Th. 3e cycle--Méc.--Toulouse 3, 1977. N°: 2082.

Th. doct.-ing.--Méc.--Toulouse--I.N.P., 1984. N°: 316.

Th. 3e cycle--Méc.--Toulouse--I.N.P., 1983. N°: 162.

Th. doct.-ing.--Méc.--Toulouse--I.N.P., 1981. N°: 132.

Th. doct.-ing.--Méc.--Toulouse--I.N.P., 1982. N°: 227.

Th. doct.-ing.--Électronique--Toulouse--I.N.P., 1978. N°: 12.

2e th. doct.-ing.--Nancy, I.N.P.L., 1979.

Th. doct.-ing.--Toulouse, I.N.P., 1979. N°: 56.

Th.--Sci. phys.--Toulouse--I.N.P., 1978. N°: 33.

Le silicium poreux est un matériau qui est actuellement utilisé dans de nombreux domaines, tels que la biologie ou la microélectronique, grâce à ses propriétés remarquables. De nombreuses applications sont étudiées au sein du laboratoire GREMAN, telles que la fabrication de vias électrique ou de capacités 3D. Le matériau étudié au sein de cette thèse est du mésoporeux, qui est utilisé comme substrats dans les applications RF. La caractérisation non destructive de ce matériau est encore limitée, soit selon l’épaisseur de la couche poreuse, soit selon la taille des pores. Cela limite ainsi l’industrialisation des procédés de fabrication de silicium poreux. Une technique ultrasonore de caractérisation est proposée dans cette thèse afin de permettre un suivi de la gravure in situ et en temps réel. Ainsi les variations de gravure peuvent être contrôlées. / Porous silicon is a material that is currently used in many fields such as biology and microelectronics, thanks to its remarkable properties. Non-destructive characterization of this kind of material is still limited, mostly due to thickness of porous layer and pore size. The aim of this work is the development of an ultrasonic characterization method to allow monitoring of in situ etching in real time. First, the study of electrochemical etching and tanks where it is made to have the estimated microgeometric parameters of the porous layer. Through knowledge of the pore size and orientation, the mechanical constants md the values of permeability and tortuosity are estimated. Second, propagation of the ultrasonic waves within the material bi-porous Si-Si layer is examined. Modelling of the porous i layer is performed through the Biot model to estimate the longitudinal speed to calculate the theoretical spectrum transmission through the etched wafer. A measurement using an insertion-substitution method allows a determination of transmission spectrum. The parameters of the porous layer (thickness and porosity ) are determined by an inverse problem resolution, based on a genetic algorithm. A comparison with destructive measurements shows the interest of the ultrasonic measurement.