Texte remanié de: Diss.--München--Ludwig-Maximilians-Universität, 1999. / Bibliogr. p. 233-243.

Diplomarbeit--Psychologie--Universität Berlin, 2004. / Bibliogr. p. 120-125.

Thèse--Sciences de léducation--Université de Nantes. / Bibliogr. p. 297-299. Glossaire. Index.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Sociologie : Lyon 2 : 2002. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Psychologie sociale : Lyon 2 : 2006. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr.

Thèse de doctorat : Sciences de l'Education : Strasbourg 1 : 2006. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. 7 p.

Reproduction de : Thèse d'exercice : Médecine. Médecine générale : Nantes : 2009. / Bibliogr.

Reproduction de : Thèse de doctorat : Sciences de l'information et de la communication : Paris 8 : 2008. Reproduction de : Thèse de doctorat : Ciencias sociales : Université de Buenos Aires : 2008. / Thèse soutenue en co-tutelle. Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 353-374.

Continuous downscaling of transistor size has been the major trend of the semiconductor industry for the past half century. In recent years, however, fundamental physical limits to continued downscaling were encountered. In order to overcome these limits, the industry experimented --- and continues to experiment --- with many new materials and architectures. Non-invasive, in-line methods of characterizing critical properties of these structures are in demand. This dissertation develops optical second-harmonic generation (SHG) to characterize performance-limiting defects, band alignment or strain distribution in four advanced electronic material systems of current interest: (1) Hot carrier injection (HCI) is a key determinant of the reliability of ultrathin silicon-on-insulator (SOI) devices. We show that time-dependent electrostatic-field-induced SHG probes HCI from SOI films into both native and buried oxides without device fabrication. (2) Band offsets between advanced high-k gate dielectrics and their substrates govern performance-limiting leakage currents, and elucidate interfacial bond structure. We evaluate band offsets of as-deposited and annealed Al₂O₃, HfO₂ and BeO films with Si using internal photoemission techniques. (3) Epi-GaAs films grown on Si combine the high carrier mobility and superior optical properties of III-V semiconductors with the established Si platform, but are susceptible to formation of anti-phase boundary (APB) defects. We show that SHG in reflection from APB-laden epi-films is dramatically weaker than from control layers without APBs. Moreover, scanning SHG images of APB-rich layers reveal microstructure lacking in APB-free layers. These findings are attributed to the reversal in sign of the second-order nonlinear optical susceptibility [chi]⁽²⁾ between neighboring anti-phase domains, and demonstrate that SHG characterizes APBs sensitively, selectively and non-invasively. (4) 3D integration --- i.e. connecting vertically stacked chips with metal through-Si-vias (TSVs) --- is an important new approach for improving performance at the inter-chip level, but thermal stress of the TSVs on surrounding Si can compromise reliability. We present scanning SHG images for different polarization combinations and azimuthal orientations that reveal the sensitivity of SHG to strain fields surrounding TSVs. Taken together, these results demonstrate that SHG can identify performance-limiting defects and important material properties quickly and non-invasively for advanced MOSFET device applications. / text

Les nouvelles technologies de l'information et de la communication #NTIC# sont devenues l'un des piliers de la société contemporaine. Des compétences nouvelles sont devenues nécessaires afin que les élèves puissent se déplacer aisément d’un contexte virtuel à l’autre. Préparer les jeunes à affronter les défis de la société du savoir au XXIe siècle implique, de la part de tous adultes responsables, une considération objective du potentiel des usages de ces outils dans différents cadres sociétaux. Ainsi, la présente étude porte sur l’impact des littératies technologiques sur l’estime de soi chez deux adolescents franco-ontariens. Les changements apportés par l’avènement des NTIC à la façon dont les jeunes consomment et produisent des textes #au sens large# ont déclenché des transformations au niveau de l’enseignement et de l’apprentissage #Williams, 2008#. Celles-ci ont entraîné un déplacement paradigmatique dans le concept de littératie, reflété dans les nouvelles perspectives théoriques générées par les experts en littératie : les études sur les nouvelles littératies #ÉNL# #Barton, Hamilton et Ivanič, 2002; Gee, 1990; Kim, 2003; Street, 1984, 2003 cités par Masny, Maltais, Vézina et Dionne, 2007#, les multi-littératies #Cope et Kalantzis, 2000; Kress, 2000 cités par Mills, 2010#, et la théorie des littératies multiples #TLM# de Masny #2005#. Par la présente étude de cas multiples, je vise à analyser comment deux adolescents immigrants franco-ontariens s’investissent dans les littératies technologiques et quel est l’effet de cet investissement sur leur estime de soi. Le cadre conceptuel sur lequel cette recherche est fondée est la théorie des littératies multiples de Masny #2005# et le modèle d’autoévaluation de l’estime de soi de Harter #1990# qui complète, à mes yeux, celui de Masny #2005#. Selon les résultats de cette étude, les deux adolescents semblent s’investir dans les littératies technologiques à des fins d’apprentissage, de communication, de divertissement et d’exploration identitaire. Bien que chaque participant pratique une lecture différente des NTIC, chez les deux adolescents, l’investissement dans les littératies technologiques transforme leur lecture du mot, du monde et du soi par le biais du rapport qui s’établit entre leurs apprentissages et leur construction identitaire. En conformité avec les constats de l’étude de Harter #1990#, cette lecture rehausse leur estime de soi dans la mesure où le domaine spécifique d’autoévaluation #succès scolaire, acceptation sociale, apparence physique, etc.# est valorisé par l’adolescent.