• Refine Query
  • Source
  • Publication year
  • to
  • Language
  • 2
  • Tagged with
  • 2
  • 2
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • About
  • The Global ETD Search service is a free service for researchers to find electronic theses and dissertations. This service is provided by the Networked Digital Library of Theses and Dissertations.
    Our metadata is collected from universities around the world. If you manage a university/consortium/country archive and want to be added, details can be found on the NDLTD website.
1

Escória siderúrgica e calcário no cultivo de cana-de-açúcar em solo da Zona da Mata de Pernambuco / Steel slag and lime for sugarcane cultivation in Pernambuco

SOBRAL, Márcio Félix 08 February 2010 (has links)
Submitted by (lucia.rodrigues@ufrpe.br) on 2016-08-08T13:35:55Z No. of bitstreams: 1 Marcio Felix Sobral.pdf: 332271 bytes, checksum: f4e990500f2f96ca2348f020149fdc86 (MD5) / Made available in DSpace on 2016-08-08T13:35:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Marcio Felix Sobral.pdf: 332271 bytes, checksum: f4e990500f2f96ca2348f020149fdc86 (MD5) Previous issue date: 2010-02-08 / Conselho Nacional de Pesquisa e Desenvolvimento Científico e Tecnológico - CNPq / Several types of slag accumulate in industry and become an environmental problem. Its final disposal as fertilizer in agriculture is a practice that can supply plant nutrients and to correct soil acidity while minimizing the environmental impact. However, there is the need for evaluating the risks of slag addition contaminate soils with heavy metals. The work was carried out to study the effects of the final disposal of a steel slag compared to lime on the supply of silicon, macronutrients (Ca, Mg and P), micronutrients (Fe, Cu, Zn, Mn and Ni) and heavy metals (Cd and Pb) to sugarcane plants grown on an Ultisol. The steel slag and lime doses (0; 0.5; 1.0; 2.0, and 4.0 t ha-1) were applied to the sugarcane at the planting (cultivar RB92579). The results showed that the steel slag increased the concentrations of Ca, Mg, P, Si, Fe, Mn and Zn in soil and reduced the potential acidity. There was an increase in the foliar área and stems height as well as in the Zn concentration in the leaves. Lime promoted increase of pH, and decrease in the concentrations of Al and incrase in the Na concentrations. Nickel,Cd, and Pb were not detected neither in the soil nor in the plant. This indicates that the steel slag tested presented no soil contamination with these heavy metals. / O desenvolvimento da siderurgia no Brasil produz diversos tipos de escórias, as quais muitas vezes se acumulam nos pátios das industrias tornando-se um problema ambiental. Sua disposição final em campos agrícolas é uma prática que pode minimizar a acumulação destes resíduos e ao mesmo tempo fornecer nutrientes às plantas e corrigir a acidez dos solos. No entanto, há necessidade de avaliar quais riscos estes resíduos podem gerar ao ambiente. O presente trabalho teve como objetivo avaliar à disposição final da escória de aciaria de forno elétrico e o fornecimento de Si, nutrientes (Ca, Mg, P, Fe, Mn, Zn, Cu, Ni) e metais pesados (Cd e Pb) para cana-de-açúcar. O experimento foi realizado na Usina Santa Teresa, município de Goiana-PE, em um Argissolo Vermelho-Amarelo. Os tratamentos adotados foram doses de escória de aciaria e calcário dolomítico (0; 0,5; 1,0; 2,0 e 40 t ha-1), aplicados no sulco de plantio, no qual posteriormente, foi semeado a cana-de-açúcar (var. RB92579). Ao término doexperimento, foram realizadas as avaliações do solo, planta e parâmetros industriais. A escória bem como o calcário promoveram alterações nas propriedades químicas do solo e em algumas variáveis analisadas na planta. A escória aumentou significativamente (P 0,05) nos teores de Ca, Mg, P, Si, Fe, Mn e Zn, no solo, bem como reduziu a acidez potencial. Quanto às características industriais aumentou a área foliar e altura dos colmos, bem como, o teor de Zn nas folhas. O Calcário proporcionou aumento do pH, reduziu o teor de Al e aumentou o teor de Na no solo. Houve ainda acréscimo nos teores de Ca, Mg, Cu, Zn e redução da acidez potencial. Proporcionou também um teor significativo de Cu nas folhas de cana-de-açúcar. Não foi detectado nas análises de folhas de cana-de-açúcar e do solo a presença de Ni, Cd ou Pb, indicando que a utilização de escória de aciaria não causou problemas de contaminação.
2

