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Estudo de vidros utilizados para isolação elétrica em substrato de silício.

Aparecida Andréa Merege Bez 00 December 2004 (has links)
Os vidros utilizados para isolação de semicondutores possuem em sua composição concentrações elevadas de óxido de chumbo. Ele é usado para abaixar a temperatura de fusão, diminuir a viscosidade do fundido, diminuir a tensão superficial, resultando numa superfície homogênea e brilhante. Possui alta resistividade elétrica. Outra importante propriedade dos vidros de chumbo é o coeficiente de dilatação térmica que se aproxima do coeficiente de dilatação da lâmina de silício, tornando-se ideal a sua aplicação em semi-condutores. A busca por tecnologias mais limpas tem levado muitos pesquisadores à alternativas para redução ou eliminação de produtos potencialmente tóxicos, entre eles, o óxido de chumbo. Neste trabalho procurou-se uma alternativa ao uso do óxido de chumbo para aplicação na isolação de semi-condutores através de vidros do sistema Zn-B-Si. Os vidros A e B, à base de zinco (Zn-B-Si), foram preparados a partir da mistura de pós de óxidos e produzidos à partir da fusão em um forno elétrico seguido de um resfriamento rápido. Estes vidros foram moídos e analisados pelas técnicas de difração de raios-X, difração à laser, microscopia eletrônica de varredura, microscopia óptica e medições elétricas. Avaliou-se os mecanismos de refusão dos vidros de chumbo e de zinco sobre as lâminas de silício e em seguida determinou-se tensão de ruptura elétrica nas lâminas de silício. Nos testes de tensão de ruptura elétrica, o vidro de chumbo apresenta valores superiores aos vidros à base de zinco. Os valores de tensão de ruptura elétrica do vidro B foram inferiores ao vidro A devido a uma maior quantidade de microbolhas presentes na interface vidro-silício.

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