On étudie la possibilité de décrire des transitions de phase liquide - liquide dans des alliages de métaux simples présentant un seuil de démixtion à partir de la théorie des pseudopotentiels et des potentiels effectifs associés. Plus précisément, on considère d'une part, des pseudopotentiels à norme conservative sans paramètres ajustables et, d'autre part, différents modèles locaux à un ou deux paramètres, avec pour objectif d'établir la chaîne de relations : pseudopotentiel - potentiel effectif - structure +démixtion dans l'alliage. De ce point de vue, les grandeurs pertinentes nécessaires à l'étude de la démixtion sont, en général, les facteurs de structure partiels des alliages, et, en particulier, le facteur de structure de fluctuation concentration-concentration Scc(q) de Bhatia-Thornton . En effet la divergence de cette grandeur, près de l'origine du module du vecteur de diffusion (q = O), signature d'une instabilité spinodale, est plus aisément vérifiable expérimentalement que sur les autres facteurs. Ainsi par cette approche, la localisation de la ligne spinodale en fonction de la concentration des espèces a été rendue possible. Dans un premier temps, le développement en perturbation « RPA » du modèle des sphères dures pour mettre en évidence une divergence des facteurs de structure a été employé, en raison de sa simplicité et de sa rapidité d'exécution numérique Une systématique a été appliquée aux cas des alliages Li-Na, Al-In connus pour leur large zone de démixtion. La validité des conclusions qualitatives obtenues à partir de la « RPA » a été ensuite vérifiée par une détermination rigoureuse des facteurs de structure par simulation numérique du type dynamique moléculaire. L'aptitude des différents modèles de pseudopotentiels à prédire une démixtion a pu être ainsi été discutée / One studies the possibility of describing transitions from liquid phase - liquid in simple metal alloys presenting a threshold of decomposition starting from the theory from the pseudopotentials and the associated effective potentials. More precisely, one considers on the one hand, of the pseudopotentials to conservative standard without adjustable parameters and, on the other hand, various local models with one or two parameters, with for objective establishing the chain of relations: pseudopotentiel3potentiel effectif3structure+dCmixtion in alloy. From this point of view, the relevant sizes necessary to the study of decomposition are, in general, the factors of structure partial of alloys, and, in particular, the factor of structure of fluctuation concentration-concentration Scc(q) of Bhatia-Thornton. Indeed the divergence of this size, close to the origin of the module of the vector of diffusion (q = 0), signature of an instability spinodal, is more easily verifiable in experiments than on the other factors. Thus by this approach, the localization of the line spinodal according to the concentration of the species was made possible. Initially, the development in disturbance "RPA" of the model of the hard spheres to highlight a divergence of the factors of structure was employed, because of its simplicity and its speed of numerical execution. Systematic was applied to the cases of the alloys Li-Na, AI-In known for their broad zone of decomposition. The validity of the qualitative conclusions obtained starting from the "RPA" was then checked by a rigorous determination of the factors of structure per digital simulation of the molecular dynamic type. The aptitude of the various models of pseudopotentials to predict decomposition could be thus discussed

Reproduction de : Thèse de doctorat : Physique. Lasers, molécules, rayonnement atmosphérique : Lille 1 : 2006. / N° d'ordre (Lille 1) : 3788. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. à la suite de chaque partie.

La réduction des transistors MOSFETs, briques de base des circuits intégrés, ne permet plus d'améliorer efficacement leurs performances. Des leviers technologiques ont été mis en place dans les procédés de fabrication de ces transistors pour y remédier. L'introduction intentionnelle de contraintes constitue l'une de ces solutions. De fait, l'orientation des contraintes en fonction de la direction du canal influence fortement les propriétés de transport des transistors MOSFETs. Les méthodes de calculs de structures de bandes semi-empiriques EPM et */k.p/* dans l'approximation de la fonction enveloppe, ont été développées afin d'étudier les perturbations occasionnées sur la structure électronique des matériaux par l'action conjuguée des contraintes mécaniques et du confinement. L'influence de ces dernières perturbations sur les propriétés de transport a, par la suite, été analysée à l'aide de simulations avancées Monte Carlo "fullband" et Kubo-Greenwood. Les résultats théoriques obtenus ont été confrontés aux données expérimentales de flexion à quatre pointes (Wafer Bending), mesurées au cours de cette thèse. Il apparaît clairement que la prise en compte du couplage complexe des effets de confinement et de contrainte joue un rôle essentiel dans les propriétés de transport des dispositifs MOSFETs actuels. Enfin, chaque étape de modélisation a donné lieu à une discussion des domaines de validité des outils de simulation Dérive-Diffusion et Hydrodynamique, classiquement utilisés dans l'industrie pour la modélisation des dispositifs MOSFETs.