Orientador: Maria J. S. P. Brasil / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-20T17:31:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Marquezini_MariaValeria_D.pdf: 2594753 bytes, checksum: 8180d244fa4b858beb2c69cb8839eab6 (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Este trabalho foi centrado no estudo das propriedades ópticas de heteroestruturas quânticas com características especiais relativas às rugosidades das interfaces. Estas estruturas apresentam "ilhas", obtidas a partir de poços quânticos (QWs) de InAs/lnP e "fios quânticos" (QWWs), obtidos a partir de poços de InGaAsP/lnP. As técnicas experimentais utilizadas foram fotoluminescência (PL), fotoluminescência de excitação (PLE) , magneto-óptica (MO) e fotoluminescência resolvida no tempo (PLRT). Estudamos amostras de InAs/lnP combinando informação de PL, PLE, PLRT e MO. Investigamos a dinâmica de excitons nas ilhas de InAs com uma análise via equações de taxa. Mostramos evidências de i) localização de excitons a baixas temperaturas devido a flutuações locais de potencial geradas por rugosidades das interfaces; ii) ativação térmica de excitons livres e iii) transferência parcial dos excitons livres para ilhas de maior espessura. Estudamos amostras de InGaAsP, cuja estrutura apresenta um poço quântico com espessura modulada, empregando as técnicas de PL e MO. O espectro de PL apresenta duas linhas de emissão, sendo a de maior energia atribuída a um estado estendido, tipo QW, e a de menor energia atribuída a um estado localizado na região mais espessa, tipo QWW. O confinamento lateral na região mais espessa foi investigado analisando a anisotropia dos desvios diamagnéticos apresentados pelas diferentes bandas de PL. Estes estudos mostram fortes evidências de confinamento lateral do estado fundamental da estrutura / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Vitor Baranauskas / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T21:52:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rodolpho_AugustoCesar_M.pdf: 3483998 bytes, checksum: c618e7addaa7e71c129db369fed698ce (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Este trabalho foi dedicado ao estudo e simulação do processo de LPCVD-Deposição Químka à partir da Fase Vapor sob Baixa Pressão. A deposição de silício por decomposição pirolítka de silana foi tomada como reação básica devido à sua importância e simplicidade, sem contudo perder-se a generalidade do tratamento adotado. Inkialmente é apresentado o processo de CVD à pressão atmosférica, como entendido pela teoria da camada limite. A seguir é discutido o processo de LPCVD. A textura do filme depositado e os micromecanismos de reação são analisados, o que leva à uma equação para a taxa de reação. Através de equações apropriadas são identificados os fatores principais que influenciam a uniformidade axial (de lâmina para lâmina) e radial (em uma lâmina) do filme depositado. Assumindo as restrições: (i) não há gradiente radial de temperatura, (ii) o crescimento é limitado por cinética de superfície e (iii) o transporte é realizado por fluxo laminar na região entre as paredes do reator e as lâminas e por difusão gasosa na região entre-lâminas, é sugerido um modelo para simulação de LPCVD, que considera: (a) a região vazia de entrada, (b) a expansão molar do gás e (c) a depleção de reagentes ao longo da direção principal do fluxo. O modelo desenvolvido apresentou resultados satisfatórios, tempo de computação bastante reduzido e um tratamento matemático mais simples que aqueles encontrados na literatura, modelos estes que utilizaram as mesmas restrições e considerações (i}-(iii) e (a)-(c). Finalmente as tendências em CVD são apresentadas e discutidas. Tendências estas que apontam para sistemas do tipo lâmina única, de paredes frias, com monitoração in situ e intenso controle computadorizado / Abstract: This work deals with the study and simulation of LPCVD-Low Pressure Chemical Vapour Deposition- a basic process for thin film deposition. The reaction of silicon deposition by silane pyrolisis is adopted for its simplicity and importance without sacrifieing the quality of treatment. To begin with, we present the atmospheric presure CVD technique in the light of the boudary layer theory. Later we discuss the LPCVD process. The texture of the film deposited and the micromechanisms of the said reaction are analysed, as a function of the inputs. Using the derived equations, we