Orientadores: Vitor Baranauskas, Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-20T11:56:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Chang_DahgeChiadin_M.pdf: 6030293 bytes, checksum: 5ec0e1b1c28ec83130ec230e8ef7412a (MD5) Previous issue date: 1995 / Resumo: Após se descobrir que o silício pode emitir luz visível em uma condição bem particular, ou seja, através de uma excitação no estado poroso, foram feitos estudos sobre o fenômeno e se verificou que há uma relação da porosidade do silício com o comprimento de onda emitido. Esta propriedade de luminescência abre uma vasta gama de aplicações uma vez que o silício é um material muito conhecido e disponível. Este trabalho tem como propósito a uma melhor compreensão das propriedades estruturais deste material e fazer uma relação entre os tipos de materiais obtidos com o processo de fabricação. Para o estudo foi utilizado o microscópio de força atômica (MFA), um equipamento específico para a análise de superficies, e a obtenção do silício poroso (PS) pelo processo eletroquímico. Estudou-se amostras obtidas para várias condições de processo e obtido o perfil do material pelas análises do MFA, permitindo com os resultados obtidos auxiliar em obter PS com características superficiais específicas / Abstract: After the discovery that silicon could emit visible light in porous state, many studies have been done to identify the relationship between the porosity of the silicon and the emitted light wavelenghí. The luminescente property makes possible wide range of potencial aplications. In this study propous the surface structural property of porous silicon is measured and related to the fabrication processo the samples were prepared by the eletrochemical dilution process and studied by the Atomic Force Microscopeo / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Mauricio Prates de Campos Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T10:39:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Carvalho_JoseWilsonCamilher_M.pdf: 3560560 bytes, checksum: b860a2a8907c06edd56e548f08fa2da5 (MD5) Previous issue date: 1980 / Resumo: Este trabalho apresenta a pesquisa sobre os processos de obtenção e purificação de Triclorosilano (SiHCL3) utilizando-se como matéria prima Silício Metalúrgico nacional. O Triclorosilano se constitui na matéria prima fundamental para a obtenção de Silício de Grau Eletrônico ¿Observação: O resumo, na íntegra poderá ser visualizado no texto completo da tese digital. / Abstract: In the present work a research regarding the processes of preparation and purification of Triclorosilane (SiHCL3) using national metallurgical silicon as raw material is described. The Triclorosilane is the main raw material in the preparation of the Eletronic Grade Silicon ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations. / Mestrado / Mestre em Ciências

Orientador: Inez Valeria Pagotto Yoshida / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-19T22:48:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gozzi_MauricioFernando_M.pdf: 2169831 bytes, checksum: 5dc8cb664bc1c946e61e9f4e78f8acac (MD5) Previous issue date: 1995 / Mestrado

Orientador: Ettore Bresciane Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:55:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Aguiar_Aloysiode_M.pdf: 3427772 bytes, checksum: 8a3a851a6c7bb3f3699ed99c6776ab2e (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: No presente trabalho foi estudada a influência do teor de silício na corrosão das ligas alumínio-silícíc em soluções de NaCl 3,01. As ligas, com concentrações de silício dc 4,8%, 11,3% e 22,0%, foram obtidas com alumínio e silício com graus de pureza 99, 75% e 99,52%, respectivamente, em condições controladas de solidificação. A resistência â corrosão em NaCl 3,0% foi analisada através de curvas de polarização anódicas e catódicas e de ensaios de imersão total em soluções estagnadas. A morfologia do ataque foi caracterizada através de microscopia eletrônica de varredura, microssonda e microscopia óptica na secção transversal. A partir dos resultados experimentais foi proposto um mecanismo da ação do silício na corrosão localizada das ligas alumínio-silício / Abstract: The influence of the silicon grade in the corrosion resistance of the aluminum-silicon alloys has been investigated in a aqueous solution of sodium chloride 3,0%. Alloys, with silicon grades of 4,8%, 11,3% and 22,0% has been obtained with aluminum 99,75% and silicon 99,52% pure in controled conditions of solidification. The corrosion resistance in sodium cloride 3,0% has been evaluated by anodic and cathodic polarization curves and total immersion tests in stagnated solutions. The morphology of the attack has been evaluated by scanning eletronic microscope, microprobe and optic microscope in the transvertial section. Finally, from the experimental results, a mechanism of the silicon action in the localized corrosion of the aluminum-silicon alloys was proposed / Mestrado / Mestre em Engenharia Química