Corrosão de filmes de silicio policristalino por plasma para aplicações em dispositivos MEMS e MOS utilizando misturas de gases com cloro / Chlorine plasma etching of polysilicon films for MEMS and MOS devices

Nobre, Francisco Diego Martins 15 August 2018 (has links)
Orientadores: Peter Jurgen Tatsch, Stanislav A. Moshkalyov / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-15T01:24:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Nobre_FranciscoDiegoMartins_M.pdf: 7000328 bytes, checksum: ea69e5992c8dcac9e0a9aeab6ccf2ca5 (MD5) Previous issue date: 2009 / Resumo: Este trabalho apresenta o desenvolvimento de processos de corrosão de filmes de silício policristalino por plasmas contendo flúor e cloro, para aplicações em dispositivos MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems) e MOS (Metal Óxido Semicondutor). A corrosão foi feita em um reator RIE (Reactive Ion Etching) marca Applied Materials, modelo PE8300A. Para aplicação em MEMS foram feitas corrosões de silício policristalino, com perfis anisotrópicos e seletividade maior que 20 para óxido de silício. As misturas gasosas utilizadas na corrosão foram: Ar/SF6 e Ar/SF6/Cl2. Para avaliar melhor a evolução do perfil de corrosão, foram utilizadas amostras com filmes espessos de silício policristalino (>2 µm). Para aplicação em eletrodo de transistores MOS foi feito o afinamento de linhas de 2,5 µm para 500 nm de largura, com perfil vertical (A~0,95). Foi feita uma análise da rugosidade da superfície antes e depois dos processos de corrosão com plasma de Ar/SF6 e Ar/SF6/Cl2. Como máscara utilizaram-se linhas sub-micrométricas de platina, 300 nm de largura, depositas em equipamento FIB, sistema de feixe de íons focalizados. Foram ainda realizados processos de corrosão de dióxido de silício com plasma de misturas de Ar/SF6, objetivando altas taxas de corrosão, e de remoção de máscaras de fotorresiste com plasma de oxigênio. Os processos foram caracterizados com vários equipamentos. Um Perfilômetro foi utilizado para medir as profundidades das corrosões, para a determinação das taxas de corrosão. Um elipsômetro e um interferômetro foram utilizados nas medidas das espessuras e dos índices de refração dos filmes utilizados. Imagens SEM (Scanning Electron Microscopy) dos filmes corroídos foram feitas para analisar o perfil e determinar o mecanismo de corrosão para cada mistura, e imagens Focused Ion Beam (FIB) para analisar as estruturas sub-micrométricas. / Abstract: This work presents the results and the discussion about mechanisms of plasma etching of polysilicon and silicon films for applications in MEMS and MOS devices. The etching was performed in a conventional reactor of plasma etching, Applied Materials PE8300A model, in a RIE mode (Reactive Ion Etching). For application in MEMS, polysilicon etching with anisotropic profile and high selectivity (>20) for silicon oxide was obtained. The mixtures used in etching were SF6/Ar/Cl2 and SF6/Ar/Cl2. The evolution of the etching profile is better evaluated using polysilicon thick films (>2 µm). For application in MOS transistors electrode, 2,5 µm to 500 nm thinning was obtained with anisotropic profile (At~0,95). For surface routh analisys, before and after the etching processes in Ar/SF6 and Ar/SF6/Cl2 plasmas, sub-micrometric polysilicon lines, with platinum mask deposited by FIB, were etched. Next, silicon dioxide etching processes were executed using Ar/SF6 mixtures in order to obtain high etching rates. Finally, photoresist masks were removed without compromising the adjacent material by the use of oxygen. The films were characterized with the use of a variety of equipment. The Profiler was used to measure the etching depth, and therefore the etching rate was evaluated. / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Page generated in 0.0612 seconds