Neste trabalho foram investigadas estruturas de diodos Schottky de carbeto de silício (SiC) com potencial uso em detectores de energia de partículas carregadas. Para tanto, foram fabricados diodos Schottky de SiC do tipo Metal-Isolador-Semicondutor (MIS). Uma estrutura MIS é considerada uma vez que o SiC sempre forma em sua superfície uma fina camada de oxicarbeto de silício (SiCxOy) nativo, de difícil remoção por ataques químicos. Foi desenvolvido um modelo modificado da teoria de Emissão Termiônica (TE), de modo a levar em conta o óxido nativo e/ou finas camadas dielétricas inseridas entre metal e semicondutor nas estruturas de diodos Schottky. Foram fabricadas estruturas alumínio/dielétrico/silício para caracterização dos dielétricos utilizados. Foram depositados os dielétricos de SiO2, TiO2, HfO2 e Al2O3 entre o metal Ni e o semicondutor de SiC, variando as espessuras de 1 a 8 nm. As espessuras depositadas foram confirmadas por Elipsometria espectral e Reflectometria de raio X, anteriormente à deposição por sputtering do contato Schottky de Ni. Após a deposição e o tratamento térmico do Ni, as estruturas de diodos Schottky foram caracterizadas eletricamente por meio de medidas de Corrente-Tensão (I-V) e Capacitância-Tensão (C-V), variando a temperatura de medida. Foi observado que a presença de uma fina camada dielétrica entre metal e semicondutor aumenta artificialmente a Altura da Barreira Schottky (SBH), diminuindo a corrente reversa quando o diodo é polarizado reversamente. Por meio do modelo modificado da TE, foi calculada uma espessura variando de 0.18 – 0.20 nm para o oxicarbeto de silício presente nos diodos estudados. As SBH reais foram extraídas por meio das medidas de I-V, variando-se a temperatura. Foram obtidos os valores da SBH de 1.39, 1.32 e 1.26 V, para os dielétricos TiO2, Al2O3, HfO2 e com 1 nm de espessura nominal cada, respectivamente. Para esses, o fator de idealidade calculado ficou próximo de 1. Espessuras de dielétricos acima de 4 nm começam a apresentar características de capacitores Metal-Óxido-Semicondutor e não de diodos Schottky. Por fim, reportamos as estruturas de Ni/Al2O3/4H-SiC/Ni e Ni/HfO2/4H-SiC/Ni, com 1 nm de dielétrico depositado, para uso como detector de partículas alfa no experimento de Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford (RBS). Ambos os detectores apresentaram corrente reversa menor que 70 nA.cm-2 e resolução em energia de 76 keV, para polarização reversa de 40 V. / In the present work, silicon carbide (SiC) Schottky diodes with potential use in energy particle detectors were investigated. Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) SiC Schottky diodes were fabricated. The MIS structures are considered because SiC always forms a thin native silicon oxycarbide (SiCxOy) layer in its surface that is difficult to remove by chemical means. A modified Thermionic Emission theory (TE) was developed to take into account the native oxide and/or thin dielectric layers present between metal and semiconductor in Schottky diodes. Aluminum/dielectric/silicon structures were fabricated for the dielectric characterization. SiO2, TiO2, HfO2 and Al2O3 dielectrics were deposited between Ni and SiC, with thicknesses varying from 1 to 8 nm. The deposited dielectrics layers thicknesses were confirmed by Ellipsometry spectra and X ray reflectometry before deposition of Ni Schottky contacts by sputtering. After Ni deposition and annealing, the Schottky diodes were electrically characterized by Current-Voltage (I-V) and Capacitance-Voltage measurements, varying the temperature. A thin dielectric layer present between metal and semiconductor artificially augments the Schottky Barrier Height (SBH) and lowers the reverse current when the diodes are reverse biased. A 0.18 – 0.20 nm of SiCxOy layer was inferred for the diodes using the modified TE. The real SBH was extracted from the I-V measurements and presented values of 1.39, 1.32 and 1.26 V for the diodes with 1 nm of TiO2, Al2O3 and HfO2, respectively. For these, an ideality factor close to 1 was calculated. Diodes with thicker (>4 nm) dielectrics layers shows Metal-Oxide-Semiconductor capacitors behavior. Ni/Al2O3/4H-SiC/Ni and Ni/HfO2/4H-SiC/Ni structures with 1 nm of dielectric layer thickness were used in Rutherford Backscattering Spectrometry experiments. Both detectors presented reverse current lower than 70 nA.cm-2 and energy resolution of 76 keV, when applied 40 V reverse bias.