Orientador: Maristella Fracastoro Decker / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T01:37:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Fagotto_EricAlbertodeMello_M.pdf: 2224730 bytes, checksum: e295f1fdd853fe536b5319ec54ccf2c2 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Nesta tese apresentamos os resultados da aplicação da técnica eletroacústica a uma célula solar de silício cristalino tipo p/n+, com o objetivo de estudar as perdas de energia que nela ocorrem. A técnica consiste na detecção do sinal acústico da amostra, em conseqüência da aplicação de um potencial modulado. O sinal foi detectado em módulo e fase, tanto em função da amplitude como da freqüência de modulação do potencial aplicado à célula. Os resultados foram analisados com base em um modelo vetorial que leva em conta as diferentes localizações espaciais das fontes de calor na amostra, e usando uma generalização do modelo de Rosencwaig e Gersho. A partir da comparação dos dados experimentais com as curvas obtidas a partir do modelo, é possível obter informações sobre o comprimento de difusão dos portadores minoritários na amostra e fazer um perfil térmico espacial das diferentes fontes de dissipação de energia, pois elas podem ser analisadas separadamente em condições experimentais adequadas. Esta técnica pode ser aplicada a outros dispositivos semicondutores, cujo funcionamento pode ou não depender da absorção da luz / Abstract: In this thesis we present the results of the application of the electroacoustic technique to a p/n+ silicon solar cell, with the aim of studying energy losses occurring in it. The technique consists of detecting the acoustic signal arising from the sample submitted to a modulated potential. The signal was detected in modulus and phase, both as a function of the amplitude and of the frequency of the potential applied to the cell. The results were analyzed using a vector model which lakes into account the different spatial locations of the thermal sources in the cell, and using a generalization of the Rosencwaig and Gersho model. From the comparison of the experimental data with the curves calculated from the model, it is possible to obtain information about the diffusion length of the minority carriers in the cell and to perform a thermal depth profiling of the different thermal sources, since they can be analyzed separately under appropriate experimental conditions. This technique is expected to give similar information on other semiconductor devices. Whose operation may or may not depend on the absorption of light / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador : Mauricio Prates de Campos Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T23:15:01Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Gregolin_JoseAngeloRodrigues_M.pdf: 4032635 bytes, checksum: 0942f707bb43067e2447e97b093ae575 (MD5) Previous issue date: 1979 / Resumo: Este trabalho apresenta a pesquisa realizada durante 1977 a 1979, do processo de deposição de Silício policristalino a partir de Triclorosilano e Hidrogênio. Este processo se constitui numa das etapas fundamentais da moderna tecnologia de produção do Silício com pureza de grau eletrônico. A análise experimental do processo envolveu o projeto e construção dos equipamentos para permitir a deposição de Si e simultaneamente investigar a influência de diversos parâmetros, como a temperatura e composição dos gases sobre o processo de deposição. Pode-se salientar os seguintes componentes do sistema experimental utilizado...Observação: O resumo, na integra, podera ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: The present report covers work carried out from 1977 to 1979 on the deposition of policrystalline Silicon by reduction of Trichlorosilane (SiHC13). This process represents one of the fundamentals steps in modern Silicon technology towards producing electronic grade, i.e. high purity Silicon. Experimental equipment was designed and constructed to deposit Si from SiHCl3 and simultaneously to analyse the influence upon deposition of such parameters as temperature and gas composition. Among the components of the equipment one can distinguish between ...Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Mecânica

Dissertação apresentada para obtenção do grau de Doutor em Engenharia Química, na Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto, sob a orientação do Prof. Doutor José Luís C. C. Figueiredo

Neste trabalho apresentamos os resultados da deposição e caracterização de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) à baixas temperaturas (320oC). O objetivo deste trabalho é obter filmes de ligas amorfas de silício, oxigênio e nitrogênio com composição química ajustável de forma contínua desde à do SiO2 até a do Si3N4 visando sua aplicação em dispositivos ópticos e eletrônicos. Os filmes foram crescidos a partir de duas misturas gasosas (silano, óxido nitroso e nitrogênio) e (silano, óxido nitroso e amônia) e a relação entre os fluxos dos gases foi variada de forma a obter as composições químicas desejadas na fase sólida. Foi procurado também obter filmes com alta e baixa taxa de deposição, para as diferentes aplicações. Os filmes foram caracterizados através da técnica de espectroscopia por retroespalhamento Rutherford (RBS) para a obtenção da composição química, espectroscopia de absorção no infravermelho (FTIR) para a determinação das ligações químicas, elipsometria para a determinação de propriedades ópticas como índice de refração e a técnica de X-ray Absorption Near Edge Structure (XANES) para o estudo de estrutura de ordem local e média em torno de uma determinada espécie atômica. Os resultados demonstraram que com as duas misturas gasosas é possível variar a composição dos filmes de forma contínua permitindo assim um controle preciso das concentrações atômicas e, portanto, um bom controle do índice de refração. Os filmes não apresentaram incorporação significativa de ligações Si-H, tornando-os bons candidatos para as aplicações em dispositivos optoeletrônicos. A incorporação de nitrogênio foi mais eficiente para as amostras crescidas com NH3 em comparação às crescidas com N2. As amostras de baixa taxa de deposição apresentaram densidades semelhantes, podendo ser utilizada qualquer uma das misturas gasosas na produção dos filmes. Para a obtenção de filmes espessos, as amostras crescidas com nitrogênio apresentaram melhores características quanto a densidade em comparação às crescidas com amônia. / In this work, we present results on the deposition and characterization of silicon oxynitride films (SiOxNy) deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at low temperatures (320ºC). Our goal is to obtain silicon, oxygen and nitrogen amorphous alloys with tunable chemical composition from silicon dioxide to stoichiometric silicon nitride, for optical and electronic applications. The films were grown from two different gaseous mixtures: (silane, nitrous oxide and nitrogen) and (silane, nitrous oxide and ammonia). The flow ratio among these precursor gases was varied in order to obtain the desired chemical composition in the solid phase. We also sought to obtain films with high and low deposition rate, for the different applications. The films were characterized by Rutherfor Backscatering spectroscopy (RBS) to obtain the chemical composition, by Fourier Transform Infrared (FTIR) to determine and chemical bonds, by elipsometry to determine the optical properties such as refractive index and by the X-ray Absorption Near Edge Structure (XANES) to study the local and medium order structure. The results demonstrated that with the two gaseous mixtures is possible to obtain films with chemical composition varying in a continuous way, thus allowing a precise control of the atomic concentration and, therefore, of the refractive index. The films do not show significant incorporation of Si-H bonds, making then good candidates for optoelectronic devices applications. The nitrogen incorporation was more efficient in samples grown with NH3 in comparison with those grown with N2. The low deposition rate samples presented similar density, so anyone of these gaseous mixtures can be utilized for film production. To obtain thick films nitrogen precursor mixtures lead to better material properties than ammonia mixtures.

