Dans le domaine de l’information quantique, les photons apparaissent comme de parfaits bits quantiques (qubits) pour le transport de l’information d’un point à un autre. Ce besoin de photons uniques sur demande, où un et un seul photon est émis avec une bonne fiabilité, conduit à une recherche considérable dans le développement de sources de photons efficace. Un paramètre clé est la brillance, défini comme la probabilité qu’un photon émis par l’émetteur soit collecté. Pour certaines applications, il est également important que tous les photons émis soient tous identiques. On dit alors qu’ils sont indiscernables, dans ce cas les photons peuvent interagir et interférer entre eux. Pour obtenir la source idéale de photons uniques et indiscernables avec une brillance égale à un, de nombreuses pistes sont explorées avec différents émetteurs tels que des défauts dans le diamant, des ions ou des atomes piégés, des molécules uniques ou des boîtes quantiques semiconductrices.En couplant une boîte quantique avec une cavité optique, l’émission spontanée est de la boîte quantique est modifiée pour obtenir des sources brillantes de photons uniques. Une technique innovante développée dans l’équipe du Pr. Pascale Senellart au Laboratoire de Photonique et Nanostructures (LPN) du CNRS permet de fabriquer des sources brillantes de manière reproductible avec une excellente fiabilité.Ce travail explore les performances de boîtes quantiques uniques couplées dans des micropiliers. Diverses techniques sont utilisées pour augmenter la pureté des photons uniques et leur indiscernabilité tout en maintenant une brillance élevée. Dans un premier temps, une structure de cavité adiabatique a été utilisée pour obtenir une plus grande accélération de l’émission spontanée des BQs par effet Purcell. Ces sources ont utilisées pour réaliser un réseau où les photons émis par différentes sources interfèrent. Ensuite, une technique pour appliquer une tension électrique sur les micropilliers a été développée. Grâce à cette technique et à une excitation optique résonante, des photons parfaitement indiscernables sont collectés avec une très bonne brillance.Les résultats présentés ouvrent de nombreuses perspectives pour diverses applications telles que la fabrication d’un réseau quantique, pour la cryptographie quantique, pour la métrologie ou pour la microscopie. / In the pursuit of developing a quantum information network, photons appear to be the most convenient carriers to interconnect distant ports. The need to get on-demand single photons that is one and only one photon, with a high reliability, is the main driving force for the development of bright solid-state sources. One important parameter is the brightness defined as the probability that one collected pulse contains a single photon. For some applications like quantum information processing or long distance quantum communications, the emitted single photons must be also indistinguishable, so that can make use of their quantum interference to implement effective photon-photon interactions. To reach the ideal source of single and indistinguishable photons, different systems are explored : defects in diamond (NV centers), trapped atoms or ions, single molecules or semiconductor quantum dots.By coupling a semiconductor quantum dot to an optical cavity, the spontaneous emission of the emitter can be modified to obtain bright single-photon sources. An innovative technique was developed by Pr. Pascale Senellart and her team at the Laboratory of Photonics and Nanostructures (LPN) from CNRS that allows making such sources in a very reproducible way.This work explores the performance of single quantum dot coupled to micropillars. Various techniques are used in order to increase the single photon purity and indistinguishability while keeping a high source brightness. First, the cavity was modified using an adiabatic architecture such that a strong acceleration of the spontaneous emission was implemented. Then, a technique to apply an electric bias on the micropillars has been developed. The combination of the electric bias with a resonant optical excitation of the quantum dot allows to generation purely indistinguishable photons with a high brightness.The results developed in this thesis open a vast field of novel applications in quantum technologies, from quantum cryptography, metrology to quantum imaging.