identify the main factors that influence the axial homogeneity (wafer to wafer) as well as the radial homogeneity (within the wafer) df the deposited filmo Assuming the restrictions: i) there is no radtial temperature gradient, ii) the growth is limited by surface kinetics, and iii) transport is due to a laminar flow in the annular region and gaseous diffusion in the space intra-wafers, an interesting model is sugested to the simulation of the batch type, hot wall, LPCVD reactor, taking into account: (a) the empty inlet tube, (b) the molar expansion of the gas, and (c) the depletion of reactants along the main flow direction. The developed method of simulation provides satislactory results with reduced computer processing time and a rather simpler mathematical evaluation when compared with proposed models in literature, using the same restrictions and conditions. Finally, the future trends in CVD processing are in brief presented. They point to single wafer, cold wall, photo- and plasma assisted systems with in situ measurements and intense computerized control / Mestrado

Orientadores: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva, Carlos Tejedor / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Waghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T22:25:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Schulz_PeterAlexanderBleinroth_D.pdf: 4276094 bytes, checksum: 4550b3b3d412ec8c9f02528249c77550 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Nesse trabalho estudamos vários aspectos do fenomeno de tunelamento eletrônico em heteroestruturas de semicondutores. Discutimos e aplicamos diferente métodos de cálculo de probabilidades de transmissão e correntes de tunelamento. Ênfase especial é dada ao problema de tunelamento ressonante através de poços quânticos de semicondutores. Efeitos de desordem e campo magnético sobre a corrente de tunelamento também são analisadas / Abstract: In this work we study many aspects of electronic tunneling through semiconductor heterostructures. We discuss and apply diferent methods to calculate transmission probabilities and tunneling currents. Special atention is payed to the resonant tunneling through quantum wells problem. Disorder effects and the influence of magnetic fields on tunneling currents are also analysed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Fernando Alvarez / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T22:24:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sartori_ClaudioSergio_M.pdf: 1706608 bytes, checksum: 862c0b1ebcc458e145dc71c310511c5f (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Os materiais amorfos são bem conhecidos desde ha muito tempo, tendo como melhor exemplo o vidro. Somente recentemente o estudo de suas propriedades e suas aplicações na microeletrônica vem crescido dramaticamente. Isto é conseqüência do sucesso obtido por Spear e LeComber(1) no controle das propriedades elétricas do silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) pela incorporação de átomos de fósforo e boro tetraedricamente ligados. Este sucesso encorajou as pesquisas em outros semicondutores amorfos, tais como o carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H). Algumas de suas propriedades, como seu "gap" de energia variável, a possibilidade de dopagem e sua resistência mecânica fazem dele um material promissor para uma variedade de aplicações. Uma das possíveis aplicações são os diodos emissores de luz (LED) por injeção de portadores. A relativa baixa luminosidade desses dispositivos permanece não resolvida e as atenções estão voltadas à compreensão das causas dos processos radiativos (e não radiativos) da recombinação de portadores. Experimentos de fotoluminescência em semicondutores cristalinos e amorfos tem demonstrado ser um boa técnica para elucidar a origem dos fenômenos radiativos. Neste trabalho, nós aplicamos esta técnica para o estudo do a-Si1-xCx:H com "gaps" variando entre 2.0 a 2.8eV, aproximadamente. Também foram feitos estudos de suas propriedades vibracionais e uma correlação entre as ligações formadas no material e a eficiência de luminescência foi encontrada. Os resultados experimentais foram adaptados a modelos sobre a origem dos centros de luminescência e as conclusões sobre isso foram discutidas. Os resultados de outros pesquisadores foram confirmados e foi encontrado um aumento linear da energia do pico e largura da banda de emissão em função