Tese de Doutoramento. Ciências de Engenharia. Faculdade de Engenharia. Universidade do Porto. 2005

Submitted by MARCOS LEANDRO TEIXEIRA DE OLIVEIRA (marcosteixeira@ufv.br) on 2018-09-17T13:03:09Z No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 1169858 bytes, checksum: 585fc32858e74e3fe8702205ad9392a8 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-09-17T13:03:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 texto completo.pdf: 1169858 bytes, checksum: 585fc32858e74e3fe8702205ad9392a8 (MD5) Previous issue date: 2016-02-23 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico / A interrelação entre a produtividade de diatomáceas e sua demanda por silicato tem sido frequentemente foco de pesquisas. O cultivo em larga escala com finalidade econômica é o principal foco dos estudos. O alto preço dos cultivos, principalmente em função da demanda de silicato nos meios, é um entrave para o uso de diatomáceas em escalas comerciais. A utilização de fontes alternativas, ricas em silicato como suplementação de meios pode ser uma alternativa para redução de custos. O gênero Nitzschia representa um grupo dulcícola dessas algas com grande potencial de produção de lipídeos e elevada demanda de silício para seu cultivo. Assim, foram cultivadas duas cepas da diatomácea Nitzschia palea (BR006 e BR022), fornecendo diferentes dosagens de silicato a partir das fontes alternativas casca de arroz carbonizada e agregado siderúrgico. Os experimentos demonstraram que ambas as fontes alternativas são capazes de fornecer silicato aos cultivos, promovendo incremento de produtividade em relação ao meio controle de acordo com a dosagem de silicato fornecida. Os maiores valores de biomassa foram obtidos nos tratamentos com casca de arroz carbonizada. Os cultivos com agregado siderúrugico, apesar de não ser observado aumento no acúmulo de biomassa, apresentaram elevados percentuais de lipídeos. O acúmulo de compostos variou bastante entre as fontes e dosagens de silicato aplicadas, indicando impacto das fonte alternativa e diferentes dosagens de silicato. . Os resultados obtidos indicam a suplementação de silício utilizando as duas fontes testadas pode ser utilizada para o cultivo de Nitzschia palea. Adicionalmente verificou-se que a utilização dessa fonte de silício pode ser utilizada para modular o acúmulo de compostos de interesse nestes organismos. / Interrelationship between the diatomaceous silicate productivity and their demand has frequently been the focus of research. Large-scale cultivation with economic purpose is the main focus of the studies. The high price of crops, mainly due to the silicate in the media demand, is an obstacle to the use of diatoms in commercial scales. The use of alternative sources rich in silicate as media supplementation can be an alternative for cost reduction. The Nitzschia genre represents a freshwater group with high lipid production potential and high silicon demand for its cultivation. So two strains were grown diatom Nitzschia palea (BR006 and BR022), providing different silicate dosages from alternative sources carbonized rice husk and steel aggregate. The experiments demonstrated that both alternative sources are capable of providing silicate to crops by promoting increased productivity in relation to the control according to the provided silicate dosing. The highest biomass values were obtained in the treatments with carbonized rice husk. Crops with siderurgic aggregate, although not observed increase in biomass accumulation, showed high percentage of lipids. The accumulation of compounds varied widely between sources and silicate dosages applied, indicating the impact of alternative sources and different silicate dosages. . The results obtained indicate that supplementation silicon tested using both sources may be used for the cultivation of Nitzschia palea. Additionally it was found that the use of a silicon source can be used to modulate the accumulation of compounds of interest in these organisms.