Orientador: Evandro Conforti / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-15T20:27:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bordonalli_AldarioChrestani_M.pdf: 6352756 bytes, checksum: b3681276b025582d2611ae4324b22ac7 (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Apresenta-se a implementação de um protótipo para a estabilização da freqUência de um laser semicondutor por variação do comprimento de sua cavidade externa, através de uma realimentação negativa em elementos piezoelétricos que deslocam o elemento reflexivo externo (grade de difração) da cavidade. Pôde-se comprovar a operação monomodo do laser em cavidade externa em 1300 nm através da utilização de um interferômetro de Fabry-Perot como espectrômetro. Estabilizou-se a freqUência da cavidade em um valor estimado de 8,2 MHz em torno da freqUência central (que corresponde a aproximadamente 2,3 THz), durante um tempo máximo de 3,5 minutos / Abstract: The design and measurements of a frequency stabilization system for ao external semiconductor laser has been done. The frequency control is obtained by changing its external cavity length using a feedback control that actuates in a piezoelectric element that moves the externa I reflexive element (diffraction grating). It was possible to confirm the monomode operation of a 1300 nm - external cavity laser by means of a Fabry-Perot interferometer used as a spectrometer. The cavity frequency was stabilizated in ao estimated value of 8.2 MHz around the central frequency (2.3 THz) / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-16T02:56:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moraes_WilmarBuenode_M.pdf: 1813100 bytes, checksum: 9363f4c9c781164885fb5eba49206d8c (MD5) Previous issue date: 1975 / Resumo: Neste trabalho apresentamos o projeto, a construção e a caracterização de um transistor de efeito de campo com estrutura MOS {metal-óxido-semicondutor}. Inicialmente é apresentada uma descrição dos diversos tipos de estrutura e dos processos viáveis, no momento, para a fabricação de TEC MOS. Adotando um modelo elétrico derivado de um modelo físico dos TEC MOS foram estabelecidos critérios para o dimensionam mento da estrutura de um transistor: a determinação de suas dimensões e características elétricas dos materiais envolvidos. Este modelo, por outro lado, nos permitiu relacionar à estrutura, os seguintes parâmetros elétricos mensuráveis: características elétricas intereletródicas, tensões de ruptura, tensão de transição, densidade de cargas na interface silicio-óxido, mobilidade das lacunas no canal, velocidade térmica das lacunas no canal, e resistências terminais da fonte e do dreno. Os transistores foram fabricados por meio da técnica planar em substratos de siliciocom orientações <111> e <100>, e resistividade com ordem de grandeza de 10 ohm cm; o óxido da porta foi crescido com oxigênio seco empregando-se passivação com fósforo para a diminuição de correntes de fuga. A porta foi protegida por meio de um diodo em paralelo com a mesma. Várias séries de transistores foram medidas obtendo-se como resultado que o processo de fabricação empregado foi satisfatório tanto quanto à qualidade como quanto à reprodutibilidade e que o modelo adotado é suficientemente preciso para ser usado no projeto e avaliação dos transistores de efeito de campo MOS com a estrutura utilizada / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T00:47:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CuervoDiaz_Pedro_M.pdf: 5224988 bytes, checksum: 4a15f053014d27f9153ac2102cd35a8a (MD5) Previous issue date: 1992 / Resumo: Este trabalho descreve um sensor de temperatura com saída compatível com microprocessadores em uma ampla faixa de temperaturas, sem necessidade de outro componente externo. Sua saída em frequência proporcional à temperatura, pode-se obter em dois níveis de corrente ou dois níveis de tensão, permitindo sua montagem em um encapsulamento com três terminais. No Capítulo1, com o objetivo de posicionar o trabalho no universo dos sensores. o circuito integrado projetado, são apresentados três estudos. O primeiro, um estudo comparativo a respeito dos sensores monolíticosde silício, sensores inteligentese sensores compatíveiscom microprocessadores, tentando concluir algumas definições a respeito dos mesmos. Um segundo estudo mais pontual a respeito dos sensores monolíticosde temperatura. obtendo uma classificação em