radiation detectors based on Schottky or p.n diodes has been carried out. The electrical simulations of such devices were performed with Sentaurus Devices program (Synopsys). The characteristics of the devices proved an improvement with the Boron-plasma implantation.

Dans cette étude, nous nous sommes intéressés aux cavités induites par l'implantation d'hélium dans le silicium. Nous avons voulu déterminer les mécanismes de formation et de croissance (Ostwald Ripening ou Migration Coalescence) des cavités en utilisant un large éventail de paramètres d'implantations. Les énergies d'implantation que nous avons réalisées, sont comprises entre 10 keV et 1,55 MeV, les doses allant de 1,45.1016 jusqu'à 1017 He.cm-2. Nous avons ainsi pu mettre en évidence le rôle de chacun des trois paramètres principaux que sont les lacunes, l'hélium et la surface dans la croissance des cavités. Nous avons également montré que c'est le même mécanisme qui gouverne la croissance des cavités pour des températures de recuit jusqu'à 900°C et que les cavités se forment dans la zone de création des lacunes dues à l'implantation. Avec ces données, nous avons pu élaborer un nouveau modèle de croissance pour les cavités.

O presente estudo teve por objetivo obter elementos comparativos entre os sistemas guiados de prÃteses totais fixas com 4 implantes osteointegrÃveis com aplicaÃÃo de carga imediata, tendo em vista a importÃncia de se entender o projeto dos implantes como um processo em que se avaliem os biomateriais e a biomecÃnica. Utilizou-se o mÃtodo dos elementos finitos tridimensionais para analisar as concentraÃÃes de tensÃes em todo o sistema implantossuportado, associado à variaÃÃo do material de confecÃÃo da barra protÃtica entre as ligas de Niquel-Cromo, Cobalto-Cromo e Ti-6Al-4V, sendo realizados ensaios metalogrÃficos das ligas de Ni-Cr e Co-Cr, no intuito de identificar a microestrutura e consequentemente avaliar sua influÃncia no comportamento mecÃnico do sistema. Foram analisados dois sistemas, sendo um com cantilever e outro sem, porÃm com uso de implantes inclinados, submetidos a um carregamento vertical de 756 N sobre toda face superior da barra protÃtica implantossuportada. Paralelamente a este estudo tambÃm foram verificados separadamente os conjuntos protÃticos (parafuso-pilar-implante) reto e inclinado submetidos a uma carga vertical de 100N sobre o topo do pilar. Os dados encontrados foram comparados e avaliados de acordo com valores obtidos na literatura Os resultados demonstraram que a utilizaÃÃo de implantes inclinados evitando a utilizaÃÃo do cantilever, diminuiu consideravelmente os nÃveis de tensÃes na barra protÃtica e nos pilares, porÃm na regiÃo implante-osso, observou-se um aumento de aproximadamente 1,5 vezes, em relaÃÃo aos implantes retos sob cantilever. O estudo das ligas apontou a liga de Co-Cr como um material de desempenho considerÃvel em relaÃÃo Ãs demais ligas, quanto ao comportamento mecÃnico. / The present study aimed at obtaining comparative elements among the guided systems of fixed complete denture with 4 osseointegrated implants with immediate loading, considering the importance of understanding the implant project as a process where biomaterials and biomechanics are assessed. The three-dimensional finite element method was used to analyze the stress concentrations in the whole implant-supported system, associated to the variation of the material of the prosthetic bar among the nickel-chromium, cobalt-chromium and Ti-6Al-4V alloys. Metallographic tests of the Ni-Cr and Co-Cr alloys, were made with the objective of identifying the micro-structure and consequently evaluate its influence in the mechanical behavior of the system. Two systems were analyzed, one with cantilever and another without it, but with tilted implants, submitted to a vertical load of 756N on the superior face of the prosthetic implant-supported bar. Parallel to this study the prosthetic groups (screw-abutment-implants) straight and tilted were also separately verified, submitted to a vertical load of 100N on the top of the abutment. The data found were compared and assessed according to values obtained in the literature. The results demonstrated that the use of tilted implants avoiding the use of cantilever reduced considerably the stress levels in the prosthetic bar and in the abutments. However, in the implant-bone area an increase of approximately 1.5 times in stress levels was observed, compared to the straight implant under cantilever. The study of the alloys apponted the Co-Cr alloy as a material comparable to the other ones, regarding the mechanical behavior