Neste trabalho foram investigadas estruturas de diodos Schottky de carbeto de silício (SiC) com potencial uso em detectores de energia de partículas carregadas. Para tanto, foram fabricados diodos Schottky de SiC do tipo Metal-Isolador-Semicondutor (MIS). Uma estrutura MIS é considerada uma vez que o SiC sempre forma em sua superfície uma fina camada de oxicarbeto de silício (SiCxOy) nativo, de difícil remoção por ataques químicos. Foi desenvolvido um modelo modificado da teoria de Emissão Termiônica (TE), de modo a levar em conta o óxido nativo e/ou finas camadas dielétricas inseridas entre metal e semicondutor nas estruturas de diodos Schottky. Foram fabricadas estruturas alumínio/dielétrico/silício para caracterização dos dielétricos utilizados. Foram depositados os dielétricos de SiO2, TiO2, HfO2 e Al2O3 entre o metal Ni e o semicondutor de SiC, variando as espessuras de 1 a 8 nm. As espessuras depositadas foram confirmadas por Elipsometria espectral e Reflectometria de raio X, anteriormente à deposição por sputtering do contato Schottky de Ni. Após a deposição e o tratamento térmico do Ni, as estruturas de diodos Schottky foram caracterizadas eletricamente por meio de medidas de Corrente-Tensão (I-V) e Capacitância-Tensão (C-V), variando a temperatura de medida. Foi observado que a presença de uma fina camada dielétrica entre metal e semicondutor aumenta artificialmente a Altura da Barreira Schottky (SBH), diminuindo a corrente reversa quando o diodo é polarizado reversamente. Por meio do modelo modificado da TE, foi calculada uma espessura variando de 0.18 – 0.20 nm para o oxicarbeto de silício presente nos diodos estudados. As SBH reais foram extraídas por meio das medidas de I-V, variando-se a temperatura. Foram obtidos os valores da SBH de 1.39, 1.32 e 1.26 V, para os dielétricos TiO2, Al2O3, HfO2 e com 1 nm de espessura nominal cada, respectivamente. Para esses, o fator de idealidade calculado ficou próximo de 1. Espessuras de dielétricos acima de 4 nm começam a apresentar características de capacitores Metal-Óxido-Semicondutor e não de diodos Schottky. Por fim, reportamos as estruturas de Ni/Al2O3/4H-SiC/Ni e Ni/HfO2/4H-SiC/Ni, com 1 nm de dielétrico depositado, para uso como detector de partículas alfa no experimento de Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford (RBS). Ambos os detectores apresentaram corrente reversa menor que 70 nA.cm-2 e resolução em energia de 76 keV, para polarização reversa de 40 V. / In the present work, silicon carbide (SiC) Schottky diodes with potential use in energy particle detectors were investigated. Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) SiC Schottky diodes were fabricated. The MIS structures are considered because SiC always forms a thin native silicon oxycarbide (SiCxOy) layer in its surface that is difficult to remove by chemical means. A modified Thermionic Emission theory (TE) was developed to take into account the native oxide and/or thin dielectric layers present between metal and semiconductor in Schottky diodes. Aluminum/dielectric/silicon structures were fabricated for the dielectric characterization. SiO2, TiO2, HfO2 and Al2O3 dielectrics were deposited between Ni and SiC, with thicknesses varying from 1 to 8 nm. The deposited dielectrics layers thicknesses were confirmed by Ellipsometry spectra and X ray reflectometry before deposition of Ni Schottky contacts by sputtering. After Ni deposition and annealing, the Schottky diodes were electrically characterized by Current-Voltage (I-V) and Capacitance-Voltage measurements, varying the temperature. A thin dielectric layer present between metal and semiconductor artificially augments the Schottky Barrier Height (SBH) and lowers the reverse current when the diodes are reverse biased. A 0.18 – 0.20 nm of SiCxOy layer was inferred for the diodes using the modified TE. The real SBH was extracted from the I-V measurements and presented values of 1.39, 1.32 and 1.26 V for the diodes with 1 nm of TiO2, Al2O3 and HfO2, respectively. For these, an ideality factor close to 1 was calculated. Diodes with thicker (>4 nm) dielectrics layers shows Metal-Oxide-Semiconductor capacitors behavior. Ni/Al2O3/4H-SiC/Ni and Ni/HfO2/4H-SiC/Ni structures with 1 nm of dielectric layer thickness were used in Rutherford Backscattering Spectrometry experiments. Both detectors presented reverse current lower than 70 nA.cm-2 and energy resolution of 76 keV, when applied 40 V reverse bias.

Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Ceilândia, Programa de Pós-graduação em Ciências e Tecnologias em Saúde, 2017. / Texto parcialmente liberado pelo autor. Conteúdo restrito: Capítulo 3. Publicações. / Submitted by Raquel Almeida (raquel.df13@gmail.com) on 2017-07-06T20:13:56Z No. of bitstreams: 1 2017_AlbênicaPaulinodosSantosBontempo_PARCIAL.pdf: 1476187 bytes, checksum: ef939577a871b32ad23d9bc8c64238f6 (MD5) / Rejected by Ruthléa Nascimento (ruthleanascimento@bce.unb.br), reason: on 2017-07-06T20:16:08Z (GMT) / Submitted by Raquel Almeida (raquel.df13@gmail.com) on 2017-07-06T20:22:01Z No. of bitstreams: 1 2017_AlbênicaPaulinodosSantosBontempo_PARCIAL.pdf: 1476187 bytes, checksum: ef939577a871b32ad23d9bc8c64238f6 (MD5) / Approved for entry into archive by Raquel Viana (raquelviana@bce.unb.br) on 2017-08-22T21:23:52Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2017_AlbênicaPaulinodosSantosBontempo_PARCIAL.pdf: 1476187 bytes, checksum: ef939577a871b32ad23d9bc8c64238f6 (MD5) / Made available in DSpace on 2017-08-22T21:23:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2017_AlbênicaPaulinodosSantosBontempo_PARCIAL.pdf: 1476187 bytes, checksum: ef939577a871b32ad23d9bc8c64238f6 (MD5) Previous issue date: 2017-08-22 / A Síndrome da Bexiga Hiperativa (SBH) é a urgência miccional com ou sem incontinência, polaciúria e noctúria, na ausência de outras patologias locais. Objetivo: Identificar os fatores associados à SBH. Métodos: Foram realizados dois estudos. Uma revisão sistemática da literatura, cujo objetivo foi identificar os fatores associados à ocorrência da SBH em indivíduos com idade >40 anos, por meio da busca de artigos nas principais bases de dados em ciências da saúde. E um estudo transversal, realizado com idosas (>60 anos) da comunidade de Ceilândia-DF/Brasil, avaliadas por meio de entrevistas e questionários. Resultados: Para a revisão, os descritores utilizados foram “overactive bladder”, “risk factors” e “elderly" (em inglês). Encontrou-se 124 artigos, após o uso de filtros: tema principal - “bexiga urinária hiperativa”, idiomas - inglês, português e espanhol, período de 2006/2016, limite - “meia-idade” e “idoso” reduzindo este número para 57. Após leitura do título/resumo foram excluídos 43. Após leitura na íntegra, foram excluídos 9 artigos. Assim, 5 artigos foram selecionados, totalizando uma amostra de 15.190 homens e 20.053 mulheres. Para o segundo estudo, foram elegíveis 292 idosas, destas, 172 eram grupo caso (58,9%) e 120 (41,1%) grupo controle. Observou-se alta prevalência de SBH na população estudada. A análise multivariada apontou que vida sexual ativa reduz em 70,8% a chance de ter SBH; e cirurgias uroginecológicas aumentam em 3,098 vezes esse risco. Conclusão: A literatura apresenta como fatores associados à SBH a idade avançada; sexo feminino; o elevado IMC; a raça (afro-americano e hispânico para homens); etilismo; Diabetes Mellitus, sintomas miccionais e depressão para pessoas de meia-idade e idosos. Já no estudo transversal identificou-se como fator associado à SBH a cirurgia uroginecológica. Em contra partida, apresentar diagnóstico de diabetes e manter vida sexual ativa foram fatores protetores em mulheres idosas da comunidade de Ceilândia-DF. / Hyperactive Bladder Syndrome (SBH) is the urinary urgency with or without incontinence, polaciuria and nocturia, in the absence of other local pathologies. Objective: To identify the factors associated with SBH. Methods: Two studies were carried out. A systematic review of the literature, whose objective was to identify the factors associated with the occurrence of SBH in individuals aged> 40 years, through the search of articles in the main databases in health sciences. A cross-sectional study was conducted with elderly women (> 60 years) from the community of Ceilândia-DF / Brazil, evaluated through interviews and questionnaires. RESULTS: For the review, the descriptors used were "overactive bladder", "risk factors" and "elderly". There were 124 articles, after the use of filters: main theme - "overactive urinary bladder", languages - English, Portuguese and Spanish, period 2006/2016, limit "middle age" and "old", reducing this number to 57. After reading the title / abstract, 43 were excluded. After reading the entire article, 9 articles were excluded. For the second study, 292 elderly women were eligible, of which 172 were case group (58.9%) and 120 (41.1%) were the control group. The multivariate analysis showed that active sexual life reduces the chance of having SBH by 70.8%, and urogynecological surgeries increase by 3,098 times this risk Conclusion: The literature presents as associated factors SBH the old age; Female, high BMI, race (African American and Hispanic for men); Alcoholism; Diabetes Mellitus, voiding symptoms and depression for middle-aged and elderly people. In the cross-sectional study, urogynecological surgery was identified as a factor associated with SBH. In contrast, presenting a diagnosis of diabetes and maintaining active sexual life were protective factors in elderly women from the community of Ceilândia-DF.