Le but de cette thèse est de développer des sources d’intrication photonique en vue d'applications en sciences information quantique. Dans ce contexte, nous présentons une source très performante et entièrement guidée permettant, au moyen d'une boucle de Sagnac, la génération d'états hyper-intriqués en polarisation et en énergie-temps. La configuration guidée rend le dispositif versatile, efficace et compatible avec une large bande spectrale, répondant ainsi au besoin des systèmes et réseaux de communication fibrés. À cette fin, nous avons distribué simultanément dans différents canaux télécoms des paires de photons hyper-intriqués au moyen de multiplexeurs en longueur d'onde à 5 canaux (DWDM), augmentant de fait le débit. La qualité de l'intrication est validée par la violation d'une inégalité de Bell étendue à un espace de Hilbert à 16 dimensions. Afin de pouvoir interfacer des photons aux longueurs d'ondes des télécommunications avec les bandes d'absorption des mémoires quantiques situées dans le visible, nous avons également développé une interface cohérente en longueur d'ondes. Un nouveau dispositif de métrologie quantique permettant la mesure avec une précision inégalée des effets de la dispersion chromatique dans les fibres optiques standards est également proposé. Notre approche "quantique" améliore la précision par un facteur 2.6 par rapport aux méthodes de mesures conventionnelles. Dans ce même contexte, nous avons aussi implémenté un nouveau protocole de métrologie de la phase de deux photons en ne détectant uniquement qu'un seul photon. Cette réalisation ouvre la voie à des applications potentielles simples s'appuyant sur peu de ressources au niveau de la détection. Finalement, dans la perspective de la miniaturisation de dispositifs quantiques, nous avons démontré un générateur d'intrication annoncée intégré sur puce qui trouve des applications en calcul et métrologie quantique. / The aim of this thesis was to develop photonic entanglement sources and study their implementation in the general field of quantum information technologies. To this end, a novel fully wave-guided, high performance photonic entanglement source is presented, able to generate hyper-entangled states in the observables of polarization and energy-time by means of a nonlinear Sagnac loop. The waveguide-based design makes it flexible, reliable, and adaptable to a wide spectral range, paving the way towards compact photonic entanglement generators, compatible with fiber-based communication systems and networks. This has been underlined by generating and distributing hyperentanglement in 5x2 dense wavelength division multiplexed channel telecom pairs, simultaneously, towards higher bit rates. The quality of the generated entanglement has been qualified by violating the Bell inequalities in a 16-dimension Hilbert space. Moreover, to adapt the wavelength of the entangled telecom photon pairs to the absorption wavelength of current quantum memory systems, a coherent wavelength converter is demonstrated. Furthermore, within the framework of quantum metrology, a new concept for a high-precision chromatic dispersion (CD) measurement in standard single mode fibers is introduced and demonstrated. In this demonstration, due to conceptual advantages enabled by quantum optics, an unprecedented 2.6 times higher accuracy on CD measurements is shown, compared to state-of-the-art techniques. In the same context, a new protocol for measuring two-photon phase shifts is performed using single photon detection only, promising scalable and potential real device applications with limited resources and simplified detection schemes. Finally, any potential application of quantum optics will be realized using small-scale devices. In this framework, an integrated on-chip heralded path entanglement generator is demonstrated, and shown to be adaptable to logic gate operations.

Quantenzentren in Kristallgittern spielen als sogenannte Festkörper-Qubits eine entscheidende Rolle für die Entwicklung der zweiten Quantenrevolution. Das G-Zentrum in Silizium kann hierfür einen wesentlichen Beitrag leisten, da es sich CMOS-kompatibel und damit skalierbar herstellen lässt, es eine scharfe Nullphononenlinie im Bereich der optischen Telekommunikation besitzt und ODMR-aktiv ist. Dies macht es zu einem geeigneten Kandidaten für die Entwicklung photonischer Mikrochips, auf denen Quantentechnologien und Lichtwellenleitung durch eine Spin-Photon-Schnittstelle miteinander verknüpft werden, um somit alle Kriterien zum Aufbau eines Quantennetzwerkes zu erfüllen. In der vorliegenden Arbeit werden G-Zentren durch niederenergetische und räumlich-selektive Ionen-Implantation hergestellt und mittels Photolumineszenz-Spektroskopie und Magnetresonanzmessungen auf ihre