No description available.

No description available.

No description available.

The Alpha Particle X-ray Spectrometer (APXS) on the Mars Exploration Rovers possesses the ability to detect carbon and oxygen within martian samples via Rutherford backscattering principles. Several consecutive measurements of the martian atmosphere by Spirit, paralleled by Monte Carlo simulations, provided an energy calibration to mitigate the absence of an alpha-mode calibration pre-flight. Data from a pre-flight thermal acceptance test agreed with this energy calibration, confirming the presence of an unexpected offset. Correcting a bug in the APXS firmware resulted in a temperature-independent energy scale. A model was developed and applied to all atmospheric data illustrating a dip in atmospheric peak areas, potentially arising from a week-long weather event on Mars. An early expansion of this model to solid samples has not yet been able to detect any hydrated minerals or carbonates. Preliminary investigations into determining martian atmospheric pressure and potential elemental layering within samples shows promise.

The varied properties of Silicon Carbide (SiC) are helping to launch the material into many new applications, particularly in the field of novel semiconductor devices. In this work, the cubic form of SiC is of interest as a basis for developing integrated optical components. Here, the formation of a suitable SiO2 buried cladding layer has been achieved by high dose oxygen ion implantation. This layer is necessary for the optical confinement of propagating light, and hence optical waveguide fabrication. Results have shown that optical propagation losses of the order of 20 dB/cm are obtainable. Much of this loss can be attributed to mode leakage and volume scattering. Mode leakage is a function of the effective oxide thickness, and volume scattering related to the surface layer damage. These parameters have been shown to be controllable and so suggests that further reduction in the waveguide loss is feasible. Analysis of the layer growth mechanism by RBS, XTEM and XPS proves that SiO2 is formed, and that the extent of formation depends on implant dose and temperature. The excess carbon generated is believed to exit the oxide layer by a number of varying mechanisms. The result of this appears to be a number of stable Si-C-O intermediaries that form regions to either depth extreme of the SiO2 layer. Early furnace tests suggest a need to anneal at temperatures approaching the melting point of the silicon substrate, and that the quality of the virgin material is crutial in controlling the resulting oxide growth.

No description available.

Submitted by Maria Eneide de Souza Araujo (mearaujo@ipen.br) on 2015-02-20T13:22:28Z No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2015-02-20T13:22:28Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Dissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP

Submitted by Maria Eneide de Souza Araujo (mearaujo@ipen.br) on 2015-02-20T13:22:28Z No. of bitstreams: 0 / Made available in DSpace on 2015-02-20T13:22:28Z (GMT). No. of bitstreams: 0 / Filmes finos de óxido de nióbio têm sido usados em muitas aplicações tecnológicas. Existem pelo menos três óxidos estáveis de nióbio: NbO, NbO2 e Nb2O5 e cada um deles tem propriedades específicas. O Nb2O5 é a forma termodinamicamente mais estável e apresenta propriedades físicas e químicas únicas, como alto índice de refração, band gap largo, excelente estabilidade química e resistência à corrosão, baixa absorção óptica no campo da luz visível até regiões próximas ao infra-vermelho, sendo amplamente utilizados como filtros de interferência óptica de alta qualidade. Neste trabalho foram depositados filmes de óxido de nióbio por meio da técnica de sputtering reativo sobre substratos de silício e borossilicato. Os filmes finos foram obtidos com vazão de oxigênio variando entre 15 e zero sccm. O objetivo deste trabalho foi a caracterização das propriedades ópticas dos filmes. Foram avaliados o índice de refração e a espessura pela técnica de elipsometria, o band gap pelo método de Tauc e a razão atômica e a densidade superficial por meio de Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford (RBS). Foram obtidos espectros de transmitância e refletância por Espectrofotometria UV/Vis/NIR e o coeficiente de extinção foi calculado pelo método de Hong. Todos estes parâmetros são importantes para aplicação em dispositivos ópticos. Nos filmes depositados com vazão de oxigênio de 15 sccm foi observado que o índice de refração aumenta com o aumento da espessura dos filmes e que o composto formado foi Nb2O5. Para uma vazão de 2,0 sccm foi encontrado o composto NbO2 e o filme apresentou alta absorção ótica. Os resultados sugerem que outros óxidos de nióbio ou nióbio metálico foram incorporados nos filmes conforme o fluxo de oxigênio foi diminuído. Foi observada uma relação direta entre a diminuição da vazão de oxigênio durante a deposição e um aumento da quantidade de nióbio nos filmes, acompanhados de um aumento do índice de refração e da densidade superficial. / Dissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear) / IPEN/D / Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP