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1	Untersuchung und Modellierung intrapartikuärer Stofftransportmechanismen bei der Proteinaufreinigung durch Ionenaustauschchromatographie / Susanto, Arthur. January 2006 (has links) Zugl.: Dortmund, University, Diss.
2	Impurity distributions in crystalline solid layer in melt crystallization / Kim, Kwang-Joo. January 2002 (has links) Halle, Wittenberg, University, Thesis (doctoral), 2001.
3	Modeling of thermodynamic properties in biological solutions Cameretti, Luca F. January 2008 (has links) Zugl.: Dortmund, Techn. Univ., Diss., 2008
4	Inline-Online Erfassung von Prozessabläufen bei der Extraktreinigung im Zuckerfabrikationsprozess Ajdari Rad, Mohsen. Unknown Date (has links) (PDF) Techn. Universiẗat, Diss., 2002--Berlin.
5	Selective electroenzymatic reduction processes utilizing the thermophilic alcohol dehydrogenase from thermus sp. ATN 1 Höllrigl, Volker January 2008 (has links) Zugl.: Dortmund, Techn. Univ., Diss., 2008
6	Entwicklung eines zweidimensionalen, chromatographischen Trennverfahrens zur automatisierten Proteinreinigung Peter, Christoph. Unknown Date (has links) Techn. Universiẗat, Diss., 2000--Berlin.
7	Lernfabrik Industrielle Bauteilreinigung - Entwicklung eines Test- und Schulungszentrums Schricker, Felix 23 November 2018 (has links) Aktuelle Arbeitsinhalte des Teams Industrielle Bauteilreinigung am Fraunhofer IVV Dresden sind filmische Verunreinigungen, Reinigungsanalysen und -optimierung, Reinigungstechnik, Verschmutzungssensorik und die Prozesskettenanalyse. Neben der vorhandenen Sachkenntnis zur wässrigen Bauteilreinigung erweitert das Fraunhofer IVV Dresden Know-How zu alternativen Verfahren zur Funktionsflächenreinigung wie der CO2-Schneestrahl-, Atmosphärendruckplasma- und Trockendampfreinigung. Im Vortrag wird deshalb das SAB/EFRE-geförderte Projekt 'Lernfabrik' vorgestellt, bei dem ein innovatives Reinigungszentrum für Anwender entsteht. Neben einem Zugang zu breitem Forschungsdienstleistungs- und Technologieportfolio werden zukünftig Beratungen und Schulungen angeboten. info:eu-repo/classification/ddc/670 ddc:670
8	Enhancing the potential of simulated moving bed chromatography Kessler, Lars Christian January 2009 (has links) Zugl.: Magdeburg, Univ., Diss., 2009
9	Metal surface contamination in c-Si solar cell processing Buchholz, Florian 09 June 2016 (has links) (PDF) Fe und Cu wurden als Schlüsselspezies für die Betrachtung von Oberflächenkontamination in der Prozessierung von c-Si-Solarzellen identifiziert. Studien mit gezielt aufgebrachten Metallkonzentrationen vor verschiedenen Passivierungs- und Diffusionsprozessschritten ergaben relativ hohe kritische Werte für Cu, außer bei thermischer Oxidation. Niedrige Werte wurden für beide Elemente vor Hochtemperaturschritten im n-Typ-Hocheffizienzprozess beobachtet, wobei sich die B-Diffusion als etwas weniger empfindlich darstellte. Temporäre Gettereffekte für Fe (in p-Typ-Si) und Cu (in n-Typ-Si) wurden beobachtet. Es zeigte sich, dass As-Cut-Wafer, unabhängig von der Sägeart (SiC-slurry oder Diamantdraht) sehr hohe Metallverunreinigungen (im Bereich 11011 – 51014 cm-2) in den Prozess einbringen. Das alkalische Ätzen verringert diese Menge kaum, was hohe Anforderungen an die anschließende Reinigung ergibt. Die Optimierung von HF/O3-Reinigungslösung für diese Flächen ergab beste Reinigungsergebnisse bei niedrigen HF-Konzentrationen, abhängig vom alkalischen Ätzschritt und anschließendem HCl/HF-Dip. Oberflächen Metallverunreinigungen Silicium Solarzellen Reinigungsverfahren alkalisches Ätzen surfaces metal contamination silicon solar cells alkaline etching ddc:540 Silicium Solarzelle Herstellung Metall Verunreinigung Oberfläche
10	Metal surface contamination in c-Si solar cell processing Buchholz, Florian 23 May 2016 (has links) Fe und Cu wurden als Schlüsselspezies für die Betrachtung von Oberflächenkontamination in der Prozessierung von c-Si-Solarzellen identifiziert. Studien mit gezielt aufgebrachten Metallkonzentrationen vor verschiedenen Passivierungs- und Diffusionsprozessschritten ergaben relativ hohe kritische Werte für Cu, außer bei thermischer Oxidation. Niedrige Werte wurden für beide Elemente vor Hochtemperaturschritten im n-Typ-Hocheffizienzprozess beobachtet, wobei sich die B-Diffusion als etwas weniger empfindlich darstellte. Temporäre Gettereffekte für Fe (in p-Typ-Si) und Cu (in n-Typ-Si) wurden beobachtet. Es zeigte sich, dass As-Cut-Wafer, unabhängig von der Sägeart (SiC-slurry oder Diamantdraht) sehr hohe Metallverunreinigungen (im Bereich 11011 – 51014 cm-2) in den Prozess einbringen. Das alkalische Ätzen verringert diese Menge kaum, was hohe Anforderungen an die anschließende Reinigung ergibt. Die Optimierung von HF/O3-Reinigungslösung für diese Flächen ergab beste Reinigungsergebnisse bei niedrigen HF-Konzentrationen, abhängig vom alkalischen Ätzschritt und anschließendem HCl/HF-Dip. info:eu-repo/classification/ddc/540 ddc:540

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