Neste trabalho foram investigadas estruturas de diodos Schottky de carbeto de silício (SiC) com potencial uso em detectores de energia de partículas carregadas. Para tanto, foram fabricados diodos Schottky de SiC do tipo Metal-Isolador-Semicondutor (MIS). Uma estrutura MIS é considerada uma vez que o SiC sempre forma em sua superfície uma fina camada de oxicarbeto de silício (SiCxOy) nativo, de difícil remoção por ataques químicos. Foi desenvolvido um modelo modificado da teoria de Emissão Termiônica (TE), de modo a levar em conta o óxido nativo e/ou finas camadas dielétricas inseridas entre metal e semicondutor nas estruturas de diodos Schottky. Foram fabricadas estruturas alumínio/dielétrico/silício para caracterização dos dielétricos utilizados. Foram depositados os dielétricos de SiO2, TiO2, HfO2 e Al2O3 entre o metal Ni e o semicondutor de SiC, variando as espessuras de 1 a 8 nm. As espessuras depositadas foram confirmadas por Elipsometria espectral e Reflectometria de raio X, anteriormente à deposição por sputtering do contato Schottky de Ni. Após a deposição e o tratamento térmico do Ni, as estruturas de diodos Schottky foram caracterizadas eletricamente por meio de medidas de Corrente-Tensão (I-V) e Capacitância-Tensão (C-V), variando a temperatura de medida. Foi observado que a presença de uma fina camada dielétrica entre metal e semicondutor aumenta artificialmente a Altura da Barreira Schottky (SBH), diminuindo a corrente reversa quando o diodo é polarizado reversamente. Por meio do modelo modificado da TE, foi calculada uma espessura variando de 0.18 – 0.20 nm para o oxicarbeto de silício presente nos diodos estudados. As SBH reais foram extraídas por meio das medidas de I-V, variando-se a temperatura. Foram obtidos os valores da SBH de 1.39, 1.32 e 1.26 V, para os dielétricos TiO2, Al2O3, HfO2 e com 1 nm de espessura nominal cada, respectivamente. Para esses, o fator de idealidade calculado ficou próximo de 1. Espessuras de dielétricos acima de 4 nm começam a apresentar características de capacitores Metal-Óxido-Semicondutor e não de diodos Schottky. Por fim, reportamos as estruturas de Ni/Al2O3/4H-SiC/Ni e Ni/HfO2/4H-SiC/Ni, com 1 nm de dielétrico depositado, para uso como detector de partículas alfa no experimento de Espectrometria de Retroespalhamento Rutherford (RBS). Ambos os detectores apresentaram corrente reversa menor que 70 nA.cm-2 e resolução em energia de 76 keV, para polarização reversa de 40 V. / In the present work, silicon carbide (SiC) Schottky diodes with potential use in energy particle detectors were investigated. Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) SiC Schottky diodes were fabricated. The MIS structures are considered because SiC always forms a thin native silicon oxycarbide (SiCxOy) layer in its surface that is difficult to remove by chemical means. A modified Thermionic Emission theory (TE) was developed to take into account the native oxide and/or thin dielectric layers present between metal and semiconductor in Schottky diodes. Aluminum/dielectric/silicon structures were fabricated for the dielectric characterization. SiO2, TiO2, HfO2 and Al2O3 dielectrics were deposited between Ni and SiC, with thicknesses varying from 1 to 8 nm. The deposited dielectrics layers thicknesses were confirmed by Ellipsometry spectra and X ray reflectometry before deposition of Ni Schottky contacts by sputtering. After Ni deposition and annealing, the Schottky diodes were electrically characterized by Current-Voltage (I-V) and Capacitance-Voltage measurements, varying the temperature. A thin dielectric layer present between metal and semiconductor artificially augments the Schottky Barrier Height (SBH) and lowers the reverse current when the diodes are reverse biased. A 0.18 – 0.20 nm of SiCxOy layer was inferred for the diodes using the modified TE. The real SBH was extracted from the I-V measurements and presented values of 1.39, 1.32 and 1.26 V for the diodes with 1 nm of TiO2, Al2O3 and HfO2, respectively. For these, an ideality factor close to 1 was calculated. Diodes with thicker (>4 nm) dielectrics layers shows Metal-Oxide-Semiconductor capacitors behavior. Ni/Al2O3/4H-SiC/Ni and Ni/HfO2/4H-SiC/Ni structures with 1 nm of dielectric layer thickness were used in Rutherford Backscattering Spectrometry experiments. Both detectors presented reverse current lower than 70 nA.cm-2 and energy resolution of 76 keV, when applied 40 V reverse bias.