optischen und quantenphysikalischen Eigenschaften untersucht. Anhand umfangreicher temperaturabhängiger Ensemble-Messungen in reinem Silizium werden offene Fragen zum Sättigungsverhalten, der Rekombinationsdynamik und der Verschiebung bzw. Verbreiterung der Nullphononenlinie geklärt und die ersten Zerfallszeit-Messungen des angeregten Zustandes des Defektes vorgestellt. Durch die Verwendung von SOI-Proben in Kombination mit niederenergetischer Ionen-Implantation wird weiterhin die erste, jemals in Silizium isolierte Einzelphotonenquelle hergestellt und durch zahlreiche Polarisations- und Korrelationsmessungen als solche identifiziert. Durch die Einzelphotonenmessung erfolgt zusätzlich eine erste Abschätzung der Quanteneffizienz der G-Zentren und die Messung der Lebensdauer des isolierten angeregten Zustandes. Um den Quantenzustand der G-Zentren mittels Mikrowellenfeld manipulieren und sowohl optische als auch elektronisch auslesen zu können, wird ein experimenteller Aufbau beschrieben, mit dem die magnetische Resonanz der G-Zentren in einer SOI-Probe temperaturabhängig bis in den kryogenen Bereich detektiert werden kann. Nach den ersten manuellen Testmessungen wird der Versuchsaufbau durch neue Steuergeräte und eine Automatisierung weiter optimiert, um damit umfangreiche Messungen bei T = 40K und Raumtemperatur durchzuführen. Dabei wird eine mikrowellenabhängige Manipulation der Photolumineszenz der G-Zentren beobachtet, welche mit dem detektierten Photostrom korreliert ist. Die Manipulation der Photolumineszenz wird hauptsächlich auf eine Veränderung der Ladungsträgerdichte aufgrund anderer spinabhängiger Rekombinationszentren zurückgeführt, welche sich an den Grenzflächen des SOI-Schichtstapels bilden. Ideen, um den Einfluss der G-Zentren durch Unterdrückung der anderen Rekombinationszentren zu erhöhen, werden diskutiert.:Bibliografische Beschreibung Referat Abstract Zusammenfassung der Dissertation Contents List of Figures List of Tables Abbreviations 1 Introduction and motivation 1.1 Demand for silicon photonics and quantum technologies 1.2 Description and aim of the project 1.3 Outline 2 Solid-state and optical properties of silicon 2.1 Crystal properties 2.1.1 Structure 2.1.2 Lattice vibrations 2.1.3 Debye-Waller factor 2.1.4 Energy bands 2.2 Defects and doping in silicon 2.2.1 Intrinsic and extrinsic point defects 2.2.2 Line, area and volume defects 2.2.3 Doping 2.3 Luminescence from silicon 2.3.1 Optical properties of bulk silicon 2.3.2 Non-linear effects in silicon 2.3.3 Dislocation loops 2.3.4 Quantum confinement effects 2.3.5 Rare-Earth (Erbium) doping 2.3.6 Light emitting defects in silicon 2.4 G centers in silicon 2.4.1 Structural properties and creation of G centers 2.4.2 Optical properties and applications of G centers 3 Solid-state quantum technologies 3.1 Ion implantation for defect engineering 3.1.1 High-energy accelerator “Lipsion” 3.1.2 100 kV Microbeam 3.2 Quantum optics 3.2.1 Properties of single photons 3.2.2 Photoluminescence and single-photon measurements 3.2.3 Applications of single-photon sources - quantum key distribution 3.3 Quantum computing 3.3.1 Basic principle 3.3.2 Photonic qubits 3.3.3 Solid-state qubits 4 Optical properties of an ensemble of G centers in silicon 4.1 Experiment description and basic properties 4.1.1 Sample fabrication 4.1.2 Optical spectroscopy 4.1.3 PL response of different defect densities 4.1.4 Photoluminescence excitation measurement 4.1.5 Saturation behavior 4.2 Temperature-dependent photoluminescence spectroscopy 4.2.1 Thermal redshift 4.2.2 ZPL broadening 4.2.3 Temperature-dependent PL intensity 4.2.4 Temperature-dependent lifetime and decay rate 4.3 Recombination dynamics 4.3.1 Spectrally selective recombination dynamics 4.3.2 Lifetime and defect density 4.3.3 Phonon-assisted recombination model 5 G centers as single-photon sources in silicon 5.1 Experimental description 5.1.1 Sample fabrication 5.1.2 Optical spectroscopy 5.2 Evidence of a single-photon source 5.2.1 Autocorrelation study 5.2.2 Photodynamics 5.2.3 PL polarization 5.3 Properties of single photons from G centers 5.3.1 ZPL shift 5.3.2 Saturation and stability 5.3.3 Lifetime of an isolated G center 5.3.4 Estimation of the quantum efficiency 6 Optical and photoelectric readout of G centers in silicon 6.1 Setup 6.1.1 Sample preparation 6.1.2 Circuit board and cryostat 6.1.3 Measuring and control devices 6.1.4 PL spectroscopy 6.2 Manual ODMR and PDMR at cryogenic temperature 6.3 Automated PDMR measurements 6.3.1 Spectrum analysis 6.3.2 Etiology 6.3.3 Voltage dependence 6.3.4 Temperature dependence 6.3.5 Laser dependence 6.3.6 Magnetic field dependence 6.4 Automated PDMR and ODMR at cryogenic temperature 6.5 Discussion 6.5.1 Microwave dielectric heating in silicon 6.5.2 Spin-dependent recombination centers in Si and Si/SiO2 interfaces 6.6 Conclusion 7 Summary and outlook Bibliography Danksagung Wissenschaftlicher Werdegang Selbstständigkeitserklärung Erklärung für die Bibliothek / Quantum centers in crystal lattices can form so-called solid-state qubits that play a crucial role for the progress of the second quantum revolution. The G center in silicon can make a significant contribution to this, since it can be fabricated in a CMOS compatible and thus scalable way, it has a sharp zero-phonon line in the optical telecommunication range, and it is ODMR active. This makes it a suitable candidate for the development of photonic microchips, where quantum technologies and optical waveguides are linked by a spin-photon interface, thus fulfilling all the criteria to build a quantum network. In the present work, G centers are fabricated by low-energy and spatially-selective ion implantation and their optical and quantum physical properties are investigated by photoluminescence spectroscopy and magnetic resonance measurements. Using extensive temperature-dependent ensemble measurements in pure silicon, open questions on saturation behavior, recombination dynamics, and zero-phonon line shift as well as broadening are clarified, and the first decay time measurements of the excited state of this defect are presented. By using SOI samples in combination with low-energy ion implantation, the first single-photon source ever isolated in silicon is further fabricated and identified as such by extensive polarization and correlation measurements. The single-photon measurement additionally provides a first estimation of the quantum efficiency of the G centers and the measurement of the lifetime of the isolated excited state. In order to manipulate the quantum state of the G centers by means of a microwave field and to enable an optical as well as an electronical readout, an experimental setup is designed and assembled that allows the temperature-dependent detection of magnetic resonances of G centers in a SOI sample down to the cryogenic range. After the first manual test measurements, the experimental setup is further optimized by new control devices and process automation to allow extensive measurements at T = 40K and room temperature. A microwave-dependent manipulation of the photoluminescence of the G centers is observed, which is correlated with the detected photocurrent. The manipulation of the photoluminescence is mainly attributed to a change in the charge carrier density due to other spin-dependent recombination centers that form at the interfaces of the SOI layer stack. Ideas to increase the influence of the G centers by suppressing the other recombination centers are discussed.:Bibliografische Beschreibung Referat Abstract Zusammenfassung der Dissertation Contents List of Figures List of Tables Abbreviations 1 Introduction and motivation 1.1 Demand for silicon photonics and quantum technologies 1.2 Description and aim of the project 1.3 Outline 2 Solid-state and optical properties of silicon 2.1 Crystal properties 2.1.1 Structure 2.1.2 Lattice vibrations 2.1.3 Debye-Waller factor 2.1.4 Energy bands 2.2 Defects and doping in silicon 2.2.1 Intrinsic and extrinsic point defects 2.2.2 Line, area and volume defects 2.2.3 Doping 2.3 Luminescence from silicon 2.3.1 Optical properties of bulk silicon 2.3.2 Non-linear effects in silicon 2.3.3 Dislocation loops 2.3.4 Quantum confinement effects 2.3.5 Rare-Earth (Erbium) doping 2.3.6 Light emitting defects in silicon 2.4 G centers in silicon 2.4.1 Structural properties and creation of G centers 2.4.2 Optical properties and applications of G centers 3 Solid-state quantum technologies 3.1 Ion implantation for defect engineering 3.1.1 High-energy accelerator “Lipsion” 3.1.2 100 kV Microbeam 3.2 Quantum optics 3.2.1 Properties of single photons 3.2.2 Photoluminescence and single-photon measurements 3.2.3 Applications of single-photon sources - quantum key distribution 3.3 Quantum computing 3.3.1 Basic principle 3.3.2 Photonic qubits 3.3.3 Solid-state qubits 4 Optical properties of an ensemble of G centers in silicon 4.1 Experiment description and basic properties 4.1.1 Sample fabrication 4.1.2 Optical spectroscopy 4.1.3 PL response of different defect densities 4.1.4 Photoluminescence excitation measurement 4.1.5 Saturation behavior 4.2 Temperature-dependent photoluminescence spectroscopy 4.2.1 Thermal redshift 4.2.2 ZPL broadening 4.2.3 Temperature-dependent PL intensity 4.2.4 Temperature-dependent lifetime and decay rate 4.3 Recombination dynamics 4.3.1 Spectrally selective recombination dynamics 4.3.2 Lifetime and defect density 4.3.3 Phonon-assisted recombination model 5 G centers as single-photon sources in silicon 5.1 Experimental description 