três tipos, de um transistor, de tipo PTATe com referência intrínseca. E um terceiro estudo, que faz uma análise comparativa dos sensores de temperatura comerciais. No Capftulo 2 é feito um estudo do comportamento térmico dos componentes usados, que constituem a base teórica do projeto do circuito integrado apresentado neste trabalho. Também são estudados alguns efeitos que inluenciam de maneira considerável neste tipo de sensores, como o efeito Seebeck e de Dissipação de Potência na pastilha. No capítulo 3 é apresentado o projeto do circuito integrado, que é o sensor de temperatura com saída em frequência mencionado no início, partindo da descriçio do processo de fabricação usado,a descrição do: circuitosaté o layout do mesmo. No capítulo 4, são apresentados os resultados experimentais e as medições feitas sobre os protótipos, com o objetivo de caracterizar o funcionamento do sensor e validar algumas considerações teóricas feitas durante o projeto do mesmo. No fina lno Capítulo 5 são analisados os resultados obtidos, como também alguma aplicação e são propostas algumas idéias e trabalhos de interesse nesta área que surgem como consequência do presente trabalho / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Harish R. D. Sunak / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T07:27:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Zampronio_MarleteAparecida_M.pdf: 2387693 bytes, checksum: 3b16a6ed0cbce780c6ce3e45436884a9 (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Fizemos um estudo do acoplamento de luz de lasers semicondutores em fibras ópticas multimodo. O feixe de luz destas fontes tem uma grande divergência e, portanto, mostramos que o acoplamento direto da luz em típicos de extremidade plana é muito ineficiente. Um modelo teórico simples, baseado no perfil Gaussiano da distribuição angular do feixe do laser, no "campo-distante", prediz com bastante exatidão, a eficiência de acoplamento. Mostramos também que esta pode ser aumentada significativamente, quando a extremidade da fibra é transformada em (a) uma esfera e (b) afilamento-com-esfera. Fazendo os deslocamentos axial, lateral e angular, entre laser e fibra, com estas três diferentes extremidades, mostramos que o aumento da eficiência do acoplamento dos dois últimos tipos é acompanhada pela desvantagem na mais restrita tolerância nos alinhamentos. Os resultados desta tese serão úteis para (I) os desenhistas de conectores permanentes do acoplamento laser-fibra; (2) desenhistas de sistemas para predizer o espaçamento entre repetidores, em sistemas de comunicações por fibras ópticas / Abstract: We have carried out a study of coupling light from semiconductor lasers into multimode optical fibers. These light sources have a large divergence of the beam and hence we show that butt-coupling into typical plane-ended optical fibers is very inefficient. A simple theoretical model, based on the far-field Gaussian profile of the light beam, predicts the launching efficiency fairly accurately. We also demonstrate that this can be improved significantly when the fiber end is transformed into (a) a sphere and (b) taper-with-sphere. By carrying out axial, lateral and angular displacements between laser and fiber, with these three different fiber terminations we show that the increased launching efficiency, in the latter two types, is accompanied by the disadvantage of much tighter alignment tolerances. The results in this thesis will be useful to (1) those designing permanent laser-fiber launching modules (2) systems designers projecting repeater spacing, in fiber optical communication systems / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Roberto Luzzi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T12:59:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Vasconcellos_AureaRosas_D.pdf: 3907858 bytes, checksum: aed4770c08db6f453283abeb2f7c8c43 (MD5) Previous issue date: 1976 / Resumo: Neste trabalho, desenvolvemos um extensivo estudo de espalhamento inelástico de luz e de transporte em sistemas que, na literatura correspondente, são designados por plasmas de estado sólido, ou mais precisamente, no presente caso, plasmas em semicondutores. Estes sistemas representam um exemplo extremamente interessante de um líquido de Fermi. Nosso objetivo foi realizar este estudo em uma forma unificada, utilizando uma descrição em termos das quase-partículas de Landau. Consideramos o