Les filières avancées CMOS et photonique nécessitent des procédés d’implantation utilisant des conditions beaucoup plus agressives en terme de dose et d’énergie que pour les générations de dispositifs précédentes. Cela n’est pas sans conséquences sur les étapes technologiques suivantes notamment l’étape de retrait de la résine implantée par plasma. En effet, pendant l’implantation, la résine subit le bombardement des ions et une couche modifiée appelée « croûte » se forme à la surface. Il est difficile de retirer cette couche sans laisser de résidus et sans consommer les matériaux en présence avec les procédés de retrait actuels et les chimies conventionnelles. Ce travail de thèse se concentre dans un premier temps sur la caractérisation de la résine implantée afin de comprendre les modifications induites par l'implantation dans la résine et la mise en place d’un protocole expérimental pour étudier ces résines. Le phénomène prépondérant observé est la réticulation de la résine ainsi qu’une diminution de la quantité d’oxygène et d’hydrogène contenus dans la résine ce qui a pour conséquence une augmentation de sa densité et de sa dureté. Fort de cette compréhension, les procédés de retrait de la résine plasma par les chimies conventionnelles ou de nouvelles chimies ont été étudiés, le but étant de ne pas laisser de résidus, d’avoir le minimum d'impact sur les substrats et d’atteindre une vitesse de retrait la plus rapide possible. Les chimies oxydantes ont montré les plus grandes vitesses de retrait mais des résidus de SiO2 provenant de la pulvérisation du substrat sont toujours présents. Au contraire, les chimies réductrices sont efficaces pour retirer les résidus mais ont une vitesse de retrait plus faible. Avec ces chimies contenant de l’hydrogène, deux phénomènes ont pu être observés : le popping et le blistering qui correspondent respectivement à la formation de bulles dans la résine et dans le substrat. Ces phénomènes ont été étudiés et des solutions ont été apportées. / Stripping photoresist after High Dose Implantation (HDI) is becoming a critical step with the increase of both implantation acceleration energy and dose. During this step, the photoresist is bombarded by the ions and a modified layer called “crust” is formed at the surface. This layer is difficult to remove with current processes and plasma chemistries without leaving residues and damaging the materials in presence. This study focuses first on the implanted photoresist characterization to understand the photoresist modifications induced by the implantation on the setting of robust experimental protocols. The major phenomenon observed is the resist crosslinking with a decrease of the oxygen and hydrogen content which results in an increase of photoresist density and hardness. Thanks to this understanding, the dry strip process using standard or alternative chemistries has been studied in terms of residues removal efficiency, impact on substrate and ashing rate. The oxidative chemistries allow to achieve the highest ashing but some SiO2 residues coming from substrate sputtering remain. On the contrary, the reductive chemistries are efficient to remove residues but the ashing rate is lower. Besides with such chemistries containing hydrogen, two phenomena are observed: photoresist popping and blistering in the silicon substrate. These issues are studied and solutions are proposed.

This study investigates the factors that affect the lifetime and popping location of surface bubbles. The experiment was conducted using three different liquids (water, Sodium Dodecyl Sulfate, and Decane) with varying bubble sizes, using three different needle sizes. Each setup was tested 50 times. For pure water bubbles, the foot of the bubble is the most critical location because it typically has the highest temperature gradient, which creates a localized Marangoni flow that thins the film and eventually leads to the bubble bursting at the foot. When SDS was added to water, the bubble lifetime increased significantly. This is because the Marangoni stresses were reduced, and the bubble film thinned mainly due to curvature-driven drainage flow. The lifetime of the SDS bubble had a positive correlation with increasing bubble size. For Decane bubbles, the volatility of the liquid plays a significant role in the lifetime and popping location of the bubble. When the Decane was heated to 40°C, the lifetime of the bubbles increased significantly from 0-20 seconds to 8-12 minutes. This is because the high volatility of the Decane caused rapid evaporation of the bubble cap at the interface, which cooled the surface of the liquid. This temperature difference creates a difference in surface tension, which causes the liquid to flow from the bulk liquid into the apex of the bubble, thickening the cap film until it cools down. Then, it pops from the top due to the curvature-driven drainage.

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Notre travail porte sur le développement d'algorithmes performants d'application de grammaires locales, en prenant comme référence ceux des logiciels libres existants: l'analyseur syntaxique descendant d'Unitex et l'analyseur syntaxique à la Earley d'Outilex. Les grammaires locales sont un formalisme de représentation de la syntaxe des langues naturelles basé sur les automates finis. Les grammaires locales sont un modèle de construction de descriptions précises et à grande échelle de la syntaxe des langues naturelles par le biais de l'observation systématique et l'accumulation méthodique de données. L'adéquation des grammaires locales pour cette tâche a été testée à l'occasion de nombreux travaux. À cause de la nature ambiguë des langues naturelles et des propriétés des grammaires locales, les algorithmes classiques d'analyse syntaxique tels que LR, CYK et Tomita ne peuvent pas être utilisés dans le contexte de ce travail. Les analyseurs descendant et Earley sont des alternatives possibles, cependant, ils ont des coûts asymptotiques exponentiels pour le cas des grammaires locales. Nous avons d'abord conçu un algorithme d'application de grammaires locales avec un coût polynomial dans le pire des cas. Ensuite, nous avons conçu des structures de données performantes pour la représentation d'ensembles d'éléments et de séquences. Elles ont permis d'améliorer la vitesse de notre algorithme dans le cas général. Nous avons mis en oeuvre notre algorithme et ceux des systèmes Unitex et Outilex avec les mêmes outils afin de les tester dans les mêmes conditions. En outre, nous avons mis en oeuvre différentes versions de chaque algorithme en utilisant nos structures de données et algorithmes pour la représentation d'ensembles et ceux fournis par la Standard Template Library (STL) de GNU. Nous avons comparé les performances des différents algorithmes et de leurs variantes dans le cadre d'un projet industriel proposé par l'entreprise Telefónica I+D: augmenter la capacité de compréhension d'un agent conversationnel qui fournit des services en ligne, voire l'envoi de SMS à des téléphones portables ainsi que des jeux et d'autres contenus numériques. Les conversations avec l'agent sont en espagnol et passent par Windows Live Messenger. En dépit du domaine limité et de la simplicité des grammaires appliquées, les temps d'exécution de notre algorithme, couplé avec nos structures de données et algorithmes pour la représentation d'ensembles, ont été plus courts. Grâce au coût asymptotique amélioré, on peut s'attendre à des temps d'exécution significativement inférieurs par rapport aux algorithmes utilisés dans les systèmes Unitex et Outilex, pour le cas des grammaires complexes et à large couverture.