do "gap" ótico. As variações do coeficiente de absorção em função dos átomos de carbono incorporados na rede também são discutidas / Abstract: The amorphous materials are well known since long time ago and perhaps, the glasses are the best examples. Only recently, however, the study or their properties as well as their applications to microelectronics have been dramatically increased. This is mainly a consequence or the success obtained by Spear and LeComber(1) in controlling the electric properties or hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) by the incorporation or boron and phosphorous atoms tethrahedrally bonded. This success encouraged the research in other amorphous semiconductors. Among then, hydrogenated amorphous silicon carbide (a-Si1-xCx:H) is an interesting material. Its unique properties, such as tunable band gap, doping sensitivity and mechanical hardness makes this material promissory for a variety or applications. One or the possible applications are the light emission injection diodes. However, the relative low brightness of these devices remains unresolved and attempts are currently oriented to understand the radiative (and non-radiative) causes of the carriers recombination. In the past, photoluminescence experiments in crystalline and amorphous semiconductors demonstrated to be a good tool to elucidate the origin or the radiative phenomena. In this work we applied this technique to the study of a-Si1-xCx:H having gaps running approximately from 2.0eV to 2.8eV. Also complementary studies of the material vibrational properties were performed and a correlation between the material structure and luminescence efficiency was found. The experimental results were tested against. the current models and conclusions about the origin of the luminescence band width discussed. We confirm the results of other researchers and a linear increasing of both. emission peak position and band width as a function of the band gap was found. Also, the influence of the carbon atoms inclusions into the network is discussed in relation with the variation of the absorption coefficient and luminescence efficiency / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T22:18:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rocha_Stenio_M.pdf: 3455386 bytes, checksum: e9dc12ae585a11959c8cd82362cade27 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Foram medidos a resistividade e o coeficiente de Hall de camadas epitaxiais de n-In0.53Ga0.47As crescidas sobre substratos semi-isolantes de Inp:Fe por L.P.E (epitaxia da fase líquida) na faixa de temperatura de 4,2-300K. a mobilidade, experimentalmente determinada, isto é, a mobilidade de Hall (mH), não pode ser medida sem a aplicação de campos magnéticos, ao passo que a mobilidade calculada é a mobilidade efetiva (m). Para relacionar mH com m , usa-se o fator de Hall rH = mH/m que é uma função dos diversos mecanismos de espalhamento e que limitam o valor da mobilidade dos portadores de carga do material. Neste trabalho, desenvolvemos um método numérico para processar os dados experimentais e procuramos utilizar expressões conhecidas da literatura afim de obtermos as características elétricas das amostras. Apresentamos, então, os resultados dos cálculos teóricos da mobilidade de Hall, fator de Hall e densidade de portadores do InGaAs. Calculamos a mobilidade a partir da combinação dos mecanismos de espalhamento, a saber: espalhamento por fonons ópticos (PO), por impurezas ionizadas (II) e por desordem no potencial da rede (AS) / Abstract: The resistivity and Hall coefficient of n-In0.53Ga0.47As epitaxial films grown on InP:Fe semi-isolating temperatures in the range 4.2-300 K. The Hall mobility mH experimentally determined cannot be measured without the application of magnetic fields, while the calculated mobility is usually the effective or drift mobility (m). To correlate mH with m , one use the Hall factor rH = mH/m which is function of several scattering mechanisms which limit the value of mobility of the charge carriers in the materials. In this work, we developed a numeric method to deal which the experimental data and looked for make use of known expression from literature toward get electrical characteristics of the sample. So, we present results of theoretical calculations of Hall mobility, Hall factor and carrier density InGaAs. We calculated the mobility determined by combination of polar-optic phonon (PO), ionized impurities (II) and alloy (AS) scattering mechanisms / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientadores: Navin B. Patel, Antonio Celso Fonseca de Arruda / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia / Made available in DSpace on 2018-07-15T13:04:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 MecchiNeto_Francisco_M.pdf: 2289084 bytes, checksum: 1f45507710aa3adc5cb8e9f4668e71a0 (MD5) Previous issue date: 1989 / Mestrado

Orientador: Theresinha de Jesus Serra de Mattos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T12:57:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rosa_CelsoPereiraTome_M.pdf: 2328432 bytes, checksum: 97fbc771e54df632562fe63d9c6ca50f (MD5) Previous issue date: 1985 / Resumo: Neste trabalho, estudamos o comportamento dos lasers semicondutores de InGaAsP-DH e GaAlAs-QW, quando submetidos a aplicação de pressão uniaxial. Na primeira parte, fazemos uma correlação entre os dados experimentais, obtidos para a variação da corrente limiar com aumento da pressão uniaxial dos lasers de InGaAsP, e a teoria desenvolvida por Patel e outros para os lasers de GaAs. Previa-se, teoricamente, um aumento da corrente limiar com a pressão, o que foi observado para 80% dos lasers testados; para os 20% restantes observamos uma redução da corrente limiar. Acreditamos que tal redução possa ser explicada supondo-se a presença do mecanismo de recombinação não radiativo (efeito Auger) nestes lasers. Acreditamos também, que anão homogeneidade observada nos resultados é devida a um desajustamento nos parâmetros de rede das camadas. Na segunda parte, fazemos um estudo sobre o guiamento da luz em laser de poço quântico de GaAlAs, analisando-se o guia de ondas nas direções transversal e paralela a camada ativa. Observamos experimentalmente um atraso na emissão estimulada. Este atraso é função da corrente de injeção e pode ser explicado supondo-se a existência de um guia de ondas induzido pelo efeito da temperatura. Uma comparação entre os resultados experimentais e teóricos para o laser de SCH-QW de GaAlAs de espessura da camada ativa de 200Þ apresenta boa concordância. Além do estudo da evolução do ganho com o tempo, observamos experimentalmente que a aplicação de pressão uniaxial causa um aumento no atraso da emissão estimulada. Este aumento no atraso é devido a uma redução do ganho modal. Uma relação empírica que mostra a evolução do ganho modal com a pressão uniaxial é proposta / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Milton Abramovich / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T14:02:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sanjurjo_NeusaLopes_M.pdf: 2771659 bytes, checksum: f58c74d38d6c95d5afd218b978c89a15 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Neste trabalho foi feita uma célula mica com semicondutores tipo n de SrTiO3 e os resultados foram interpretados. Os cristais de SrTiO3 foram dopados em atmosfera de Hidrogênio com tempo e temperatura controlados. Obtivemos para as 4 diferentes dopagens as seguintes curvas: corrente versus tensão, resposta espectral e eficiência versus comprimento de onda. Os resultados obtidos usando o modelo de barreira Schottky estão de acordo com rimentais. Algumas sugestões são apresentadas para outros estudos / Abstract: In this work a photoelectrochemical cell has been done using n - SrTiO3 semiconductors and the results were interpreted. The SrTiO3 crystals were dopped in Hydrogen atmosphere with the control of time and temperature. For 4 different doping conditions we obtained thefollowing curves: current versus voltage, spectral response and efficiency versus wavelenght. The results obtained using the Schottky barrier model are in a good agreement with the experimental data. Some suggestions for other studies are presented. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Alvaro Geraldo Badan Palhares / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-15T17:17:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Pomilio_JoseAntenor_M.pdf: 9468816 bytes, checksum: 273f16c4bb5d49cf4076c3209344ed44 (MD5) Previous issue date: 1986 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Marco-Aurelio De Paoli / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-15T21:04:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Neves_Silmaradas_M.pdf: 10122773 bytes, checksum: eba6403cbaa1d98125a621bae53b7993 (MD5) Previous issue date: 1992 / Mestrado