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Made available in DSpace on 2014-06-12T17:40:28Z (GMT). No. of bitstreams: 2 arquivo7018_1.pdf: 3136549 bytes, checksum: 280ee1ed895aab2c310600bb6667d8ae (MD5) license.txt: 1748 bytes, checksum: 8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33 (MD5) Previous issue date: 2003 / Uma questão central no emergente campo da Biologia Molecular Computacional diz respeito ao problema de seqüenciamento de DNA. Seqüenciar uma molécula de DNA significa determinar a ordem das suas bases componentes adenina (A), citosina (C), guanina (G) e timina (T). Em vista do comprimento de tais moléculas, muitas vezes da ordem de bilhões de bases, e das limitações existentes nos processos laboratoriais, os quais são capazes de manipular, no máximo, apenas 700 bases, esse se tornou um problema de natureza combinatorial e normalmente requer técnicas matemáticas e recursos computacionais para a sua solução. Dentre os vários métodos de seqüenciamento de DNA desenvolvidos nas últimas décadas, um que se tem mostrado particularmente promissor é o método denominado Seqüenciamento por Hibridização (do inglês Sequencing by Hybridization SBH), o qual se caracteriza por utilizar um chip de DNA para identificar o espectro da seqüência investigada, isto é, o conjunto de todas as subseqüências de um determinado tamanho que a compõem; e por tentar seqüenciá-la a partir das informações nele contidas. Recentemente, Halperin et al. (2002) apresentou duas variantes para o SBH. A primeira é baseada em um algoritmo, denominado algoritmo A, projetado para lidar com os dados gerados pelo chip clássico de seqüenciamento; e a segunda, mais abrangente, inclui um novo modelo de chip que conta com bases universais distribuídas randomicamente, e, para lidar com os dados provenientes dele, inclui também um outro algoritmo, denominado algoritmo B. Halperin et al. (2002) ainda sugeriu que a combinação adequada de alguns aspectos positivos dessas abordagens talvez pudesse gerar resultados práticos melhores do que os obtidos com a solução baseada apenas no algoritmo B. Este trabalho de pesquisa aponta os problemas de se implementar tal sugestão e, então, propõe uma abordagem alternativa que tende a superá-los, a qual mostrou-se ser mais geral, tendo, inclusive, a solução baseada no algoritmo B como um caso particular. Além disso, as simulações realizadas evidenciaram que os demais casos conseguem alcançar melhor rendimento em termos do tamanho da seqüência que pode ser corretamente determinada, empregando chips de menor custo

Tese (doutorado)—Universidade de Brasília, Faculdade de Ciências da Saúde, Programa de Pós-Graduação em Ciências da Saúde, 2014. / Submitted by Ana Cristina Barbosa da Silva (annabds@hotmail.com) on 2014-12-11T18:42:34Z No. of bitstreams: 1 2014_AlineTeixeiraAlves.pdf: 1474117 bytes, checksum: 1ee80b1f8d0f223b45348ffb1bd0c773 (MD5) / Approved for entry into archive by Raquel Viana(raquelviana@bce.unb.br) on 2014-12-12T17:45:19Z (GMT) No. of bitstreams: 1 2014_AlineTeixeiraAlves.pdf: 1474117 bytes, checksum: 1ee80b1f8d0f223b45348ffb1bd0c773 (MD5) / Made available in DSpace on 2014-12-12T17:45:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 2014_AlineTeixeiraAlves.pdf: 1474117 bytes, checksum: 1ee80b1f8d0f223b45348ffb1bd0c773 (MD5) / Introdução: O envelhecimento é um processo contínuo e inevitável que afeta o ser humano. O trato urinário, assim como outros sistemas, é influenciado pelos efeitos interativos e aditivos destas mudanças e pelo acúmulo de inúmeros problemas relacionados ao envelhecimento. A síndrome da bexiga hiperativa (SBH) é comum em idosos e é de grande importância a investigação de estratégias terapêuticas não-invasivas para uma melhor abordagem dessa população. Objetivo: Avaliar a eficácia da eletroestimulação transcutânea em nervo tibial posterior para o tratamento da SBH em idosas. Método: Trata-se de um ensaio clínico randomizado e controlado com mulheres idosas da comunidade (>60 anos) com SBH, que foram randomizadas em 3 grupos: G1 = eletroterapia em tibial posterior em limiar sensitivo, G2 = eletroterapia em tibial posterior em limiar motor, G3 = grupo controle, sem intervenção. As variáveis analisadas no estudo foram: (1) hábito urinário (número de espisódios de frequência miccional em 24 horas, noctúria, urgência e urge-incontinência) avaliado pelo diário miccional de três dias; (2) qualidade de vida, relacionada aos sintomas de BH e o grau de incômodo dos sintomas de frequência urinária diurna, noctúria, urgência e urge-incontinência, analisados pelo questionário ICIQ-OAB e (3) avaliação do desconforto com a eletroterapia por meio da escala visual analógica. O cálculo amostral