espalhamento inelástico da luz por este sistema. A secção de espalhamento é relacionada com a flutuação, induzida pelo potencial espalhador, no operador densidade de quase-partículas de Landal. Esta flutuação é obtida como solução de uma apropriada equação de transporte, deduzida usando o método do campo auto-consistente generalizado. A presença de um campo magnético uniforme e constante é considerada, e uma apropriada representação no espaço K é introduzida. A equação de transporte para a matriz densidade a uma quase-partícula de Landau, assim obtida, resulta corretamente invariante de calibre, e não está restrita ao limite de longos comprimentos de onda. O papel da interação de troca e de correlações coulombianas é discutido. Usando o esquema descrito, foram feitas várias aplicações ao estudo do espalhamento inelástico da luz por plasma e magneto-plasma em semicondutores dopados tipo n: i ) No caso de espalhamento quase-elástico é mostrado que, em condições de quase-equilíbrio térmico, desvios do perfil maxwelliano do espectro Raman dos elétrons quentes, podem ser explicados por efeitos de troca e correlação coulombiana. ii ) Analisamos o espalhamento inelástico da luz, por excitações em magneto-plasma, para o caso de geometria experimental arbitrária. É estudado em detalhe o caso de um plasma não degenerado em semicondutores de banda parabólica. A mistura, do modo híbrido de plasma e primeiro modo ciclotrônico com o primeiro modo de Bernstein é discutida, assim como a sua dependência com a direção de propagação. São analisadas também, modificações da intensidade da linha Raman dependentes do campo magrlético e devidas aos efeitos da interação elétron-elétron. iii ) Completando, estudamos o espalhamento inelástico da luz por processos com inversão na orientação do spin das quase-partículas individuais e por ondas de spin paramagnéticas ern magneto-plasmas em semicondutores. Discutimos também a dependência do coeficiente de difusão de spin com o campo magnético e com a temperatura efetiva do sistema eletrônico / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador : Vitor Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T19:08:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Thim_GilmarPatrocinio_M.pdf: 4162109 bytes, checksum: 3bedffc07f9f70622b2740100f4cb928 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Neste trabalho apresentamos uma técnica para a abertura de janelas no silício monocristalino tipo N com avaliação da profundidade de ataque em tempo real , baseado na reação fotoinduzida do silício com HFaq quando excitado por um laser de HeNe de 0,8 mW de potência atuando com o comprimento de onda de 6328 A. É apresentado também todo o modelamento matemático da cinética de ataque em termos de parâmetros físicos , entre eles o tempo de exposição, corrente total e a potência do laser / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Jorge Ivan Cisneros / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T20:45:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_JoseHumbertoDiasda_M.pdf: 2204822 bytes, checksum: 102e9d63f682a86ffe1ee82ef43d52a3 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Uma série de amostras das ligas amorfas silício-nitrogênio-hidrogênio foi preparada na forma de filmes finos pelo processo de "sputtering" RF reativo usando um alvo de silício intrínseco e uma mistura gasosa de N2, H2 e Argônio. A composição das amostras foi variada alterando-se a pressão parcial de nitrogênio, com os outros parâmetros mantidos constantes. Os espectros de transmissão das amostras, medidos nas faixas do ultravioleta visível e infravermelho incluem a borda de absorção e as bandas de absorção vibracionais das amostras e foram usados na determinação dos coeficientes de absorção, índice de refração e espessura dos filmes. O "gap óptico" variou com a pressão parcial de nitrogênio entre 1.90 e 5.30 eV e apresentou uma transição brusca numa estreita faixa de pressões. Por outro lado o decréscimo do índice de refração entre 2.8 e 1.8 foi suave. Isto indica uma existência de uma variação bastante ampla da composição, a qual foi confirmada pelas densidades de ligações estimadas a partir das bandas do infravermelho. Estas bandas indicam também a presença de elevadas concentrações de hidrogênio (entre 22 e 40 % atômico) e a existência de defeitos estruturais do tipo micro-superfícies internas / Abstract: A series of thin film