5.1.1 Sample fabrication 5.1.2 Optical spectroscopy 5.2 Evidence of a single-photon source 5.2.1 Autocorrelation study 5.2.2 Photodynamics 5.2.3 PL polarization 5.3 Properties of single photons from G centers 5.3.1 ZPL shift 5.3.2 Saturation and stability 5.3.3 Lifetime of an isolated G center 5.3.4 Estimation of the quantum efficiency 6 Optical and photoelectric readout of G centers in silicon 6.1 Setup 6.1.1 Sample preparation 6.1.2 Circuit board and cryostat 6.1.3 Measuring and control devices 6.1.4 PL spectroscopy 6.2 Manual ODMR and PDMR at cryogenic temperature 6.3 Automated PDMR measurements 6.3.1 Spectrum analysis 6.3.2 Etiology 6.3.3 Voltage dependence 6.3.4 Temperature dependence 6.3.5 Laser dependence 6.3.6 Magnetic field dependence 6.4 Automated PDMR and ODMR at cryogenic temperature 6.5 Discussion 6.5.1 Microwave dielectric heating in silicon 6.5.2 Spin-dependent recombination centers in Si and Si/SiO2 interfaces 6.6 Conclusion 7 Summary and outlook Bibliography Danksagung Wissenschaftlicher Werdegang Selbstständigkeitserklärung Erklärung für die Bibliothek

Cet exposé est scindé en deux grandes parties. Dans la première, nous estimons des constantes photo-physiques du saphir dopé au titane à partir d'un modèle analytique simple exploitant une théorie de Huang-Rhys pour la détermination du profil spectral des bandes simples et une hypothèse réaliste de superposition de ces dernières. Nous déterminons une formule pour l'indice de réfraction total du Ti:saphir en fonction de la concentration de dopant. Dans une seconde partie, nous évaluons, selon la vérification d'un concept, la capacité de laser sana inversion de populations pour un cristal dopé possédant une basse symétrie. Nous appuyons notre démonstration en établissant une condition de seuil généralisée d'effet laser. Ce concept pourrait être une rupture technologique dans le domaine des grands cristaux dopés et n'a pas encore été investigué par la communauté. / This presentation is split into two main parts. In the first, we estimate photo-physical constants of titanium doped sapphire from a simple analytical model using a Huang-Rhys theory for the determination of the spectral profile of simple bands and from a realistic hypothesis of superposition of the latter. We define a formula for the total refractive index of Ti:sapphire as a function of dopant concentration. In a second part, we evaluate, according to the verification of a concept, the laser capability without population inversion for a doped crystal with low symmetry. We support our demonstration by establishing a generalized laser threshold condition. This concept would be a technological breakthrough in the field of large doped crystals and has not yet been investigated by the community.

There are at least two common models for calculating the photoemission of accelerated electrons. The 'extended-charge-distribution' method uses the quantum probability current (multiplied by the electron charge) as a source current for Maxwell's equations. The 'point-like-emitter' method treats the electron like a point particle instead of like a diffuse body of charge. Our goal is to differentiate between these two viewpoints empirically. To do this, we consider a large electron wave packet in a high-intensity laser field, in which case the two viewpoints predict measurable photoemission rates that differ by orders of magnitude. Under the treatment of the 'extended-charge-distribution' model, the strength of the radiated field is significantly limited by interferences between different portions of the oscillating charge density. Alternatively, no suppression of photoemission occurs under the 'point-like-emitter' model because the electron is depicted as having no spatial extent. We designed an experiment to characterize the photoemission rates of electrons accelerated in a relativistic laser focus. Free electron wave packets are produced through ionization by an intense laser pulse at the center of a large vacuum chamber. These quantum wave packets can become comparable in size to the laser wavelength through natural spreading and interactions with the sharp ponderomotive gradients of the laser focus. Electron radiation emitted out the side of the focus is collected by one-to-one imaging into a 105-micron gold-jacketed fiber, which carries the light to a single photon detector located outside the chamber. The electron radiation is red-shifted due to mild relativistic acceleration, and we use this signature to spectrally filter the outgoing light to discriminate against background. In addition, the temporal resolution of the electronics allows distinction between light that travels directly from the focus into the collection system and laser light that may scatter from the chamber wall.