sugeriu 19 voluntárias por grupo. A distribuição não normal dos dados foi identificada por meio do teste Kolmogorov-Smirnov. A comparação das variáveis contínuas entre os três grupos foi feita utilizando o teste Kruskal Wallis, seguida pelos testes Mann-Whitney U para realizar análise de comparações múltiplas intergrupo. A comparação das variáveis categóricas foi feita utilizando o teste qui-quadrado. Foi realizado análise de intenção de tratar e o nível de significância (α) de 0,05 foi considerado. Resultados: Foram selecionadas 130 idosas que atenderam aos critérios de elegibilidade, porém 29 foram excluídas. Foram randomizadas 101 pacientes, 39 no G1 (limiar sensitivo), 33 no G2 (limiar motor) e 29 no G3 (controle). Os grupos 1 e 2 apresentaram melhora significativa no pós-intervenção relacionada a qualidade de vida, enquanto o G3 não apresentou melhora significativa (p<0,001, p<0,001, p=0,474, respectivamente). O sintoma de maior incômodo tanto no G1 quanto no G2 foi a urgência, apresentando média de 7,09±3,12, 7,27±2,50, respectivamente. O G3 apresentou maior pontuação de grau de incômodo no sintoma de urge-incontinência (8,00± 3,73). No hábito urinário, tanto o G1 quanto o G2 apresentaram melhora significativa no pós-tratamento, para os parâmetros de frequência (p<0,001 para ambos), noctúria (p<0,001 para ambos), urgência (p<0,001 para ambos) e urge-incontinência (p<0,001, p=0,002). O G3 não apresentou melhora significativa. Conclusão: A eletroestimulação transcutânea no nervo tibial posterior mostrou-se eficaz no tratamento de SBH em idosas, não havendo diferença entre os limiares sensitivo e motor para as variáveis analisadas. __________________________________________________________________________________ ABSTRACT / Introduction: Aging is a continuous and inevitable process that affects humans. The urinary tract as well as other systems, is influenced by the interactive and additive effects of these changes and the accumulation of numerous problems related to aging. The overactive bladder syndrome (OABS) is common in the elderly is of great importance and the investigation of non-invasive therapeutic strategies for better treatment of this population. Objective: To evaluate the efficacy of transcutaneous electrical stimulation on posterior tibial nerve for the treatment of OABS in elderly women. Method: This is a randomized controlled trial with community elderly women (> 60 years) with OABS, who were randomized in 3 groups: G1 = electrotherapy in posterior tibial in sensory threshold, G2 = electrotherapy in posterior tibial in motor threshold, G3 = control group, without intervention. The variables analyzed in the study were: (1) urinary habit (number of episodes of voiding frequency in 24 hours, nocturia, urgency and urgeincontinence) assessed by voiding diary of three days; (2) quality of life related to symptoms of OAB and the degree of discomfort of the symptoms of daytime urinary frequency, nocturia, urgency and urgeincontinence, analyzed by questionnaire ICIQ-OAB, and (3) evaluation of discomfort of electrical stimulation through visual analogue scale. The sample size suggest 19 voluntary per group. The non normal distribution of data was done using Kolmogorov-Smirnov test. The comparison of continuous variables between groups was made using the Kruskal Wallis test followed by Mann-Whitney U tests to perform analysis of multiple intergroup comparisons. Comparison of categorical variables was performed using chi-square test. Intention to treat analysis and the significance level (α) of 0.05 were considered. Results: 130 elderly women who met the eligibility criteria were selected, but 29 were excluded. 101 patients, 39 were randomized in G1 (sensory threshold), 33 in G2 (motor threshold) and 29 in G3 (control). Groups 1 and 2 showed significant improvement in the post-intervention related to quality of life, while the G3 does not showed significant improvement (p <0.001, p <0.001, p = 0.474, respectively). The most bothersome symptom of both G1 and G2 was the urgency and averaged 7.09 ± 3.12, 7.27 ± 2.50, respectively. G3 presented higher scores of the level of discomfort in the symptom of urgeincontinence (8.00 ± 3.73). In urinary habits, both G1 and G2 showed significant improvement after treatment, for the parameters of frequency (p <0.001 for both), nocturia (p <0.001 for both), urgency (p <0.001 for both) and urgeincontinence (p <0.001, p = 0.002). The G3 showed no significant improvement. Conclusion: Transcutaneous electrical stimulation on posterior tibial nerve proved to be effective in treating OABS in elderly women, with no difference between the sensory and motor thresholds for the variables analyzed.