samples of amorphous silicon-nitrogen alloys was prepared by the RF reactive sputtering technique using an intrinsic silicon target and a gas mixture of N2, H2, and Argon. The nitrogen partial pressure was varied in order to get different compositions. the other deposition parameter were kept constant. Optical transmission spectra in the UV, visible and IR regions were measured in other to determine the absorption coefficient, refractive index and thickness of the films. The optical gap varied from 1.90 to 5.30 eV with the nitrogen partial pressure. Na abrupt change in Eg was observed in a narrow pressure range. On the other hand, the static refractive index showed a smooth decrease from 2.8 to 1.8. These data, together with the density of chemical bonds estimated from the infrared bands, indicate that a lager variation of composition was obtained. The intensity and position of the Si-H and N-H stretching bands indicate that there is a high atomic concentration of hydrogen in the samples (between 22 and 40%). The existence of voids in the material is also analyzed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Jose Ellis Ripper Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T21:23:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Nunes_FredericoDias_M.pdf: 1344893 bytes, checksum: ca80787364a932c1ac2d146fa070387f (MD5) Previous issue date: 1974 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Marcio D'Olne Campos / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T22:31:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pudenzi_MarcioAlbertoAraujo_D.pdf: 1661660 bytes, checksum: c3af5651b6917be3bcceed6e06b78fa2 (MD5) Previous issue date: 1980 / Resumo: Neste trabalho estudamos as ondas guiadas em lasers de semicondutor. Na primeira parte realizamos o estudo experimental de lasers com faixa de contato Inclinada em relação aos seus espelhos. Na segunda parte, desenvolvemos um método matricial para estudarmos a propagação e reflexão de ondas guiadas em lasers / Abstract: In this work we studied the guided waves in semiconductor lasers. In the first part we carried on the experimental measurements on lasers with stripe nonorthogonal to the mirrors. In the second part we developed a matrix method for the study of propagation and reflection of guided waves in lasers / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientadores: Marco Antonio Fiori Scarparo, Carlos Henrique de Brito Cruz / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T21:42:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Portella_MarciaTereza_M.pdf: 2345427 bytes, checksum: 923e84aab02228356b3f613f56dfd5e9 (MD5) Previous issue date: 1984 / Resumo: Este trabalho teve como objetivo a construção e estudo de chaves elétricas ultra rápidas. Tais dispositivos construídos a partir de semicondutores de alta resistividade, realizam uma transformação direta da energia do pulso de luz ultra curto em sinais elétricos. Estes sinais tem tempos de subida e duração de picosegundos. Os parâmetros relevantes a construção como: geometria da linha de transmissão, contatos entre metal e semicondutor, cabos coaxiais, conexões entre cabos e linhas foram estudados. Grande atenção foi dispensada aos efeitos da potência média do laser incidente e de campos elétricos aplicados. Os materiais utilizados foram arsenieto de gálio e fosfeto de índio com diferentes distâncias entre os eletrodos. Pulsos elétricos com amplitude de 2,8 V e tempo de subida £ 50ps foram obtidos com chaves de InP a urna repetição 150 MHz / Abstract: In this work we have studied the construction of ultra-fast electrical switches activated by ultrashort laser pulses. Such devices, built based on high-resistivity semiconductors, transform the energy of ultra short light pulses in electrical signals. These signals have rise time and pulse width of the order of pico-seconds. Parameters concerning the construction as: transmission lines, metal ¿ semiconductor contacts, coaxial cables, cables and line connections have been studied. Effects of mean power of the incident laser beam and applied electrical fields have also been considered. The materials used were gallium-arsenide and indium phosphide with different distance between the electrodes. Electrical pulses with amplitudes of 2,8 V and rise times £ 50ps were obtained with switches of InP at a repetition rate of 150 MHz / Mestrado / Física / Mestre em Física