Die einzigartige (bio)-chemische Spezifität der mittleren Infrarotmikroskopie birgt ein enormes Potential für eine breite Palette biomedizinischer und industrieller Anwendungen. Eine wesentliche Einschränkung ergibt sich jedoch durch die unzureichenden Detektionsmöglichkeiten in diesem Wellenlängenbereich, da derzeitige Mittelinfrarot-Detektoren meist durch geringere Leistungsfähigkeit bei deutlich höheren Anschaffungskosten gekennzeichnet sind. Dementsprechend verlagern neuentwickelte Technologien mitunter die Detektion in den sichtbaren Spektralbereich, in dem eine weitaus bessere, Silizium-basierte Kameratechnologie verfügbar ist. Ein solches Verfahren, das im Mittelpunkt dieser Arbeit steht, ist die Quantenbildgebung mit undetektiereten Photonen, welche sich zunehmend als leistungsfähiges Werkzeug für Infrarot-Bildgebung entwickelt. Der optische Aufbau basiert auf nichtlinearer Interferometrie bei der räumlich verschränkte, nicht-entartete Photonenpaare die Entkopplung der Analyse- und Detektionswellenlängen ermöglicht. Entsprechend wird die Bildgebung im mittleren Infrarotbereich durch die Detektion von Nahinfrarotlicht mit einer handelsüblichen CMOS-Kamera realisiert. In dieser Arbeit wird die beschriebene Methode auf die Mikroskopie übertragen, wodurch Abbildungen biologischer Gewebeproben im mittleren Infrarotbereich mit einer Auflösung von geringer als 10 Mikrometer angefertigt werden können. Darüber hinaus werden zwei Abbildungsregime untersucht, die auf den komplementären Impuls- und Positionskorrelationen der Photonenpaare basieren. Weiterführende Möglichkeiten der Kombination von Quanten-Bildgebung mit unentdeckten Photonen und FTIR-Spektroskopie zum Zwecke der räumlich-spektral kontinuierlichen Datenerfassung werden besprochen. Die vorgestellten Ergebnisse stellen die Entwicklungsfähigkeit der Quantenbildgebung mit unentdeckten Photonen unter Beweis und demonstrieren ihr Potential für praxisnahe Anwendungen in der Biomedizin und der Industrie. / The unique (bio)-chemical specificity of mid-infrared (IR) microscopy holds tremendous promise for a wide range of biomedical and industrial applications. Significant limitation, however, arises from poor detection capabilities in this wavelengths range, with current mid-IR detection technology often marrying inferior technical capabilities with prohibitive costs. Accordingly, emerging approaches shift detection into the visible regime, where vastly superior silicon-based camera technology is available. One such technique, and the one that is in the center of this thesis is quantum imaging with undetected photons (QIUP), which has recently emerged as a new powerful imaging tool. The optical layout is based on nonlinear interferometry, where spatially entangled non-degenerate photon pairs enable the decoupling of the sensing and detection wavelengths, facilitating mid-IR wide-field imaging through the detection of near-IR light with an off-the-shelf CMOS camera. Additionally, the method is expanded towards microscopy, attaining sub-10 μm resolution, demonstrating our technique is fit for purpose, acquiring microscopic images of biological tissue samples in the mid-IR. Additionally, two imaging regimes are explored, based on the complementary momentum and position correlations. A comparison between the two regimes is presented and some limitations of the technique are discussed. Further efforts of combining QIUP with Fourier Transform IR spectroscopy for spatio-spectral continuous data acquisition are reviewed. The presented results demonstrate the achieved progress towards advancing QIUP to enable real-world biomedical as well as industrial imaging applications.

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