Quantum computers are appealing for their ability to solve some tasks much faster than their classical counterparts. In fact, they have a potential to perform the full configuration interaction (FCI) energy calculations with a polynomial scaling only. This is in contrast to con- ventional computers where FCI scales exponentially. We provide a detailed description of the quantum version of the FCI method and the results of numerical simulations of the ground and excited state energy calculations of the methylene molecule. We further generalize this method to the relativistic four component regime and show how to efficiently solve the eigenproblem of the Dirac-Coulomb(-Breit) Hamiltonian on a quantum computer. We demonstrate the func- tionality of the proposed procedure by numerical simulations of computations of the spin-orbit splitting in the SbH molecule. Finally, we propose quantum circuits with 3 qubits and 9 or 10 CNOTs, which implement a proof-of-principle relativistic quantum chemical calculation for this molecule and might be suitable for an experimental realization. 1

Defects in the functional oxides play an important role in electronic devices like metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) and resistive random-access memories (ReRAMs). The continuous scaling of CMOS has brought the Si MOSFET to its physical technology limit and the replacement of Si channel with Ge channel is required. However, the performance of Ge MOSFETs suffers from Ge/oxide interface quality and reliability problems, which originates from the charge traps and defect states in the oxide or at the Ge/oxide interface. The sub-oxide layers composed of GeII states at the Ge/GeO2 interface seems unavoidable with normal passivation methods like hydrogen treatment, which has poor electrical properties and is related to the reliability problem. On the other hand, ReRAM works by formation and rupture of O vacancy conducting filaments, while how this process happens in atomic scale remains unclear. In this thesis, density functional theory is applied to investigate the defect behaviours in oxides to address existing issues in these electronic devices. In chapter 3, the amorphous atomic structure of doped GeO2 and Ge/GeO2 interface networks are investigated to explain the improved MOSFET reliability observed in experiments. The reliability improvement has been attributed to the passivation of valence alternation pair (VAP) type O deficiency defects by doped rare earth metals. In chapter 4, the oxidation mechanism of GeO2 is investigated by transition state simulation of the intrinsic defect diffusion in the network. It is proposed that GeO2 is oxidized from the Ge substrate through lattice O interstitial diffusion, which is different from SiO2 which is oxidized by O2 molecule diffusion. This new mechanism fully explains the strange isotope tracer experimental results in the literature. In chapter 5, the Fermi level pinning effect is explored for metal semiconductor electrical contacts in Ge MOSFETs. It is found that germanides show much weaker Fermi level pinning than normal metal on top of Ge, which is well explained by the interfacial dangling bond states. These results are important to tune Schottky barrier heights (SBHs) for n-type contacts on Ge for use on Ge high mobility substrates in future CMOS devices. In chapter 6, we investigate the surface and subsurface O vacancy defects in three kinds of stable TiO2 surfaces. The low formation energy under O poor conditions and the +2 charge state being the most stable O vacancy are beneficial to the formation and rupture of conducting filament in ReRAM, which makes TiO2 a good candidate for ReRAM materials. In chapter 7, we investigate hydrogen behaviour in amorphous ZnO. It is found that hydrogen exists as hydrogen pairs trapped at oxygen vacancies and forms Zn-H bonds. This is different from that in c-ZnO, where H acts as shallow donors. The O vacancy/2H complex defect has got defect states in the lower gap region, which is proposed to be the origin of the negative bias light induced stress instability.

En raison de l'attrait croissant pour les applications haute tension, haute tempé-rature et haute fréquence, le carbure de silicium (SiC) continue d'attirer l'attention du monde entier comme l'un des candidats les plus compétitifs pour remplacer le sili-cium dans le champ électrique de puissance. Entre-temps, il est important de carac-tériser les défauts des semi-conducteurs et d'évaluer leur influence sur les dispositifs de puissance puisqu'ils sont directement liés à la durée de vie du véhicule porteur. De plus, la fiabilité, qui est également affectée par les défauts, devient une question incontournable dans le domaine de l'électricité de puissance.Les défauts, y compris les défauts ponctuels et les défauts prolongés, peuvent introduire des niveaux d'énergie supplémentaires dans la bande passante du SiC en raison de divers métaux comme le Ti, le Fe ou le réseau imparfait lui-même. En tant que méthode de caractérisation des défauts largement utilisée, la spectroscopie à transitoires en profondeur (DLTS) est supérieure pour déterminer l'énergie d'activa-tion Ea , la section efficace de capture Sigma et la concentration des défauts Nt ainsi que le profil des défauts dans la région d'épuisement grâce à ses divers modes de test et son analyse numérique avancée. La détermination de la hauteur de la barrière Schottky (HBS) prête à confusion depuis longtemps. Outre les mesures expérimentales selon les caractéristiques I-V ou C-V, différents modèles ont été proposés, de la distribution gaussienne du HBS au modèle de fluctuation potentielle. Il s'est avéré que ces modèles sont reliés à l'aide d'une hauteur de barrière à bande plate Phi_BF . Le tracé de Richardson basé sur Phi_BF ainsi que le modèle de fluctuation potentielle deviennent un outil puissant pour la caractérisation HBS. Les HBSs avec différents contacts métalliques ont été caractéri-sés, et les diodes à barrières multiples sont vérifiées par différents modèles. Les défauts des électrons dans le SiC ont été étudiés avec des diodes Schottky et PiN, tandis que les défauts des trous ont été étudiés dans des conditions d'injec-tion forte sur des diodes PiN. 9 niveaux d'électrons et 4 niveaux de trous sont com-munément trouvés dans SiC-4H. Une relation linéaire entre le Ea extrait et le log(sigma) indique l'existence de la température intrinsèque de chaque défaut. Cependant, au-cune différence évidente n'a été constatée en ce qui concerne l'inhomogénéité de la barrière à l'oxyde d'éther ou le métal de contact. De plus, les pièges à électrons près de la surface et les charges positives fixes dans la couche d'oxyde ont été étudiés sur des MOSFET de puissance SiC par polarisation de porte à haute température (HTGB) et dose ionisante totale (TID) provoquées par irradiation. Un modèle HTGB-assist-TID a été établi afin d'ex-plain l'effet de synergie. / Due to the increasing appeal to the high voltage, high temperature and high fre-quency applications, Silicon Carbide (SiC) is continuing attracting world’s attention as one of the most competitive candidate for replacing silicon in power electric field. Meanwhile, it is important to characterize the defects in semiconductors and to in-vestigate their influences on power devices since they are directly linked to the car-rier lifetime. Moreover, reliability that is also affected by defects becomes an una-voidable issue now in power electrics. Defects, including point defects and extended defects, can introduce additional energy levels in the bandgap of SiC due to various metallic impurities such as Ti, Fe or intrinsic defects (vacancies, interstitial…) of the cristalline lattice itself. As one of the widely used defect characterization method, Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) is superior in determining the activation energy Ea , capture cross section sigma and defect concentration Nt as well as the defect profile in the depletion region thanks to its diverse testing modes and advanced numerical analysis. Determination of Schottky Barrier Height (SBH) has been confusing for long time. Apart from experimental measurement according to I-V or C-V characteristics, various models from Gaussian distribution of SBH to potential fluctuation model have been put forward. Now it was found that these models are connected with the help of flat-band barrier height Phi_BF . The Richardson plot based on Phi_BF along with the potential fluctuation model becomes a powerful tool for SBH characterization. SBHs with different metal contacts were characterized, and the diodes with multi-barrier are verified by different models. Electron traps in SiC were studied in Schottky and PiN diodes, while hole traps were investigated under strong injection conditions in PiN diodes. 9 electron traps and 4 hole traps have been found in our samples of 4H-SiC. A linear relationship between the extracted Ea and log(sigma) indicates the existence of the intrinsic temper-ature of each defects. However, no obvious difference has been found related to ei-ther barrier inhomogeneity or contact metal. Furthermore, the electron traps near in-terface and fixed positive charges in the oxide layer were investigated on SiC power MOSFETs by High Temperature Gate Bias (HTGB) and Total Ionizing Dose (TID) caused by irradiation. An HTGB-assist-TID model was established in order to ex-plain the synergetic effect.